Рекомбинация, коэффициент для электронов

Было предпринято много попыток установить связь между перенапряжением водорода на данном металле и каким-либо другим его физическим свойством каталитической активностью по отношению к реакции рекомбинации свободных атомов водорода, теплотой плавления металла или теплотой его испарения, работой выхода электрона, минимальным межатомным расстоянием в решетке кристалла, коэффициентом сжимаемости и т. п. В результате исследований было отмечено, например, что чем выше температура плавления, тем ниже перенапряжение водорода однако это наблюдение нельзя рассматривать даже как приближенное правило. Бонгоффер (1924) нашел, что чем выше каталитическая активность металла по отношению к реакции рекомбинации атомарного водорода, тем ниже на нем перенапряжение водорода [c.399]

При энергиях электронов, соответствующих комнатной температуре, эффективное сечение захвата имеет порядок 10 см . Коэффициент рекомбинации в этих условиях равен 3-10 2 см -сек- . При рекомбинации в тройных столкновениях, когда выделяющаяся энергия отдается инертному атому, коэффициент рекомбинации достигает больших значений, чем при радиационном захвате. Для разных газов он имеет величину порядка 10 —10 см -сек К Если положительный ион является многоатомным, то процесс его рекомбинации с электроном может сопровождаться диссоциацией [c.85]

Эта диссоциативная рекомбинация объясняет, по-видимому, большие значения коэффициентов электронной рекомбинации — и более, которые были установлены в молекулярных и инертных газах. Например, предполагают, что молекулярные ионы Не (рис. 83) рекомбинируют с электронами согласно схеме [c.174]

В электрическом разряде в смеси газов, содержащей электроноакцепторные компоненты, могут происходить рекомбинация свободных электронов с положительными ионами (электрон-ионная рекомбинация) и рекомбинация отрицательных ионов с положительными (ион-ионная рекомбинация). Представляет интерес сравнительный анализ кинетики этих процессов, т. е. сравнение коэффициентов электрон-ионной и ион-ионной рекомбинации. [c.117]

Таким образом, коэффициенты электрон-ионный рекомбинации в зависимости от условий опыта (состава газа, давления, температуры) изменяются в широких пределах от до 10 см [сек. В близких к нормальным условиях, представляющих интерес для хроматографии, можно ожидать высоких значений коэффициентов рекомбинации на уровне 10- —10- см /сек, когда преобладает либо диссоциативная рекомбинация, либо рекомбинация при тройных столкновениях. [c.118]

В целом коэффициенты электрон-ионной рекомбинации ниже коэффициентов ион-ионной рекомбинации. [c.118]

Значения их могут отличаться на несколько порядков. Однако при словиях, близких к нормальным, значения коэффициентов электрон-ионной рекомбинации приближаются к значениям коэффициентов ион-ионной рекомбинации и становятся соизмеримыми с ними по порядку величины. [c.119]

Если уменьшение тока разряда связывать с увеличением коэффициента рекомбинации, то механизм детектирования можно описать однозначно в присутствии электроноакцепторного компонента электрон-ионная рекомбинация уступает место ион-ионной, скорость которой выше. Вклад ион-ионной рекомбинации повышается с увеличением концентрации анализируемого вещества, пока она полностью не заменит электрон-ион-ную рекомбинацию. Такую точку зрения нельзя строго обосновать, так как коэффициенты электрон-ионной и ион-ионной рекомбинаций могут быть соизмеримы в нормальных условиях, в то время как подвижности ионов и электронов отличаются на много порядков. [c.121]

Если известны коэффициент электрон-ионной диссоциативной рекомбинации а 1 коэффициент рекомбинации тройным столкновением аг, то относительное количество молекулярных ионов можно выразить так [c.173]

Оценим условия, при которых может реализоваться механизм объемной рекомбинации. Рассмотрим разряд в Не при р = 1 тор, Я-= см. Если р — коэффициент электрон-ионной рекомбинации, Да — коэффициент амбиполярной диффузии, п+ пе — концентрация ионов, то условие преобладания объемной гибели зарядов примет вид [c.30]

Коэффициенты рекомбинации ок, вычисленные по формуле (3), занесены в колонку 6. Их значения превышают значение коэффициента электрон-ионной рекомбинации тройным столкновением. Значения а к следует рассматривать как верхний предел действительных значений коэффициента рекомбинации в реакционной зоне. В колонках 7 и 8 собраны максимальные (ак) и минимальные (а ) значения коэффициентов рекомбинации, рассчитанные на основе уравнения (4). Коэффициенты к и Ск также значительно превосходят коэффициент электрон-ионной [c.173]

К процессам разрушения кластерных ионов следует отнести их рекомбинацию с электронами, взаимную нейтрализацию положительных и отрицательных ионов, а также многочисленные ион-мо-лекулярные взаимодействия. Характерные значения коэффициентов скоростей соответственно 10 , 10 и 10" см с" Следовательно, при малой степени ионизации наиболее быстрым является последний процесс. Результаты сопоставления этих величин с коэффициентами скоростей образования кластерных ионов (10" — 10 см -с" ) показывают, что при не слишком низких давлениях могут реализоваться условия, когда распределение кластерных ионов определяется указанными выше ступенчатыми процессами их генерации — разрушения и близко к равновесному. В данных условиях изменение температуры газа может существенно влиять на свойства плазмы и протекающие в ней процессы в результате изменений состава комплексных ионов. [c.84]

Трансмиссионный коэффициент может быть много меньше единицы. Это имеет место, например, прн рекомбинации атомов в газовой фазе, когда образовавшаяся двухатомная молекула несет в себе выделившуюся в реакции энергию и распадается обратно на атомы. Рекомбинация осуществляется только в тройных столкновениях (см. гл XI). Трансмиссионный коэффициент мал и в случае неадиабатических реакций, когда меняется электронная мультиплетность системы (см. 3). [c.82]

Рис. 82. Спонтанная электронная рекомбинация в. состояние 2 для Сз. Зависимость коэффициента от электронной температуры Т .

Неполная аккомодация энергии гетерогенной рекомбинации. Неполная передача химической энергии в процессе гетерогенной рекомбинации связана с образованием на новерхности частиц с возбужденными электронными, колебательными и вращательными степенями свободы. Молекулы в колебательном и электронном возбужденных состояниях были обнаружены еще в [27, 29] при измерении коэффициента аккомодации химической энергии каталитической рекомбинации N и О на некоторых металлических поверхностях. Низкие значения коэффициента аккомодации энергии рекомбинации атомов азота и кислорода (3 < 0,5 - 0,7 характерны для новерхности ряда металлов, их оксидов, стеклообразных материалов [9]. Для поверхностей теплозащитных покрытий сравнение калориметрических измерений коэффициента передачи энергии каталитической рекомбинации 7 в электродуговых установках [52, 57, 121] с измерениями коэффициента рекомбинации 7 [14, 31] показывает очень малую величину коэффициента аккомодации химической энергии (/3 = 0,1 — О, 2). Вместе с тем, аналогичные сравнения, проведенные в [46, 47] дают /3 1. В настоящее время имеется немного теоретических моделей, в которых этот эффект учитывается [9, 29, 32, 122-124. [c.91]

Расчет, сделанный в первом порядке теории возмущений по заряд--квадрупольному взаимодействию,показывает, что вероятность релаксации не зависит от колебательного кванта молекулы, слаб о зависит от типа металла А где Я - расстояние адсорбированной молекулы от поверхности. По порядку величины рассчитанные коэффициенты аккомодации совпали с экспериментальными. Некоторым доказательством передачи энергии в электронное возбуждение твердого тела является обнаруженное нами свечение 3 - линии натрия при рекомбинации атомов дейтерия на поверхности ионного кристалла п/а [1/ , [c.208]

