ионная степень пересыщения

На примере получения кристаллов хромата свинца и фторида кальция найдено, что средний размер кристаллов монотонно уменьшается с возрастанием начальной степени пересыщения, определяемой произведением активностей собственных ионов осадка при этом в присутствии посторонних электролитов средний размер кристаллов практически линейно возрастает с увеличением ионной силы раствора. Для осадков гидроокисей кальция, бария и железа найдены условия получения, обеспечивающие уменьшение их удельного сопротивления. [c.208]

Р. Меры по уменьшению тумана. Склонность к возникновению и распространению тумана можно уменьшить следующими методами обеспечивать низкие степени пересыщения отсутствие пыли, выноса капель и ионов поддерживать перегрев (например, нагревом 117]) поддерживать малыми температурные напоры поддерживать высокой температуру поверхности конденсата обеспечивать малую толщину парогазовой пленкн, дающую небольшое время диффузии (образование тумана занимает время) увеличение турбулентности может, однако, уменьшать критическое пересыщение обеспечивать отсутствие вторичных веществ, которые уменьшают данление пара па капли или поверхностное натяжение предупреждать запотевание, если туман может возникнуть, для исключения уноса конденсата газом или паром, [c.363]

При высокой степени пересыщения образуется большое число зародышей новой фазы. В результате вещество выделяется в виде большого числа мелких частиц, т. е. обладает сильно развитой общей поверхностью, характерной для коллоидных систем. Если среда не способствует стабилизации мелких частиц, то наиболее мелкие из них (так как характеризуются большей растворимостью, чем крупные) растворяются с образова нием пересыщенного по отношению к крупным кристаллам раствора. В результате последние будут расти за счет растворения мелких кристаллов. Подобный процесс укрупнения осадка часто наблюдается в разных системах. Если же высокодисперсное состояние частиц стабилизируется, например, путем адсорбции на поверхности их соответствующих ионов или образованием на них более или менее прочно связываемой гидратной (сольватной) оболочки, то коллоидная система может сохраняться во времени и укрупнение частиц происходит достаточно медленно. Следует подчеркнуть, что коллоидное состояние такой системы не зависит от аморфной или кристаллической структуры самих частиц. [c.21]

Например, если смешать равные объемы 1 М раствора и 1 М раствора 3 , результирующие концентрации каждого из этих ионов в момент смешения будут равны 0,5 моль/л, что приблизительно в 10 раз превышает концентрации данных ионов в насыщенном растворе РЬ8. Образуются зародыши кристалликов РЬ8 роль таких зародышей могут играть также случайно присутствующие в растворе частицы, например пыль, или специально вводимые в раствор частицы, называемые затравками . Скорость образования зародышей кристаллизации приблизительно пропорциональна степени пересыщения раствора. Если вначале в растворе присутствовали лишь отдельные зародыши или затравки , они могут вырасти до больших размеров по мере того, как растворенное вещество будет выводиться из раствора. При наличии в растворе большого числа зародышей кристаллизации, каждый из них в процессе образования насыщенного раствора вырастает лишь до сравнительно малых размеров. [c.280]

Конденсация паров—наиболее распространенный способ образования аэрозолей Пар высокой концентрации, находящийся в воздухе или инертном газе, охлаждается при разбавлении его хо лодным воздухом или быстром расширении до тех пор, пока не станет пересыщенным и не начнет конденсироваться, образуя аэрозоль из жидких или твердых частиц Примером образования кон денсационных аэрозолей ожет служить возникновение облаков при подъеме теплого влажного воздуха в холодные верхние слои атмосферы В лаборатории получают конденсационные аэрозоли путем возгонки многих неорганических и органических веществ В большинстве случаев процесс, приводящий к пересыщению, например, смешение холодного и теплого воздуха в атмосфере или расширение и охлаждение газообразных продуктов горения, происходит одновременно с конденсацией, и степень пересыщения в различных точках системы в любой момент неодинакова Пар может конденсироваться на стенках сосуда, на частицах пыли иаи атмосферных ядрах конденсации, на ионах, содержащихся в паре или нейтральном газе, на полярных молекулах, например серной кислоты, а при очень большом пересыщении — на молекулах или молекулярных агрегатах самого пара Для конденсации на каждом типе этих ядер требуется различная степень пересыщения -х [c.16]

Скорость разложения фосфата серной кислотой в присутствии раствора разбавления — фосфорной кислоты, как и при производстве суперфосфата, зависит не только от активности ионов водорода, но и от степени пересыщения жидкой фазы продуктом реакции— сульфатом кальция. Общий вид зависимости степени разложения фосфата за определенное время (изохрона) от концентрации серной кислоты в смеси так же как и на рис. 217 изображается кривой, имеющей два максимума и один минимум между ними. Так как скорость взаимодействия между фосфатом и серной кислотой велика, то можно предположить, что начальная действую- [c.100]

Очевидно, что мономерный кремнезем будет осаждаться из. пересыщенного раствора на твердую поверхность со скоростью, которая возрастает с повышением степени пересыщения. Так как реакция конденсации катализируется гидроксил-ионами, то осаждение всегда происходит при pH>8 и ускоряется с возрастанием pH. Присутствие электролита, такого, как хлорид натрия, несомненно, также будет влиять на процесс осаждения. По мере растворения электролита (по отмеченным выше причинам) скорость осаждения будет возрастать. [c.121]

Марш [32] проследил за исчезновением мономера при pH 8, когда относительно высокая концентрация гидроксил-ионов способствует быстрому протеканию процесса растворение—осаждение. Он заметил, что имел место индукционный период, как если бы происходило формирование зародышей. Такой период длился от 1 мин при концентрации мономера 0,0697 % до 1000 мин при 0,0359 %. Подобный факт, вероятно, указывает, что критическое значение степени пересыщения может быть по-ряда 5—10. Это согласуется с рассчитанной выше величиной Я. [c.297]

Лишь один тип нестабильности не встречается в данной системе, а именно процесс кристаллизации. Как отмечал Уолтон [43], чем выше степень пересыщения, тем меньше размер критического зародыша кристаллизации. Такой зародыш может быть настолько малым по размеру, что не соответствует какой-либо отдельной кристаллической фазе. Эта твердая фаза формируется затем структурно неупорядоченно. Когда кристаллизуются простые соединения, имеется возможность быстрой перестройки ионов, или молекул в системе для того, чтобы удовлетворить требованиям минимума энергии. В случае же кремнезема энергетическое различие между аморфным и кристаллическим состояниями системы слишком мало. Более того, для разрыва силоксановых связей в системе и ее перестройки требуется высокое значение энергии активации. Поэтому не обнаруживалось никаких кристаллических форм в золях или гелях кремнезема даже после 25 лет старения ири комнатной температуре. [c.437]

Стадия III. По мере перехода ионов в раствор содержание их становится достаточным для роста зародышей кристаллов. Первоначально рост отмечается при пересыщении раствора относительно гидроксида кальция, происходящего вблизи поверхности зерен. Вследствие того, что перенос диоксида кремния через поверхностный слой частиц затруднен, образуются слаборазвитые кристаллы С—S—Н. Рост кристаллов Са(ОН)г, определяющийся степенью пересыщения жидкой фазы ионами Са +, начинается в конце стадии II и продолжается на стадии III. [c.176]

Фольмер [492] рассматривает химическую реакцию как процесс, в котором скорость определяется числом зародышей, образующихся в секунду на единицу объема. Это число зародышей можно вычислить относительно точно при различных степенях пересыщения. Показателем скорости образования зародышей является -потенциал, который служит для ее вычисления. Все факторы, которые понижают величину е, действуют каталитически на химическую реакцию. С этой точки зрения Фольмер пробовал разделить катализ на гомогенный и гетерогенный. Согласно этой теории ионы уменьшают поверхностное натяжение, а это способствует образованию зародышей в паровой фазе в гетерогенном катализе на образование зародышей влияют стенки сосуда, образование зародышей происходит быстрее при малых углах между капельками и стенкой. [c.180]

В табл. 2.1 приведены отрицательные десятичные логарифмы (твердая фаза) вместе с исходными условиями для каждого эксперимента. При ионной силе 0,16 М и введении соответствующего значения fi = 0,76 рПР изменяется на 5,8 единицы. Это указывает на важность точности коэффициентов активности при оценке степени пересыщения. [c.21]

Возможно несколько механизмов ингибирования кристаллизации добавочными ионами. Образование ионной пары часто обусловливает снижение степени пересыщения раствора, если концентрация добавочного иона достаточно большая для образования устойчивого комплекса с одним из осаждающихся ионов. Фосфат- и глицерофосфат-ионы образуют с ионами кальция ионные пары умеренной устойчивости, тогда как ион магния дает в растворе довольно слабые комплексы с карбонат- и бикарбонат-ионами. Для расчета степени образования ионных пар могут быть использованы литературные данные о константах устойчивости. В табл. 3.4 приведены константы скорости реакций, протекающих в изучаемых систсмах. Результаты вычислений (табл. 3.5) показывают, что в пересыщенных растворах, содержащих глицерофосфат или фосфат (ЫО М), в фосфорсодержащую ионную пару связано менее 1% общего растворенного кальция. Поэтому этот механизм действия фосфорсодержащих соединений на скорость роста кристаллов кальцита можно в расчет не принимать. [c.39]

Степень пересыщения зависит прежде всего от концентрации открываемого иона и возрастает с увеличением последней. Следовательно, для получения хороших кристаллов целесообразно вести осаждение из сравнительно разбавленных растворов. Кроме того, пересыщение будет, при прочих равных условиях, тем меньшим, чем больше растворимость образующегося соединения. Поэтому нередко оказывается полезным несколько увеличить растворимость образующегося вещества, прибавляя какой-либо подходящий реактив. Хотя мы и уменьшим этим чувствительность реакции, зато улучшим условия кристаллизации. Медленный рост кристаллов обычно лучше всего обеспечивается в тех случаях, когда одно из реагирующих веществ взято в твердом внде. При этом, по мере растворения вешества и медленной диффузии его в более отдаленные части капли, успевают вырасти хорошо образованные кристаллы, особенно с краев капли. [c.19]

Степень пересыщения зависит, очевидно, не только от концентрации ионов выпадающего в осадок соединения, но и от его растворимости. Чем больше растворимость, тем меньше должна быть степень пересыщения при прочих равных условиях. Поэтому при осаждении кристаллических осадков выгодно, чтобы во время этой операции растворимость осадка была тем или иным способом повышена. Конечно, при окончании осаждения необходимо эту повышенную растворимость, прибавлением избытка осадителя или каким-либо другим способом, снова понизить, иначе осаждение не будет достаточно полным. [c.105]

Степень пересыщения раствора зависит прежде всего от концентрации открываемого иона и возрастает с увеличением последней. Следовательно, для получения хороших кристаллов целесообразно вести осаждение из сравнительно разбавленных растворов. Кроме того, пересыщение будет, очевидно, тем меньшим, чем больше растворимость образующегося соединения. Нередко оказывается полезным несколько увеличивать растворимость, прибавляя какой-либо подходящий реактив. Хотя чувствительность реакции при этом и понизится, зато улучшатся условия кристаллизации. Медленнее всего кристаллы растут тогда, когда одно из реагирующих веществ применено в твердом виде. По мере растворения вещества и постепенной диффузии его в более отдаленные части капли успевают вырасти хорошо образованные кристаллы, особенно по краям капли. Точно так же, если приходится употреблять оба вещества в виде растворов, целесообразно не просто смешивать их, а поместив капли растворов рядом, соединить их между собой кусочком волокна или стеклянной нити, чтобы растворенные вещества могли медленно диффундировать из одной капли в другую. [c.63]

Осаждение аморфных осадков. Четвертый вид роста кристаллов — образование аморфного осадка — имеет большое значение при очень высоких степенях пересыщения. Высокой степени пересыщения трудно избежать, если приходится работать с веществами, имеющими чрезвычайно низкое произведение растворимости. Эта форма осадка отчасти зависит от скоростей агрегации и ориентации [50]. У ряда солей, когда степень пересыщения достаточно высока, агрегаты ионов могут быстро объединяться, образуя случайные скопления, а затем приобретают устойчивость за счет перестройки в правильную кристаллическую решетку. Если скорость ориентации ниже скорости агрегации, то образуется аморфный осадок. Примером могут служить гидратированные окислы металлов. [c.170]

Другое важное условие — поддерживание в жидкой фазе некоторой избыточной концентрации ионов ЗО "", в присутствии которых уменьшается абсолютное пересыщение и, следовательно, снижается степень пересыщения раствора, что способствует образованию более крупных кристаллов. Для различных фосфатов и схем экстракции оптимальную концентрацию 804 в жидкой фазе устанавливают экспериментально, обычно в пределах 0,8—4,5% (в пересчете на 50з). Чем больше содержание полуторных окислов в фосфатном сырье, тем выше должна быть концентрация 80 . [c.291]

В среде, свободной от присутствия пыли или капель жидкости и не содержащей ионов газа, образование тумана может происходить лишь при высокой степени пересыщения присутствие центров конденсации (частицы твердого или жидкого вещества) или ионов газа снижает значение критической степени пересыщения, приближая его к единице. Критическое пересыщение снижается при повышении температуры. [c.455]

Интенсивность выпадения гипса в осадок зависит от степени пересыщения им пластовой воды С/Снас. При этом фактическая концентрация гипса С равна концентрации того иона (03= +, 80 —), который присутствует в меньщем количестве. Равновесная концентрация раствора (насыщенного) Сна с определяется коэффициентом активности сульфата кальция Ки и концентрацией избыточного иона Сиэб - [c.232]

Морфология образующихся частиц зависит от целого ряда факторов, но наиболее важным является соотношение скоростей их зарожд ения и роста, которые в свою очередь в значительной степени зависят от пересыщения системы. Окончательный размер частиц определяется числом центров кристаллизации и скоростью осаждения вещества. Умеренно растворимые вещества, например карбонаты, обычно осаждаются в виде очень мелких частиц. При медленном, регулируемом росте умеренно растворимых солей можно получать монодисиерсные осадки. При высоких степенях пересыщения первичный критический центр кристаллизации может быть меньше размера элементарной ячейки решетки и начинает расти, не имея упорядоченной кристаллической структуры. Таким путем можно получать аморфные или частично кристаллизованные осадки [И]. При низких степенях пересыщения образуется хорошо сформированный кристаллический осадок, причем форма частиц зависит от структуры кристалла и от процессов, преобладающих на поверхности раздела фаз в ходе роста. На морфологию осадка сильно влияет скорость роста кристаллов. При низких скоростях образуются компактные кристаллы, форма которых соответствует кристаллической структуре. Ионы в растворе вблизи поверхности раздела кристалл — жидкость играют важную роль в модификации формы кристалла. При высоких степенях пересыщения нередко образуются объемистые осадки с дендритными частицами. При еще больших уровнях пересыщения получаются очень мелкие частицы, способные к агломерации или образованию золей. [c.19]

Agi 3 10" г/л). При этих условиях достигается значительная (в несколько порядков) степень пересыщения при малой концентрации кристаллизирующегося вещества. В результате образуются мельчайшие кристаллы Agi коллоидной степени дисперсности. В зависимости от того, излишек какого исходного раствора будет взят при смешении, в образовавшемся коллоидном растворе Agi окажется избыток ионов Ag или I". В первом случае частицы адсорбируют HOHHAg и соответственно приобретают положительный заряд во втором случае они приобретают отрицательный заряд. Таким образом можно управлять процессом заряжения коллоидных частиц. [c.387]

Причиной возникновения зародышей кристаллов в растворах является флуктуация концентраций, в результате чего образуются дозародыши кристаллов, представляющие собой скопления молекул или ионов растворенного вещества. Дозародыши могут быстро образовываться под действием теплового движения молекул раствора. В случае столкновения друг с другом такие скопления либо распадаются, либо укрупняются. Когда при укрупнении размер дозародышей достигает некоторой критической величины, образуются зародыши кристаллов. Начиная с некоторого критического размера г р, составляющего 0,5-5 нм, начинается быстрый рост зародышей и образование большого числа кристаллов различного размера. Чем меньше критический размер кристалла г р, тем больше должна быть степень пересыщения раствора. Эта закономерность выражается следующим уравнением [c.296]

Когда, чтобы получить гидратированный гель, смешивают растворы алюмината и полисиликата, эти анионы, несомненно, вступают в реакцию полимеризации. Полученный в результате гель является аморфным и находится в предельно простом состоянии. Состав и структура такого геля определяются размером и структурой полимеризующ,ихся частиц. Поскольку силикаты могут отличаться и по химическому составу и молекулярновесовому распределению, структура гелей также может быть различной. Следовательно, процесс гелеобразования регулирует процесс образования ядер кристаллизации цеолитов. Это положение в обш,ем подтверждается данными о размерах и морфологии кристаллов цеолитов, выращ,енных из гелей. Полученные кристаллы очень малы (несколько микрон), однородны и часто имеют совершенную форму. Большая степень пересыщения ионами, содержащимися в геле, должна привести к быстрому гетерогенному ядрообразованию и возникновению большого числа центров кристаллизации. Причем образование ядер происходит после индукционного периода (рис. 4.7). [c.349]

Стадия инкубационного (скрытого) зародышеобразопапия-кристаллизующейся фазы происходит при наличии определенной степени пересыщения исходного раствора. Центрами образопания новой фазы преимущественно япляются частицы примесей, загрязняющих воду. Инициирующим механизмом образопания зародьппсй служит адсорбц11я молекул или ионов кристаллизующегося пещестпа на поверхности частиц. [c.175]

Для объяснения механиз действия модификаторов с поз ций кинетики фазовых переход необходимо учитывать не толь абсолютную концентрацию 2 ионов, но и изменение степени пересыщения в формующейся н ти, обусловленное изменившейся скоростью диффузии компонент осадительной ванны. В ряде работ путем электронноскопическ исследований [151], сопоставления констант нестойкости ком лексных соединений модификаторов с различными катиона [c.224]

Рассмотрим для примера состояние пересыщенного пара. Если в нем отсутствуют какие-нибудь частицы, которые могли бы служить центрами конденсации, то пар можно довести до значительной степени пересыщения без конденсации. Это происходит потому, что очень маленькая капелька жидкости, которая могла бы возникнуть, обладала бы большим давлением насыщенного пара, чем давление насыщенного пара над плоской поверхностью. При незначительном пересыщении пар не был бы насыщенным по отношению к этой капле и последняя стала бы в нем испаряться, а не расти. Если же в паре присутствуют частички пыли, то они могут служить центрами конденсации, и пар будет конденсироваться на их поверхности при меньшей степени пересыщения, различной в зависимости от размеров, формы и материал этих частиц. (Центрами конден-сйции могут служить также те или другие ионы). При отсутствии готовых цен-гров выделения новой фазы степень пересыщения может достигать весьма больших значений. Например, в облаках вода может оставаться в жидком состоянии до температур на 20—40 °С ниже О С. [c.354]

Одним из таких условий является нарушение гидратной оболочки ионов. Отмечено (в частности О. Я. Самойловым), что центрами кристаллизации могут быть достаточно большие ионы, обладающие отрицательной гцдратацией. Согласно Л. Д. Кисловскому [63], клатрат-ные водные структуры, стабилизированные гексааквакомплексами кальция и являющиеся большими метастя-бильными ионами, могут служить центрами кристаллизации. Зародыш новой фазы возникает скачком. Его размер должен превышать критический (во избежание обратного растворения). Чем выше степень пересыщения раствора, тем меньшими могут быть размеры зародышей. Однако эта проблема нуждается в дальнейшем изучении [64, с. 3—17]. Скорость роста зародыша зависит от степени пересыщения раствора, природы кристаллизующегося вещества, подвижности ионов. При гетерогенной кристаллизации процесс сильно осложняется [c.59]

Образование кристаллов является и физическим, и химическим процессом. Обычно физический процесс заключается в образовании центра кристаллизации и в росте кристалла. Формирование центра кристаллизации происходит вследствие образования в пересыщенном растворе мельчайших частичек осадка (зародышей), которые способны к самостоятельному росту. Рост кристалла заключается в осаждении ионов из раствора на поверхности твердых частиц, которые уже сформировались из зародышей. Как правило, число и размер частиц, оо- ставляющих осадок, определяются числО М зародышей, о бразовавших-ся на стадии появления центров кристаллизации. В свою очередь, число зародышей определяется, по-видимому, двумя факторами степенью пересыщения в (непосредственном окружении того места, где происходит образование центров кристаллизации, и числом и эффективностью мест, в которых могут образоваться зародыши кристаллов. [c.212]

Экспериментальные условия, принятые в этом исследовании, были аналогичны условиям обработки сточной воды, при которой может протекать реакция фосфатного замещения. Ликиа и Стамм [53] установили, что фаза фосфата кальция может дать центр кристаллизации на субстрате карбоната кальция. Как следует из материала, обсужденного ранее, такая фаза образуется при гораздо более высоких степенях пересыщения растворов фосфата кальция, чем те, которые использованы в данном исследовании. Действительно, Фергюсон и Мак Карти [7] показали, что заметное ингибирование роста кристаллов карбоната кальция могло сопровождаться образованием фазы фосфата кальция в растворе, сильно пересыщенном относительно как карбоната, так и фосфата кальция. В ходе самопроизволь-иого осаждения карбоната кальция из сильно пересыщенных растворов сложного состава [54, 56] ингибирование образования кальцита может наступить после того, как в растворе образовались стабильные центры кристаллизации. Например, тот факт, что ион магния не влияет на скорость роста кристаллов арагонита [56], позволяет сделать заключение, что кристаллическое строение самопроизвольно осаждающегося карбоната кальция может быть отрегулировано скоростью роста кристалла, установившейся после образования центров кристаллизации. Одкако в наших экспериментах по росту затравочного кристалла магнийсодержащая фаза на поверхности затравочных кристаллов кальцита не образовывалась даже тогда, когда ион магния мог заместить ион кальция в решетке кальцита с незначительным кристаллографическим искажением. Растворы, содержащие высокие концентрации иона магния, были пересыщенными по отношению к термодинамически устойчивому смешанному карбонату (доломиту), но даже в этих растворах концентрация иона магния оставалась практически неизменной в течение всей реакции кристаллизации. Такое наблюдение подтверждает механизм ингибирования, в основе которого лежит поверхностная адсорбция, что иллюстрируется изотермой адсорбции Ленгмюра. Это также согласуется с данными Берке-ра [56], который обнаружил включение ионов магния в растущие затравочные кристаллы кальцита только после длительного периода кристаллизации (10—50 ч) из сильно пересыщенных растворов (например, 0,50 М Na2 Oз-f 0,50 М СаСЬ). [c.44]

Употребление в качестве осадителя свободной кислоты возможно здесь потому, что осадок BaS04, как трудно растворимая соль сильной кислоты, практически нерастворим в кислотах. В 20 (стр. 80) указывалось, однако, что растворимость его под влиянием ионов Н" все же несколько возрастает. Как известно, подобное повышение растворимости осадка при осаждении кристаллических осадков выгодно, так как в результате уменьшается степень пересыщения раствора относительно осаждаемого соединения и последнее выпадает в виде более крупных кристаллов. [c.172]

Продолжительность индукционного периода изменяется в зависимости от методики выполнения эксперимента и от химической природы образующегося твердого вещества. Изучение данных Ла Мера и Дайнгара [13] позволяет сделать вывод, что при гомогенной генерации сульфат-ионов в присутствии иона бария из образующегося раствора с определенной степенью пересыщения осадок не выделяется в течение значительно большего периода времени, чем из такого же раствора, но приготовленного путем непосредственного смешивания реактивов. Используя метод гомогенного осаждения, Ла Мер и Дайнгар пришли к заключению, что осаждение происходит только при некоторой определенной степени пересыщения [c.161]

Следует различать гомогенное (или спонтанное) образование центров кристаллизации и гетерогенное (или индуцированное). При гомогенной нуклеации в пересыщенном растворе образуется группа ионов или молекул, размер центра которой равен необходимому для кристаллизации в данных условиях. При гетерогенной нуклеации образованию критического скопления способствует другая фаза (например, частица пыли). В аналитических реакциях осаждения гомогенная нуклеация если и встречается, то очень редко, и происходит лишь в случае, если степень пересыщения до стигает большого значения. К сожалению, основная часть гипотез относящихся к трактовке механизма нуклеации, имеет в виду го могенный процесс те же гипотезы, которые относятся к гетероген ному процессу, развиваются с трудом. Согласно Оствальду [21] пересыщенный раствор может быть метастабильным иначе говоря он может остаться в гомогенном состоянии бесконечно долго, до тех пор, пока в него не введут подходящую затравку с центрами кристаллизации. При пересыщении выше определенной величины (предел метастабильности) раствор рассматривался как лабиль- [c.163]

Превращение центров кристаллизации в более крупные частицы происходит, в основном, за счет диффузии вещества к поверхности и последующего осаждения. Если бы скорость диффузии в растворе была лимитирующей стадией, то скорость роста кристаллов (за исключением тех случаев, когда имеет место высокая степень пересыщения), была бы выше, чем обычно наблюдается. Марк [33], тщательно исследовавший процесс роста кристаллов, показал, что в большинстве случаев этот процесс второго порядка, а не первого, как это соответствует диффузионному механизму. По достижении некоторой определенной скорости перемешивания, скорость роста кристаллов становится независимой от скорости перемешивания. Рост кристаллов часто задерживается или совсем подавляется вследствие адсорбции на них красителей, тогда как на скорость растворения они не оказывают заметного влияния. Это указывает, что какой-то другой фактор, а не диффузия, решающим образом определяет скорость роста кристаллов, особенно в случае мелких частиц, для которых характерно наивысшее значение диффузионного потока. Скорость потери молекул растворителя сольва-тированными ионами ряда металлов намного меньше, чем скорость диффузии [34], и высвобождение растворителя может стать фактором, контролирующим скорость роста. При завершении роста кристаллов диффузия, которая, безусловно, всегда играет какую-то роль, может оказаться определяющим фактором [35. Если в растворе присутствуют посторонние вещества, индукционный период, скорость роста кристаллов и даже форма кристаллов могут измениться. Например, добавление желатина при осаждении сульфата бария значительно удлиняет индукционный период и снижает скорость роста кристаллов. Дейвис и Нанколлас [36] обнаружили, что многие органические вещества, например бензоат калия, даже при низких концентрациях уменьшают скорость перекристаллизации хлорида серебра. Эозин может вообще предотвратить рост кристаллов. [c.168]

Самый процесс конденсации зависит от ряда факторов. Прежде всего — от степени пересыщения пара, т. е. от отношения его упругости к J пpyro ти насыщенного пара при этой температуре. Чем выше степень пересыщения, тем легче происходит конденсация. Однако ход процесса конденсации определяется не только степенью пересыщения. Второе необходимое условие — наличие центров или ядер конденсации, роль которых могут играть мельчайшие твердые или жидкие частицы, даже газовые ионы. В воздухе, лишенном пылинок и газовых ионов, водяной пар не конденсируется даже при 8—10-кратном пересыщении (см. гл. 1У). [c.149]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология