Зонная схема

Рис. 68. Зонная схема собственной проводимости полупроводника

Рис. 130. Зонная схема Рис. 131. Схема собственной проводимо-

Механизм люминесценции рекомбинационных люминофоров объясняют с привлечением основных представлений зонной теории твердого тела. Подробное изложение этой теории можно найти в работах [1, 2], мы же рассмотрим лишь простейшую зонную схему электронных переходов в люминофорах рекомбинационного полупроводникового типа, [c.73]

Эис. 76. Зонная схема собственной проводимости проводника [c.118]

При расчетах массообменных аппаратов используют также понятие о теоретической ступени контакта (теоретической тарелке), под которой понимают такое контактное устройство, которое обеспечивает получение равновесных потоков фаз, покидающих контактную зону. Схема такой ступени представлена на рис. ХП-6. [c.227]

Рис. 73. Зонная схема собственной проводимости полупроводников

Зонная схема рекомбинационного свечения кристаллофосфоров [c.508]

Блохинцевым. На рис. 92 изображена энергетическая зонная схема кристаллофосфора типа 2пЗ. [c.457]

Рис. 106. Зонные схемы примесных полупроводников

Рис. 92. Энергетическая зонная схема люминофора типа ZnS

Простейшая зонная схема для люминофоров полупроводникового типа показана на рис. IV. 1. Энергетические уровни и Аа, возникающие при введении активатора, располагаются в запрещенной зоне II. Наряду с уровнями активатора в запрещенной зоне существуют уровни захвата электронов (Л), обусловленные различными дефектами (в частности, примесными). Так как природа ловушек различна, то уровни захвата могут иметь различную Глубину. Уровень А соответствует невозбужденному состоянию активатора (основной уровень) и в этом состоянии заполнен, а уровни (возбужденный уровень) и уровень Л свободны, [c.73]

Рис. IV.1. Зонная схема для люминофоров полупроводникового типа.

Коррозия аппаратуры в высокотемпературных зонах схемы усиливается при высоком содержании HgS и H N в очищаемом газе. При очистке такого газа рекомендуется применять аппаратуру из специальных сплавов или керамическую облицовку. [c.84]

Все отдельные участки одной и той же зоны Бриллюэна могут быть единственным образом соединены в одну фигуру, тождественную с первой зоной, путем смещений на специальным образом подобранные векторы обратной решетки (рис. И, б, в, г). Таким образом, любая зона может быть приведена к первой — центральной зоне. Схема приведенной зоны удобна тем, что в ней требуется знать геометрическую форму лишь первой зоны Бриллюэна. [c.18]

Для проведения форполимеризации была испытана пульсационная колонна с тремя температурными зонами, схема которой показана на рис. 63. В первой зоне смесь подогревается до заданной температуры, во второй — термостатируется, а в третьей процесс замораживается , т. е. температура снижается, и реакция прекращается. Эффективный съем тепла по высоте и сечению аппарата надежно обеспечивается в результате пульсации. Было установлено, что коэффициент теплоотдачи реакционной массы при пульсации увеличивается примерно в пять раз. [c.169]

На рис. 7, а. на котором изображена энергетическая зонная схема для поверхности кристалла и на котором локальный уровень (акцепторный уровень А или донорный уровень В) представляет собой хемосорбированную частицу, такие переходы от одного типа связи к другому описываются как [c.69]

Рис. 3. Зонная схема полупроводника

Р и с. 30. Зонная схема для металлического натрия. [c.87]

Полученные результаты представлены на так называемой зонной схеме (рис. 30). Согласно квантовой теории металлов, каждому уровню валентного электрона в изолированном металлическом атоме отвечает в металле энергетическая полоса (зона) из N уровней, где N — число атомов металла ). [c.87]

На зонной схеме (рис. 30) представлены плотность уровней dN/dE и их заполнение при абсолютном нуле. [c.88]

Р и с. 31. Зонная схема для металлического никеля. [c.92]

Р и с. 39. Зонная схема для идеального, кристалла чистого окисла. [c.119]

Рис. 40. Зонная схема для окисных полупроводников д-типа (а) и р-типа (б).