В разд. 4.2 отмечалось, что литературные данные о радиационно-химических выходах д(е ) противоречивы. Точные значения выходов 6s требуются, например, для расчета ряда параметров короткоживущих продуктов реакций этих частиц. Например, они необходимы для нахождения молярных коэффициентов экстинкции указанных продуктов, а коэффициенты экстинкции, в свою очередь,— для определения абсолютных констант скорости рекомбинации продуктов. Очевидно, что отмеченное несовпадение результатов молено устранить путем исследования радиолиза с использованием широкого набора акцепторов электронов. [c.152]

Здесь N означает концентрацию электронов в зоне проводимости п — концентрацию локализованных положительных дырок, V — Концентрацию электронов на уровнях захвата, VI — общее число электронных акцепторных уровней, отнесенное к 1 см . Коэффициенты р, А1 и Аз характеризуют соответственно вероятность высвобождения электрона с уровня захвата, вероятность рекомбинации, [c.248]

Рассмотрим газ, содержащий нейтральные молекулы и равное число ионов и электронов с концентрацией М, причем концентрация заряженных частиц мала по сравнению с концентрацией молекул. Определим коэффициент рекомбинации электронов как [c.169]

Рекомбинация может происходить также ступенями [22] ион захватывает электрон и образуется сильно возбужденный атом, при этом испускается кванте энергией e V —1/ ), где — потенциал возбуждения данного состояния. Затем, например, электрон переходит в основное состояние и испускается второй квант с энергией eV . Причем этот квант имеет энергию меньшую, чем энергия границы серии. Коэффициент рекомбинации при захвате электрона на верхние уровни атома будет обозначаться в дальнейшем р. [c.170]

Отсюда следует, что при рассмотрении процесса генерации — рекомбинации в примесном полупроводнике запрещенную зону можно условно разделить на три области среднюю область и две области, одна из которых прилегает к валентной зоне, а другая — к зоне проводимости (рис. 38). Ширина последних двух областей одинакова и равна расстоянию между уровнем электрохимического потенциала электронов [Хэ и ближайшей к нему зоны (проводимости или валентной). Если энергетический уровень ловушек находится в средней из выделенных областей, то коэффициент рекомбинации имеет максимальное значание и не зависит от положения этого уровня. Когда уровень ловушек находится в одной из крайних областей, коэффициент рекомбинации существенно зависит от положения уровня —При этом, так же как и у собственного полупроводника, скорость процесса уменьшается, по мере приближения уровня —к любой из основных зон (см. рис. 38). [c.144]

Энергия рекомбинации может быть полностью или частично затрачена на диссоциацию молекулы, она может перейти также в колебательную или кинетическую энергию молекулы или вызвать химические реакции. В табл. 21 приводятся экспериментальные значения коэффициентов рекомбинации электронов. [c.171]

При установлении между окисной пленкой и объемом кристалла электронного равновесия в рассматриваемой системе образуется общий уровень электрохимического потенциала электронов, который не может проходить выше зоны проводимости и ниже валентной зоны. Поэтому энергетические уровни окисной пленки, оказывающие наибольшее влияние на величину коэффициента поверхностной рекомбинации, должны находиться вблизи уровня на расстоянии, не превышающем ширины запрещенной зоны для данного кристалла (см. рис. 53 и 58). Считая, что гидратированная окисная пленка вместе с адсорбированными в ней частицами подобна водному раствору, и обращаясь к рис. 53, мы приходим к выводу, что наиболее эффективными центрами рекомбинации в окисной пленке являются атомы или ионы элементов, располагающихся в правой части ряда напряжений металлов или металлоидов (см. стр. 192). Такими элементами являются водород, медь, серебро, золото, а также кислород и сера. Напомним, что именно для ионов этих элементов характерна высокая скорость электронного обмена при контакте металла или полупроводника с электролитом. Поэтому дe aнный [c.210]

Коэффициент рекомбинации электронов Ре в различных газах [15, 164] [c.171]

Оптические квантовые генераторы получили название лазеров. Излучение распространяется узким пучком и характеризуется высокой концентрацией энергии. Режим работы их может быть импульсным и непрерывным. К настоящему времени созданы лазеры на кристаллах СаРа, aW04, ЗгМо04, стеклах и пластмассах. В качестве активирующих добавок используются редкоземельные элементы (неодим, иттербий, гадолиний, гольмий, самарий и др.), что связано с наличием у них большого числа свободных состояний. Особый интерес представляют полупроводниковые лазеры, которые имеют высокий коэффициент полезного действия (в действующих моделях он равен 70%). Принцип действия их заключается в возбуждении стимулированного излучения, сопровождающего рекомбинацию электронов и дырок в области р—п-перехода при плотности тока 700—20 ООО а/см . р—л-Переходы в первых полупроводниковых генераторах осуществлялись на основе полупроводников А В (см. гл. IX). Длина волны излучения лазера на арсениде галлия с примесью цинка и теллура оказалась 8400 А. [c.111]

Коэффициент рекомбинации при нейтрализации зарядов, сопровождающейся излучением, оценивается следующим образом. Пусть т — время жизни возбужденного состояния, а — радиус орбиты, на которую захватывается электрон перед излучением м v — скорость электрона перед захватом. Электрон остается в атоме в течение времени а/г . Допустим, что оно порядка 10 /10 = 10 сек. Принимая т- 10 сек, получим вероятность излучения, равную Ю это означает, что на каждые 10 столкновений приходится в среднем один акт спонтанного излучения. Число столкновений в 1 см /сек между Ыд электронами и N молекулами газа равно но только [c.171]

Фейр, Фепди1ггсленд и Аден [595], измерив коэффициент рекомбинации тепловых электронов с молекулярными ионами азота а, получили величину порядка 10 б см 1сек- (см. также 461а). Подставляя в формулу [c.418]

Может происходить непосредственная рекомбинация свободного электрона и положительного иона, при которой избыточная энергия электрона излучается в виде свето1вого кванта (свечение рекомбинации). Этот элементарный процесс является обратным фотоионизации газа в объёме вероятность такого излучения очень мала, и эта малость ведёт к очень малому значению коэффициента [c.258]

В многократно активированных люминофорах полоса запрещённых энергий содержит различные по природе и распределению уровни загрязнения. Люлшнофор может обладать несколькими полосами излучения одновременно суммарный цвет свечения будет меняться в зависимости от условий возбуждения, так как коэффициент полезного действия у каждого типа уровней различен. Разница кпд зависит отчасти от различной глубины залегания уровней, которая определяет вероятность рекомбинации их электронов с дыркой основной полосы, а следовательно, скорость освобождения этих уровней для приёма электронов из полосы проводимости. Различная по интенсивности люминесценция может иметь место и в случае очень близких по характеру распределения уровней. Цинк и серебро, например, работая как активаторы в сульфиде цинка, дают очень сходную спектральную кривую и близкие Хтах излучения, но резко отличное по интенсивности свечение. [c.286]

Первый процесс —радиационная рекомбинация — протекает с относительно малой скоростью. Роль его велика лишь в тех случаях, когда затруднены или невозможны другие процессы, например при малых давлениях, и когда положительные ионы находятся в атомарном состоянии. При этом коэффициент электрон-ионной рекомбинации составляет 10 —Ю- см 1сек, [c.117]

Большие рахон дения наблюдаются при исследовании температурной зависимости коэффициентов электронно-ионной рекомбинации. Например, в [207 ] получено, что коэффициент рекомбинации в неоне зависит от температуры электронов (этот результат согласуется с теоретическими оценками [1]), тогда как ранее было показано, что температурная зависимость коэффициента рекомбинации в неоне отсутствует [6]. [c.71]

В [9] рассматривается ситуация, которая имеет место ири определении вероятности рекомбинации атомов кислорода газодинамическими методами, и для которых характерна замороженность реакций в газовой фазе. Предполагается, что в этих условиях можно учитывать только образование и тушение на поверхности электронно возбужденных молекул Оз- Пе учитываются процессы, связанные с колебательно возбужденными молекулами Оз- Считается также, что гетерогенная рекомбинация протекает по ударному механизму Или-Райдила. Результаты расчетов показали, что в случае эффективного образования электронно возбужденных молекул О2, тепловые потоки на исследуемую поверхность могут быть снижены на 10-20 %. Это обусловливает погрешность восстановления коэффициента рекомбинации по измеренному тепловому потоку, достигаюгцую целого порядка. Отметим также, что в [9] показано, что на траектории входа планируюгцего аппарата в атмосферу Земли возбужденные частицы оказывают влияние на тепловой поток к поверхности с высокими каталитическими свойствами, а для низко каталитических покрытий их влияние не столь суш,ественно. [c.92]

Модель работы [122] учитывает неполную аккомодацию электронно возбужденных молекул N2, которые формируются с помогцью механизма рекомбинации Или-Райдила на новерхности реактивно обработанного стекломатериала. Реакции в газовой фазе также считаются замороженными. В этих условиях для коэффициента аккомодации [c.92]

Рассматривая третий путь — обратный поток энергии вдоль оси пламени в направлении стабилизатора, начинающийся в светящейся зоне и проходящий через вершину пламеии элементарного объема зажигания, — следует предполагать целый ряд возможных путей переноса энергии, например излучением, с помощью электронов, протонов, свободных радикалов, атомов и заряженных радикалов. Электроны и протоны присутствуют в чрезвычайно малых концентрациях, радикалы обладают сравнительно малой подвижностью, а столкновения радикалов, приводящие к обрыву цепи, ограничивают длину цепи, поэтому они не играют существенной роли в изучаемом процессе. Поглощение лучистой энергии маловероятно, но имеются надежные экспериментальные доказательства легкой рекомбинации атомов водорода, которые обладают большой подвижностью и по сравнению с другими радикалами могут мигрировать относительно далеко, пока в результате тройного столкновения не высвободится энергия рекомбинации. В результате рекомбинации атомов водорода Н—Н выделяется 103 ккал/моль. Атомы водорода, выделяя тепло, инициируют также цепные реакции горения в предварительно перемешанной смеси прп непламенных температурах. Диффузия и рекомбинация атомов водорода рассматривались в качестве одного из звеньев механизма, определяющего скорость распространения пламени в свежую смесь. Здесь эта схема также принимается в качестве механизма, посредством которого тепло подводится в элементарный объем зажигания и тем самым оказывает влияние на пределы устойчивости. Эта точка зрения подтверждается результатами работы Лапидуса, Розена и Уилхелма [6], которые экспериментально установили, что скорость зажигания и распространения пламени от одного конца щели горелки до другого существенно изменяется (причем сохраняется воспроизводимость) в зависимости от каталитического характера стенок устья горелки. Предполагая, что различные скорости распространения пламени обусловлены изменением концентрации свободных радикалов во фронте пламени вследствие их рекомбинации на поверхности, авторы предложили теоретическую модель, с помощью которой удалось количественно определить значения коэффициентов рекомбинации на поверхности по отношению к платиновой поверхности. В случае сухих поверхностей относительные коэффициенты имели следующие значения платина Ю" , латунь 10 , окись магния 10 ". Все поверхности, покрытые влагой, дают значения коэффициента рекомбинации меньше 10" . Таким образом, если радикалы могут достигать поверхности стабилизатора, как это указы- [c.239]

Здесь (Зюп — скорость ионизации газа а. (/3)-частицами и оп — частота ионизации электронами плазмы (Зег — скорость электрон-ионной рекомбинации Пе(г), /ге(г), т(г) концентрация, ПОДВИЖНОСТЬ И коэффициент диффузии электронов (ионов), соответственно ( е) — средняя энергия электронов С — коэффициент диффузии энергии электронов — термоэлектрический коэффициент еь — г] — I — вехе П — энергетическая цена образования элек-трон-ионной пары, которая в первом приближении равна удвоенному потенциалу ионизации / ехс — энергия вторичного электрона, идущая на прямое возбуждение атомов, которая может доходить до 30% от полных потерь энергии а (/3)-частиц, — скорость потерь энергии тепловых электронов в упругих и неупругих столкновениях. [c.287]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология