Температурная зависимость установление в области низких

На рис. 8.1,6 показан графо-аналитический метод прогнозирования, который основан на использовании линии хрупкости. Он также проверен на трубах из полиэтилена высокой плотности [26]. Реализация метода возможна при наличии минимум двух изотерм долговечности, которые воспроизводятся экспериментально при достаточно высоких температурах. Спрямив эти изотермы в логарифмических координатах (см. рис. 8.1,6), проводят прямую (линию хрупкости) через точки пересечения их пологих и крутопадающих участков и экстраполируют ее в область низких температур. В дальнейшем используют экспериментально установленную температурную зависимость кратковременной прочности труб—правый график на рис. 8.1,6. С помощью этого графика находят прочность, например, для 35 °С, которую переносят на начальную ординату левого графика. Из полученной точки проводят параллельно двум экспериментальным графикам участок вязкого разрушения вплоть до пересечения с линией хрупкости. Из точки пересечения в том же порядке строят хрупкую ветвь. Таково графическое решение задачи. Возможно и аналитическое, когда с помощью формул (6.103) и (6.104) определяются координаты двух точек хрупкости. Затем находится уравнение прямой, соединяющей эти точки, т. е. уравнение линии хрупкости. Далее выводится управление прямой, проходящей через заданную точку (кратковременная прочность) с известным наклоном, т. е. определяется участок вязкого разрушения. Отыскивается точка его пересечения с линией хрупкости и выводится уравнение хрупкого участка. [c.280]

Температурный коэффициент фотохимических реакций может быть обусловлен зависимостью от температуры как первичного акта, в результате которого образуются активные центры реакции, так и вторичных процессов. Температурной зависимости первичного акта нужно ожидать в тех случаях, когда реакция проводится в спектральной области, расположенной вблизи границы, разделяющей сплошной и дискретный спектры поглощения, или же вблизи границы предиссоциации. Действительно, в этих случаях, благодаря увеличению числа молекул, находящихся на более высоких колебательных уровнях, те длины волн, которые при низких температурах приходятся на дискретный участок спектра поглощения, при повышении температуры могут оказаться в области сплошного поглощения или в области предиссоциации, в результате чего эффективность этих длин волн повышается. Яркой иллюстрацией такого перемепхения границы фотохимически активного света являются случаи перемещения границы предиссоциации в сторону больших длин волн при повышегши температуры, установленные Анри [743]. Нужно, однако, сказать, что такие случаи среди изученных фотохимических реакций сравнительно редки, и температурный ход реакций в подавляющем большинстве случаев связан с температурной зависимостью вторичных процессов. [c.385]

Изучена также температурная зависимость коэффициентов распределения сернистых веществ (рис. 40). Анализ ее показывает, что область низких температур характеризуется более крутой зависимостью К = f (Т), т. е. для достижения одной и той же точности анализа требования к терыостати-рованию в области повышенных температур (>20°) могут быть ниже, чем для более низких температур. Использование повышенных температур в процессе установления равновесного распределения вещества благодаря снижению коэф-ф щиента распределения приводит также к некоторому повышению чувствительности анализа. [c.118]

Для всех полимерных диэлектриков температурно-частотные зависимости е и е" обусловлены дипольной природой полимера и,ли его примесей и релаксационным характером установления поляризации. Сорбция полимерами низкомолекулярных веществ приводит к смещению областей к бопее низким темп-рам или высоким частотам. Это влияние особенно характерно для потерь, наблюдаемых выше ТУстановлено влияние одноосного и двуосного растяжений полимеров на величину р/ и и положение области максимума е" в зависимости от темп-ры и частоты. Особенно значительно такое изменение для полистирола, полиамидов и др. при двуосном растяжении. [c.595]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология