Поглощение свободными носителями

Поглощение свободными носителями заряда. Это поглощение происходит за счет изменения полной энергии носителей в пределах одной и той же зоны. Оно имеет место в широком интервале частот падающего света, начиная с очень небольших значений частоты. Поглощение свободными носителями не связано с изменением их концентрации и потому не может привести к существенному изменению удельной проводимости данного полупроводника. Коэффициент поглощения в данном случае обратно пропорционален квадрату частоты падающего на кристалл света. Поэтому при больших частотах, когда происходит образование электроннодырочных пар, поглощение свободными носителями невелико и практически не оказывает влияния на величину квантового выхода р. [c.151]

Поглощение излучения в чистых полупроводниках может быть связано с изменением энергетического состояния свободных или связанных электронов. В связи с этим в чистых полупроводниках различают три основных типа поглощения 1) поглощение свободными носителями — поглощение, возникающее вследствие ускорения свободных носителей осциллирующим электромагнитным полем 2) собственное (фундаментальное) поглощение — поглощение, обусловленное возбуждением электронов из валентной зоны в зону проводимости (фундаментальное или собственное поглощение) 3) экситонное поглощение (поглощение, обусловленное возбуждением электронов из валентной зоны) в связанные состояния электрона с дыркой — экситоны. [c.415]

Поглощение свободными носителями [c.415]

Поглощение свободными носителями в полупроводниках широко использовали для изучения времени релаксации и определе- [c.416]

Поглощение, обусловленное несовершенствами, может в принципе наблюдаться (и в действительности наблюдается) при любых длинах волн, превосходящих край основной полосы. Однако в инфракрасной области спектра наблюдают еще и характеристическое поглощение, определяемое химическими связями, например типа Si—О или Si—С, в кремнии, содержащем кислород или углерод, а также поглощение на колебаниях решетки и так называемое поглощение свободными носителями, обусловленное переходами носителей между соседними состояниями в пределах зоны проводимости или валентной зоны. Наблюдаются также различные переходы свободных носителей заряда. Рассмотренные выше явления в микрообъектах представляют лишь незначительную часть всех известных размерных эффектов. Более полное представление об исследованных размерных эффектах читатель может получить из монографий и обзоров [2, 3, 7—9]. [c.503]

Найдено, что поглощение свободными носителями, инжектированными в германий через р — /t-переход при комнатной температуре, пропорционально концентрации носителей. [c.128]

Приведены данные об инфракрасном поглощении свободными носителями, инжектированными в германии, при температурах 82, 201 и 302° К. [c.144]

Поглощение свободными носителями а полупроводниках. [c.196]

Инфракрасное поглощение свободными носителями, созданными в полупроводниках фотоэлектрическим методом, [c.216]

Оптическое поглощение свободными носителями и влияние свободных носителей на коэффициент отражения в инфракрасной области спектра в применении к исследованию свойств поверхности полупроводников. [c.245]

Инфракрасный спектр поглощения свободных носителей в кремнии, возникающих в результате фотоэффекта. [c.290]

Измерялись спектры отражения в пределах длин волн, позволяющих получить информацию о статическом состоянии решетки и об электронах проводимости, спектры пропускания — в интервалах, охватывающих край собственного поглощения и поглощение свободными носителями. [c.26]

Наконец, поглощение свободными носителями тока обусловлено возбуждением электронов (или дырок) при их переходе от дна зоны проводимости (или потолка валентной зоны) на более высокие (или более низкие) состояния в той же зоне. Величина поглощения пропорциональна концентрации носителей и поэтому может быть использована для определения последней. В то же время поглощение свободными носителями дает информацию, касающуюся таких свойств, как зонная структура, эффективная масса носителей тока и особенно процессы рассеяния. [c.175]

Для изготовления элементов более предпочтительны монокристаллы, так как в поликристаллах вследствие большой длины светового луча могут быть значительные потери энергии из-за рассеяния, особенно в области коротких воли. Монокристаллы полупроводниковых веществ должны иметь малую I он-центрацию носителей (поглощение свободными носителями пропорционально и может быть весьма большим для длинных воли) и, по возможности, обладат ) электронной проводимостью, так как в этом случае поглощение значительно меньше, чем в кристаллах с дырочной ироводимостью. [c.136]

Полупроводники, как правило,— ковалентные кристаллы с некоторой степенью ионной связи. Хотя степень ионной связи обычно незначительна, она все л е обеспечивает появление полос поглопдения и избирательного отражения, связанных с колебаниями решетки. За краем основной полосы поглощ енжя в полупроводниках наблюдается неселективное поглощение свободными носителями. Поэтому прозрачность полупроводников сильно зависит от электрофизических свогтств полупроводниковых материалов. [c.11]

Поглощение кристалла кремния, легированного бором и фосфором, изучено Ангрессом и сотр. (1965). Два примесных элемента были необходимы для того, чтобы избежать поглощения свободным носителем, которое замаскировало бы все эффекты, связанные с решеткой. Спектры, полученные при различных концентрациях примесных центров, показаны на рис. 8.28. [c.258]