Рис. 42. Зонная схема для окиси цинка нестехиометрического состава ( не чистой ) с двумя типами донорных уровней.

При производстве битумов в колонне с квен-чинг-секцией оказывается возможным одновременно поддерживать оптимально высокие температуры в зоне реакции, обеспечивающие высокую степень использования кислорода воздуха, и оптимально низкие температуры в зоне сепарации, при которых не происходит закоксовывания стенок этой зоны. Схема потоков в колонне следующая (рис. 2.82). Холодное (100—170 °С) сырье поступает под [c.292]

В процессе фирмы Union Oil [230] рецикл диэтилбензолов в зону алкилирования позволяет избежать дезактивации катализатора [кристаллический алюмосиликатный цеолит состава 10% (масс.) гидрогеля алюминия, 90% (масс.) цеолита NH4Y, содержащего 0,2% ЫагО], вызываемую полимеризацией и циклизацией олефинов. Поскольку рецикл побочных продуктов — полиалкилбензолов также уменьшает длительность пробега катализатора, диспропорционирование последних в этилбензо-лы проводят в отдельной реакционной зоне. Схема процесса приведена на рис. 6.9. [c.243]

Зонная теория дает следующее схематичное объяснение механизма люминесценции кристалло сфоров. Впервые эти идеи были высказаны в 1934 г. Д. И. Блохинцевым. На рис. 92 изображена энергетическая зонная схема кристаллофосфора типа ZnS. Валентная зона основного вещества обозначена буквой В, зона проводимости — С, локальные уровни активатора — Ц, локальные уровни ловушек — Л. [c.366]

В связи с таким распределением поверхности на анодные и катод-1ые зоны схему коррозионного процесса можно представить в таком зиде [c.247]

Целью 1 сследования было измерение величины низкотемпературной восприимчивости стекроуглерода, подвергнутого термической обработке. Различные теоретические расчеты диамагнетизма углеродных тел показывают, что единственным параметром, определяющим эту величину, является энергия Ферми. Двумерность кристаллической структуры стеклоуглерода, сохраняющаяся в широком интервале температур термической обработки, позволяет применять для анализа экспериментальных результатов достаточно простую зонную схему Херинга-Уоллеса. [c.143]

Поликристаллический материал в виде черного порошка с игольчатой формой кристаллов состава ВаВ1Тез синтезирован и охарактеризован в [77]. Установлены параметры и тип слоистой кристаллической структуры. Данные по электропроводности, термо-э.д.с., теплопроводности и ИК-поглощению обсуждаются в рамках зонной схемы и указывают на принадлежность этого соединения к узкозонным полупроводникам. [c.248]

На рис. 12, а изображена зонная схема для достаточно толстой пластинки полупроводника, обе поверхности которой содержат на себе хемосорбированные частицы, и толщина Ь которой значительно больше длины экранирования I. (Обычно длина экранирования имеет порядок величины /= 10 — 10 сж.) Рис. 12,6 соответствует кристаллу, толщина которого того же порядка, что и длина экранирования, а рис. 12, в — кристаллу, толщина которого значительно меньше. алины экранирова- [c.76]

Относительные концентрации электронов и дырок в окисле можно изменить путем облучения в области основного поглощения твердого тела. Используя зонную схему, можно представить, что поглощенный квант возбуждает электрон валентной зоны, который перескакивает через запрещенный участок, отделяющий ее от зоны проводимости наличие свободного электрона в зоне проводимости и дырки, свободно передвигающейся в валентной зоне, проявляется в случае приложения электрического поля как фотопроводимость. Если электрон и дырка образуют возбужденное состояние, оставаясь связанными вместе в виде экситона, то фотопроводимости не наблюдается, пока какое-нибудь дополнительное воздействие не приведет к диссоциации экситона. Поскольку электроны и дырки возникают в результате поглощения света или у-лучей, то можно ожидать — при условии правильности идей о роли электронов и дырок как реагентов при адсорбции и катализе, — что облучение будет стимулировать фотоадсорбцию , фотодесорбцию и фотокатализ точно так же, как оно вызывает фотопроводимость. Ввиду того что после прекращения возбуждающего облучения фотопроводимость очень быстро исчезает из-за рекомбинации электронов и дырок, можно полагать, что фотоадсорбция и родственные явления будут наблюдаться только в процессе облучения. Донорные или акцепторные центры в окисле, обусловленные, например, несте-хиометричностью, должны играть важную роль в определении природы и величины поверхностных фотоэффектов вследствие их способности избирательно захватывать электроны или дырки, а также из-за того, что вызываемое ими нарушение периодичности решетки может привести к поглощению за пределами области основного поглощения. [c.353]

Переходы электронов в пределах d-оболочки между уровнями, схематически изображенными на рис. 21, 22, т. е. d— -переходы, дают линии слабой интенсивности в видимой или близкой к видимой части оптического спектра. В более коротковолновой, часто в ультрафиолетовой области соединения переходных металлов показывают значительно более интенсивные спектры переноса заряда. Эти линии отвечают, например, возбуждению электрона лиганда на уровень вд центрального атома (см. рис. 22). В зонной схеме окислов переходных металлов спектрам переноса заряда соответствует перенос электрона через запрещенную зону из 2р-зопы кислорода на -уровни металла (см. рис. 19). Порядок изменения частот полос поглощения спектра переноса заряда [167] в комплексах соответствует закономерностям, отмеченным для ширины запрещенной зоны (глава 1, 3). Например, в ряду ионов галогенидов одного и того же металла [Me(NH3)5X] + в растворе длины волн максимумов поглощения растут, а энергия перехода падает от I" к Вг и Г. В ряду кристаллических галогенидов одного и того же металла, ширина запрещенной зоны уменьшается при переходе от хлорида к бромиду и далее к иодиду (см. таблицу, стр. 230). В комплексах разных ионов С СГ или Вг в растворе порядок уменьшения частот, соответству- [c.52]

Рис. 29. Зонная схема для ионного кристалла типа КаС1 с точечными дефектами (вакансиями) г — расстояние между парой соседних ионов в решетке типа ЫаС1, параметр которой изменяется от > до Го /[у[2 — потенциал ионизации Ка, — сродство к электрону для атома С1. В действительности Зз-зона перекрывает другие свободные зоны

Зонная схема — эта система термов для кристалла. Она несколько видоизменяется при появлении дефектов структуры, так как возникновение дефектов в ионной решетке всегда связано с сильным искажением электростатического поля в соответствующей области кристалла. Проще других описмваются изолированные точечные дефекты в идеальной ионной решетке. [c.137]

На рис. 2,а, на котором изображена энергетическая зонная схема для поверхности кристалла и на котором локальный уровень (акцепторный уровень А или донор-ный уровень О) представляет собой хемосорбированную частицу, такие переходы от одного типа связи к другому описываются как переходы электрона, в результате которых локальный уровень (уровень А или уровень О) заполняются электроном или освобождается от него [3, 4, 5, 7]. Температруа является регулятором таких переходов. [c.24]

На рис. 4, а изображена зонная схема для достаточно толстой пластинки полупроводника, обе поверхности которой содержат на себе хемосорбированные частицы и толщина L которой значительно больше длины экранирования / (обычно длина экранирования имеет порядок величины /=10 —10 см). Рис. 4,6 соответствует кристаллу, юлщина которого того же порядка, что и длина экранирования, а рис. 4, в — кристаллу, толщина которого значительно меньше длины эраиирования. В этом, последнем случае зоны можно считать полностью спрямленными и весь объем полупроводника равномерно заряженным. Положение уровня Ферми е в этом случае может быть легко найдено из условия равенства нулю суммы поверхностного и объемного зарядов. Мы получаем [c.31]

Эта электропроводность обусловлена наличием дефектов в кристалле. Всякое локальное нарушение периодической структуры решётки приводит к появлению в зонной схеме дискретных электронных уровней (Вильсон). Эти дискретные (локальные) уровни в общем случае располагаются между потолком Гюследней заполненной (валентной зоны) и дном первой пустой зоны (зоны проводимости). Допустим, что при низких температурах локальнее уровни заполнены, [c.119]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология