Комплексы Требования к захватам

Комплекс критериев технологичности детали, обрабатываемой на станках с ЧПУ и в ГПС, условно можно разделить на две группы. Первая группа критериев определяет общие требования к детали во вторую группу входят критерии технологичности, относящиеся к обрабатываемой поверхности. К общим требованиям относятся обоснованный выбор материала детали и увязка требований качества поверхностного слоя (шероховатости поверхности, упрочнения, остаточных напряжений в поверхностном слое и т. д.) с маркой материала детали обеспечение достаточной жесткости конструкции наличие или создание искусственных технологических баз, используемых при обработке и захвате заготовки промышленным роботом сокращение до минимального числа установов заготовки при обработке наличие элементов, удобных для закрепления заготовки в приспособлении, причем зажимные элементы должны обеспечивать доступ для обработки всех поверхностей детали и высокую жесткость системы заготовка — приспособление возможность обработки максимального числа поверхностей с одного установа с использованием в основном консольно закрепленного инструмента отсут- [c.542]

Заготовки в роботизированных комплексах должны отвечать следующим требованиям иметь однородные по форме и расположению поверхности для базирования и захвата иметь ясно выраженные базы и признаки ориентации конструктивно-технологические параметры заготовок должны позволять вести групповую обработку масса заготовок вместе с массой захвата не должна превышать грузоподъемность робота. [c.521]

Выбор технологических баз — важный вопрос проектирования роботизированной сборки. От него зависит качество собираемых изделий и безотказность работы робототехнического комплекса. Этот вопрос должен взаимосвязанно решаться на всех этапах сборки данного изделия. На первом этапе выбирают базу, определяющую положение детали изделия в ячейках кассеты, магазина, в лотке бун-керно-ориентирующего устройства или лотке-накопителе (для базовой детали изделия) Формулируют требования по точности обработки выбранной базы, точности изготовления ячеек, максимально возможному зазору между деталью и ячейкой. Эти вопросы должны решаться на основе обеспечения точного и безотказного захвата деталей рабочим органом робота. [c.320]

Высокие требования к чистоте материалов предъявляются в сцин-тилляционной технике. Химические дефекты в монокристаллах Nai—T1I, sl—Nal, sl—Til влияют на их сцинтилляционные свойства вследствие конкуренции в поглощении возбуждающей радиации между ионами активатора и примеси, реабсорбции примесными центрами люминесценции активатора и появления примесных центров свечения. Све-товькод детекторов на основе монокристаллов Nal—T1I заметно снижается при увеличении массовой доли меди от 1-10 до 7 10 % и никеля от 5 10 до 5 10 % [14]. Отмечено падение световыхода и ухудшение энергетического разрешения сцинтилляторов за счет изменения анионного окружения ионов активатора и образования комплексов активатора с кислородсодержащими анионами [15]. Являясь центрами захвата носителей заряда, посторонние примеси снижают радиационную стойкость сцинтилляционных детекторов [16]. Собственный радиоактивный фон сцинтилляционного детектора ограничи- вает возможность его применения для регистрации слабых активностей. Этот фон определяется, в частности, присутствием в игаодном сырье примесей актиноидов [17, 18], а также калия и рубидия, имеющих естественные радиоактивные изотопы ( К и Rb). Максимально допустимая удельная скорость распада каждого радиоактивного изотопа Пр, ч кг связана с массовой долей соответствуюпюго элемента в веществе ( j, %) следующим соотношением [c.10]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология