Справочник химика 21

Химия и химическая технология

Статьи Рисунки Таблицы О сайте English

Центры захвата прилипания

    В заключение отметим, что центры рекомбинации характеризуются примерно одинаковыми сечениями захвата для электронов и дырок, а соответствующий им энергетический уровень находится в средней части запрещенной зоны. В отличие от сказанного, уровни прилипания обладают либо различными сечениями захвата, либо соответствующий им энергетический уровень находится вблизи одной из зон. [c.145]


    В начальный период вероятность адсорбции столкнувшейся с поверхностью молекулы (коэффициент прилипания) составляет около 0,4, что почти совпадает с соответствующим значением для поверхности монокристалла. Эти данные хорошо согласуются с экспериментально установленным фактом - слабой зависимостью коэффициента прилипания кислорода от вида поверхности. После удаления кислорода из газовой фазы в систему подают моноксид углерода, который интенсивно взаимодействует с адсорбированным кислородом, пока не прореагирует полностью. Для реакции такого тпа, естественно, требуется стро-i го определенный тип центров захвата. [c.133]

    Вообще центрами рекомбинации называются дефекты, на которых после захвата носителя заряда рекомбинация более вероятна, чем тепловое освобождение носителя. В случае центров захвата, которые называют также центрами прилипания, имеет место обратное. Очевидно, что при понижении температуры центр захвата может превратиться в центр рекомбинации. [c.63]

    Уровни прилипания. Выше мы уже видели, что в первый момент после нарушения термодинамического равновесия протекающий процесс не является стационарным и характеризуется двумя различными скоростями Ч ", и Рд [см. формулы (110) и (111) ]. Бремя, в течение которого процесс становится стационарным, т. е. выравниваются величины и Ч д, зависит от многих причин и в том числе от сечений захвата и энергетического расположения ловушек. В случае, когда это время весьма мало и им можно пренебречь, рассматриваемые ловушки называются центрами рекомбинации. Если же время установления стационарного процесса велико, то ловушки называются уровнями прилипания. Такое название указывает на то, что в данном случае ловушки взаимодействуют преимущественно с носителями заряда одного знака. [c.145]

    В том случае, когда насос имеет экран, препятствующий выходу распыляемого геттера из насоса, коэффициент захвата, естественно, должен уменьшиться. Однако, как показали расчеты (рис. 18, б), уменьшение у будет незначительным, если экран будет удален от входного сечения насоса на расстояние больше, чем три четверти радиуса с > 0,75 г. Вычисления проводились для насоса длиной а = 3, в котором источник геттера размещен в центре, а внутренняя поверхность экрана имеет тот же коэффициент прилипания, что и все остальные внутренние поверхности. [c.58]

    Рассмотрим элементарные процессы, лежащие в основе фотопроводимости, с помощью схемы уровней энергии, изображенной на рис. 2. Левая часть схемы (а) относится к красителю с электронным типом проводимости. Поглощение кванта света Лv переводит молекулярный центр кристаллической решетки на синглетный возбужденный уровень Г, с которого часть молекул возвращается на исходный уровень в результате дезактивации. Но часть молекул отщепляет от себя электрон путем перехода его на энергетически более низкий уровень триплетной зоны проводимости, обозначенный на рисунке 2 Г. Этот переход (рис. 2, стрелка 1) аналогичен переходу на триплетный уровень, совершающемуся в изолированной молекуле и приводящему к появлению фосфоресценции. Из той зоны он сразу спускается на сравнительно глубокие уровни прилипания, обеспечиваемые соседними молекулами (стрелка 2). Таким образом, после первичного светового воздействия проводимость осуществляется термической активацией переходов с уровней прилипания в зону проводимости (стрелка 3). Глубина уровней захвата, расположенных ниже дна зоны проводимости, определенная из температурной зависимости скорости затухания темновой проводимости после выключения света и скорости нарастания фотопроводимости, оценивается в 1.0 эв (1.1 эв для родамина Б, 0.76 эв для фуксина [19]). Из температурной зависимости предельного значения насыщения фотопроводимости Вартанян получил для ряда красителей несколько меньшие значения 0.4—0.7 эв.  [c.324]


    В результате захвата свободных электронов на центры прилипания и их последующего высвобождения в зону проводимости постоянная времени фотоотклика при прерывистом освещении может намного превысить истинное время жизни фотоносителей. Поэтому отождествить время фотоотклика с временем жизни не всегда представляется возможным. [c.237]


Смотреть страницы где упоминается термин Центры захвата прилипания : [c.91]   
Введение в физическую химию кристаллофосфоров (1971) -- [ c.21 , c.63 , c.97 , c.110 , c.176 , c.219 , c.223 ]




ПОИСК





Смотрите так же термины и статьи:

Захват

Прилипание

Центры захвата



© 2024 chem21.info Реклама на сайте