Свечение рекомбинационное

Второй вид свечения — рекомбинационное — наблюдается в тех случаях, когда акты поглощения и излучения разделены не только по времени, но и пространственно. Этот вид свечения является [c.7]

Рис. 1.18, Кривые разгорания и затухания свечения люминофоров рекомбинационного типа.

Не подлежит сомнению, что сплошные спектры свечения, наблюдаемые в различных пламенах, в большинстве случаев связаны с рекомбинационными процессами, т. е. с радиационной стабилизацией квазимолекул, образующихся при столкновении атомов или радикалов между собой или [c.120]

Природа рекомбинационной люминесценции более сложная. Этот вид люминесценции наблюдается при рекомбинации (воссоединении) радикалов или ионов с образованием возбужденных молекул, он может возникать у различных газов и особенно характерен для кристаллофосфоров. При возбуждении (например, сульфидных кристаллофосфоров) происходит разделение их центра свечения на две противоположно заряженные части. При последующей встрече этих частей происходит их рекомбинация с выделением энергии, которая приводит в возбужденное состояние центр свечения. Последний переходит в невозбужденное состояние с излучением кванта люминесценции. [c.89]

Зонная схема рекомбинационного свечения кристаллофосфоров [c.508]

У люминофоров рекомбинационного типа зависимость между интенсивностями излучения и возбуждения является более сложной [4, с. 19 32]. Последнее обусловлено тем, что при возбуждении подобных люминофоров центры свечения и элементы решетки основы ионизуются. При этом электроны могут захватываться ловушками, освобождаться и рекомбинировать с центрами свечения, дырками или повторно захватываться ловушками. [c.16]

Второй вид свечения — рекомбинационное — наблюдается тогда, когда акты поглощения и излучения разделены не только во времени, но и пространственно. Этот вид свечения является основным в свечении так называемых кристаллофосфоров — сложных кристаллических веществ с дефектной структурой. [c.48]

При освещении атом активатора, поглощая квант, возбуждается, а при его дезактивации происходит люминесценция. Время существования центра свечения в возбужденном состоянии индивидуально для каждого центра. Затухание люминесценции обычно подчиняется экспоненциальному закону в течение первого периода, длящегося 10 10 1 сек, после чего наблюдается весьма длительное слабое послесвечение, называемое рекомбинационным. В это время электроны, оторванные от центра свечения, некоторое время остаются свободными, а большую часть времени проводят на локальных уровнях, созданных в кристалле различными дефектами. [c.365]

Как следует пз рис. 1.18 свечение достигает стационарного значения через некоторое время тем более длительное, чем меньше интенсивность возбуждающего света. Насыщение достигается тогда, когда число актов рекомбинации становится сравнимым с числом актов ионизации. Отметим, что время, в течение которого интенсивность люминесценции рекомбинационных люминофоров достигает стационарного значения, намного больше, чем в случае характеристических люминофоров. [c.20]

Из других механизмов возбуждения флуоресценции в аналитических целях могут применяться ионизационно-рекомбинационная и сенсибилизированная флуоресценция. Рекомбинационное свечение возникает в результате облучения облака атомного пара светом, частота которого лежит в области сплошного поглощения за границей серии. Энергия этого излучения достаточна для ионизации атомов. При последующей рекомбинации ионов наблюдается излучение, как сплошного спектра, так и отдельных атомных линий. Сенсибилизированная флуоресценция возникает в результате передачи энергии от возбужденного атома А к невозбужденному атому В в процессе их столкновения [c.851]

На рис. 14.4.83 схематически приведены электронные переходы в кристаллофосфорах, обусловливающие появление люминесценции различного типа. В соответствии с зонной теорией твердого тела, возможно несколько механизмов возникновения рекомбинационного свечения кристаллофосфоров. [c.509]

Если принять, что основным источником видимого свечения продуктов детонационных взрывов, содержащих СО, являются рекомбинационные реакции [c.322]

Известно два механизма возникновения свечения 1) свечение отдельных центров, когда процесс возникновения люминесценции протекает лишь в одной частице (центр свечения), являющейся как поглотителем энергии, так и излучателем световых квантов, и 2) рекомбинационные процессы свечения, при которых, как правило, поглощение энергии осуществляется не теми частицами, которые излучают световые кванты. [c.143]

По первому механизму осуществляется свечение большинства органических веществ в растворе, в том числе и внутрикомплексных соединений органических люминесцентных реагентов с катионами. Свечение кристаллов с решетками молекулярного типа, например нафталина, антрацена и их производных, определяется рекомбинационными процессами. [c.143]

Рекомбинационное свечение, возникающее в том случае, когда в преобразовании энергии принимает участие все флуоресцирующее вещество. Такое свечение возникает у кристаллов вещества. В физико-химических методах анализа используют главным образом дискретное свечение растворов. [c.150]

На рис. 2.8 представлены экспериментально измеренные значения ф (приведенные к удвоенной концентрации кислорода) в отраженных ударных волнах в широком диапазоне температур и величин т). Эти данные получены с помощью торцевой методики регистрации свечения реакции О—СО. В соответствии с уравнением (2.13) при высоких температурах данные зависят только от т]. Зависимость ф/2[0г] от полной концентрации газа [уравнения (2.11) и (2.12)] заметно проявляется для смеси с т] = 0,33 при низких температурах. Недавние инфракрасные измерения [74] для смеси с т] = 10 при верхней температурной границе 2200 К находятся в превосходном согласии с измерениями рекомбинационного излучения О—СО. Использование уравнений (2.11) — (2.13) дает несколько различных способов определения абсолютных значений констант скоростей и их аррениусовской зависимости из данных, аналогичных представленным на рис. 2.8. Рассмотрим эти способы 1) для применения уравнения (2.13) необходимо убедиться, что А ДМ] достаточно мало [62, 63] 2) предполагая, что kf и (или) к определены независимым путем и что величина ф не очень чувствительна к этим константам, входящим в уравнение (2.12), можно как минимум из двух серий экспериментов с различными т] рассчи- [c.162]

Труднее всего получить согласующиеся значения ф при т) 0,3, когда отчетливо проявляется влияние констант кь и кс. С помощью торцевой методики измерения рекомбинационного излучения О—СО [65] и измерений поглощения ОН [43, 80] определены более высокие значения ф и соответственно кь и к , чем в экспериментах с менее чувствительными методами инфракрасного излучения [74] и свечения О—СО [66], регистрируемого через окно в боковой стенке ударной трубы это может быть вызвано уменьшением скоростей цепного разветвления из-за расходования реагентов. Вопросы влияния развивающегося за падающими ударными волнами пограничного слоя на временной характер процесса и температуру в экспериментах по измерению ф еще не решены окончательно [67]. [c.164]

Несмотря на эти и другие возможные трудности, эксперименты с бедными смесями показывают, что при Г 1500 К можно с удовлетворительной точностью принять кь кс. На основании данных по регистрации рекомбинационного свечения О—СО с торца [65] установлено, что кь кс 4- 0 см /(моль-с) при Т == 1600 К. Можно сравнить эти значения с ре зультатами других независимых работ. Например, кь = = 8,9-10 см /(моль-с) при Т = 1600 К [81], а аррениусовская экстраполяция к Т — 1600 К значений кь, определенных в диапазоне 350 <7 1000 К [82], приводит к kb=, Z-W см / /(моль-с). Точно так же с = 4,3-10 2 см2/(моль с) при Т = 1600 к [81], а экстраполяция из температурного интервала 300 Г 500 К дает k —, -W см (моль-с) при Т = 1600 К [83]. [c.164]

Много информации содержится в кривых ультрафиолетового поглощения радикалов ОН в падающих ударных волнах, полученных при изучении максимума концентрации ОН [24, 42], при систематических исследованиях периодов индукции [27] и рекомбинационной кинетики [28—32]. К настоящему времени не проведены измерения [Н]тах с помощью некалиброванной системы регистрации хемилюминесцентного свечения О—СО в условиях высоких давлений [92] проделаны только качественные измерения [0]тят. Эксперименты (типичная осциллограмма представлена на рис. 2.2) в диапазоне значений 0,33 < т) < 13, 1300 < Г 2000 К, 0,8 < /7 < 4,6 атм обеспечили надежную информацию о максимуме концентрации радикалов ОН, который достигается очень быстро. Спад концентрации ОН после максимума происходит сравнительно медленно и соответствует значениям N в диапазоне 0,5—1,0 (в состоянии частичного равновесия N = I). [c.172]

Наиболее хорошо изучено рекомбинационное свечение при горении смеси окиси углерода с кислородом. Интенсивность его (/) непосредственно связана с концентрацией СО и атомов кислорода [c.254]

Как оказалось, интенсивности излучения щелочных металлов при одинаковом содержании их в газе приблизительно равны и имеют одну и ту же зависимость от состава горючей смеси. Измерения интенсивности данного рекомбинационного свечения могут использоваться для определения концентрации радикалов ОН в пламенах. [c.255]

Поскольку, как было показано, хемилюминесценция возникает в реакциях рекомбинации радикалов, можно было предполагать, что появление в системе новых радикалов, замена одного сорта радикалов другим будет приводить к изменению интенсивности свечения. Специально поставленные опыты подтвердили это предположение [220—222], показав, что интенсивность свечения действительно зависит от химического состава системы и изменяется при введении добавок различных веществ. Механизм действия добавок может быть как химическим, так и физическим (тушение возбужденных состояний, появление новых излучающих частиц в результате переноса энергии, влияние среды на вероятности оптических переходов и дезактивации). Основываясь на выводе о рекомбинационной природе хемилюминесценции, удается объяснить химическое действие различных добавок их влиянием на концентрацию свободных радикалов и на состав радикалов. Теми же причинами — изменениями кон- [c.104]

Излучение, сопровождающее рекомбинацию частицы с электроном или ионом после предварительной диссоциации. Именно к этому типу рекомбинационного свечения и относятся явления люминесценции, рассматриваемые в данной главе.— Прим. ред. [c.93]

Нагревание облученного азота выше 4,2° К сопровождается зеленым свечением. Эмиссионный спектр свечения подобен спектру, наблюдаемому при нагревании предварительно вымороженных при температуре жидкого гелия продуктов, полученных при пропускании электрического разряда через азот. Природа этого свечения имеет рекомбинационный характер (98]. Неподвижные атомы азота приобретают в ходе нагрева подвижность в матрице и рекомбинируют по реакции [c.313]

Сопоставление результатов поможет выяснить роль активирующей примеси и тепловых микродефектов чистого кристалла в образовании электронных и дырочных центров захвата, механизм люминесценции чистых и активированных щелочно-галоидных кристаллов, роль электронно-дырочных процессов в рекомбинационном свечении этих кристаллов и ряд других фундаментальных вопросов физики люминесценции ионных кристал- [c.6]

Было установленно, что в плазме разряда наряду с рекомбинационными линиями атомарного и молекулярного водорода присутствуют линии, соответствующие СН и Сг. Интенсивность линий, соответсвующих Сг димерам существенно возрастает с увеличением концентрации метана. При концентрациях выще 15% наблюдается интенсивное желто-оранжевое свечение периферийных (более холодных) областей плазмы. Спектральные характеристики этого свечения соответствуют нагретому до высокой температуры материалу, что позволяет предположить конденсацию углерода непосредственно в газовой фазе. Наличие углеродных димеров в газовой фазе определяет механизм образования углеродных пленок на подложке. При высокой концентрации этих димеров происходит преимущественный рост графигоподобной фазы, а при низких концентрациях образуется алмазная поликристаллическая пленка. [c.99]

А -> А + Нуа-Рекомбинационная люминесценция наблюдается у различных газов при рекомбинагщи радикалов или ионов с образованием возбужденных молекул. Однако наиболее часто рекомбинационное свечение наблюдается у кристаллофосфоров. [c.499]

Спектры возбуждения характеризуют активное поглощение люминесцирующих частиц. Их представляют в виде зависимости интенсивности люминесценции от частоты или длины волны возбуждающего света. У веществ, люминесцирующих по типу дискретных центров, спектры возбуждения идентичны спектрам по-ГЛ0ЩСНР1Я и могут отличаться от них только вследствие инструментальных искажений. У частиц с рекомбинационным механизмом свечения спектры возбуждения, как правило, существенно отличаются от спектров поглощения. [c.500]

Рекомбинационная люминесценция возникает и при непосредственном возбуждешш активатора (рис. 14.4.83, в, г). Возбуждение переносит электрон с уровня актршатора в зону проводимости (рис. 14.4.83, в, г VI). При этом на уровне, принадлежащем активатору, образуется дырка е , которая отличается от описанной вьппе тем, что она локализована и не имеет возможности перемещаться по кристаллу. Свободный электрон, передвигаясь по зоне проводимости, попадает на ьшжний энергетический уровень, а затем рекомбинирует с ионом активатора, вызывая его свечение (рис. 14.4.83, в, г VII). Процесс свечения будет кратковременным ( 10с), если имеет место непосредственная рекомбинация возбужденного электрона с ионом активатора (рис. 14.4.83, [c.510]

По своим свойствам свечение кристаллофосфоров отличается от молекулярной люминесценции. Эти различия, прежде всего, касаются длительности и характера затухания свечения. Если для молекулярной люминесценции характерны кратковременные процессы свечения (флуоресценция), то для свечения 1фисталлофосфоров, имеющего рекомбинационную природу, характерны, напротив, длительные процессы свечения. Затухание свечения кристаллофосфоров после прекращения возбуждения подчиняется гиперболическому закону и может бьггь описано эмшфической формулой Беккереля [c.510]

В отличие от молекулярной люминесценции, для которой наблюдается тесная связь между спектрами поглощения и люминесценции, для люминесценции кристаллофосфоров подобная зависимость, как правило, отсутствует. Это легко объясняется рекомбинационной схемой свечения последних. В самом деле, поглощательная способность кристаллофосфора определяется кристаллической рещеткой основного вещества, а излучение осуществляется другой его частью — активатором. [c.511]

Локализованные на центрах захвата носители заряда можно освободить различными способами. Одним из них является нагревание кристалла. При этом происходит термическое освобождение носителей заряда с центров захвата и наблюдается рекомбинационное свечение — термолюминесценция. Интенсивность ТЛ в начале нагрева растет, так как с ростом температуры увеличивается число электронов, освобожденных из ловущек и переходящих в зону проводимости. При определенной температуре интенсивность люминесценции достигает максимума и при дальнейшем нагревании снижается, что связано с истощением запаса захваченных электронов. [c.121]

Не подлежит сомнению, что сплошные спектры свечения, наблюдаемые в различных пламенах, в большинстве случаев связаны с рекомбинационными процессами, т. ё. с радиационной стабилизацией квазимолекул, образующихся при столкновении атомов или радикалов между собой или с присутствующими в зоне горения молекулами. Таковы, например, сплошные сшектры пламен, содержащих галогены [1177, 1624 или серу [170, 303, 712, 824, 921]. Так, сплошной спектр испускания пламени сероуглерода обусловлен процессом [c.243]

Из данных этой таблицы следует, что для С1г и Вгг вероятность Р имеет порядок величины 10 и для Лг—10" . Это значит, что у галоидов лишь одно из 10 —10 столкновений, благоприятных в смысле возникновения электронного состояния возбужденной молекулы Хг, комбинирую--щегося с нормальным, ведет к образованию молекулы, причем избыточная энергия теряется молекулой в виде электронного излучения . Сопоставляя вычисленное А. Н. Терениным и Н. А. Прилежаевой (табл. 7) значение величины Р для брома с приведенным вьппе (стр. 199) значением, полученным В. Н. Кондратьевым и А. И. Лейпунским [153] из интенсивности термического свечения паров брома, нужно констатировать хорошее согласие обоих значений, так как расхождение на один порядок в данном с.тучае вполне допустимо вследствие больших погрешностей измерения интенсивности излучения, в основном обусловленных трудностью учета роабсорбции рекомбинационного излучения в парах брома, нагретых до температуры 1500°К- Причина расхождения вычисленного и измеренного значений Р, возможно, обусловлена сложным характером см. [1003а]. [c.205]

В работе [140] в процессе диссоциации Вгг за ударной волной одновременно измеряли текущую концентрацию Вгг, рекомбинационное свечение и градиент плотности. Исследованный температурный диапазон (1200— 3000 К) вдвое шире, чем в предыдущих работах. Полученные данные хорошо согласуются с результатами ибследований методом импульсного фотолиза. Температурный показатель степени п константы скорости рекомбинации 2Вг-ЬАг равен —1 и для 2ВгКг равен —2,5. — Прим. ред. [c.31]

Очень часто при рекомбинации атомов и радикалов в определенной области наблюдается непрерывное свечение. Одним из примеров может служить хорошо известный рекомбинационный континуум щелочного металла и гидроксила, занимающий всю видимую область спектра и сопровождающийся очень интенсивными резонансными линиями Na и Li. Аналогичный континуум возникает и в пламени, насыщенном калием, но в этом случае дублетные резонансные линии (первая и вторая) находятся на границе видимой области. Джеймс и Сагден [ПО] показали, что интегральная интенсивность континуума пропорциональна как концентрации ОН, найденной ими по измерениям [Н], так и концентрации свободного щелочного металла. Это дает возможность использовать измерение интенсивности рекомбинационного излучения для определения относительной концентрации ОН. Кроме рассмотренного случая, практический интерес представляет рекомбинационное свечение в реакциях Н-)-ОН-> HgO/IV и Н + С1-> НС1/ V [113]. Непосредствен- [c.240]

Зигерс получил существенно большую интенсивность излучения, что вызвало необходимость обобщить выражение для интенсивности рекомбинационного свечения, полученное Кас-каном [c.254]

Много исследований связано с континуумом зеленого рекомбинационного свечения в реакции N0-Ь 0- К0г +/iv, которое впервые наблюдали Джеймс и Сагден [111] в пламенах с небольшими добавками окиси азота. Этот континуум подробно изучали Булевич и Сагден [116] с целью разработки метода определения концентрации атомов кислорода в пламенах. Согласно их данным, окись азота сложным образом влияет на [c.254]

Одним из первых детально изучен рекомбинационный континуум щелочной металл — гидроксил. Джеймс и Сагден [ПО] показали, что в любом пламени, содержащем щелочной металл, можно наблюдать свечение в процессах типа [c.255]

Работы по люминесцентному анализу успешно ведут одесские лаборатории ИОНХ АН УССР (Н. С. Полуэктов и др.). Развиваются два направления — определение элементов, образующих различные смешанные комплексы в растворах, и определение малых количеств элементов в кристаллофосфорах. Последнее направление основано на том, что кристаллы некоторых соединений, решетки которых имеют дефекты, связанные с внедрением примесей, флуоресцируют (так называемое рекомбинационное свечение). По интенсивности свечения можно определять содержание элемента-примеси, введенного в кристалл. Можно указать и другие центры исследований в области люминесцентного анализа ГЕОХИ АН СССР (А. В. Карякин, Л. И. Аникина), Московский университет (А. П. Головина), Ленинградский университет (Г. П. Столяров). [c.64]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология