Эффекты поглощение свободными носителями

Поглощение, обусловленное несовершенствами, может в принципе наблюдаться (и в действительности наблюдается) при любых длинах волн, превосходящих край основной полосы. Однако в инфракрасной области спектра наблюдают еще и характеристическое поглощение, определяемое химическими связями, например типа Si—О или Si—С, в кремнии, содержащем кислород или углерод, а также поглощение на колебаниях решетки и так называемое поглощение свободными носителями, обусловленное переходами носителей между соседними состояниями в пределах зоны проводимости или валентной зоны. Наблюдаются также различные переходы свободных носителей заряда. Рассмотренные выше явления в микрообъектах представляют лишь незначительную часть всех известных размерных эффектов. Более полное представление об исследованных размерных эффектах читатель может получить из монографий и обзоров [2, 3, 7—9]. [c.503]

Ионизационные эффекты проявляются в виде переходных явлений, связанных с образованием электронно-ионных пар. Возрастание числа свободных электронов и ионизированных атомов изменяет электрические характеристики материала. Так как свободные носители зарядов имеют высокую подвижность, эффекты, вызванные ионизацией, быстро исчезают после прекращения облучения. Если носители захватываются на глубокие энергетические уровни данного материала, их плотность возрастает с ростом поглощенной дозы излучения и возникает долговременный эффект такого воздействия. [c.178]

Поглощение кристалла кремния, легированного бором и фосфором, изучено Ангрессом и сотр. (1965). Два примесных элемента были необходимы для того, чтобы избежать поглощения свободным носителем, которое замаскировало бы все эффекты, связанные с решеткой. Спектры, полученные при различных концентрациях примесных центров, показаны на рис. 8.28. [c.258]

В фотонных детекторах поглощенные кванты излучения (фотоны) увеличивают число свободных носителей электрического заряда, изменяя электрическое состояние чувствительного элемента. При использовании эффекта фотопроводимости поглощенное ИК-излучение изменяет электропроводность чувствительного элемента. В рамках фотовольтаического эффекта, поглощенное излучение создает электронно-дырочные пары вблизи р-п перехода, генерируя электрический ток. В меньшей степени в детекторах ИК-излучения используют фотоэлектромаг-нитный эффект. [c.211]

Электромодуляция оптических констант (т. е. диэлектрической постоянной) полупроводника возникает, вообще говоря, вследствие влияния электрического поля как на поверхностную концентрацию свободных носителей (так называемое плазменное ЭО (74, 75]), так и на расположение энергетических уровней в зонной структуре (эффект Франца—Келдыша [76, 77]). (В кристаллах с малой ковцентрадией свободных электронов и дырок плазменное ЭО вносит относительно малый вклад в общий эффект, а основную роль играет эффект Франца—Келдыша. Этот эффект заключается в своеобразном размытии в электрическом поле порогов поглощения различного типа в электронном спектре поглощения полупроводника. Вид этих порогов и характер размытия их в однородном электрическом поле показан в таблице [78] вместе с теоретическими электромодуляционными спектрами действительной и мнимой частей диэлектрической постоянной Де (о), Е) и А"8(со, Е)-, рассчитанными для германия по [79]. Мы не будем приводить здесь соответствующие формулы и расчеты подробное описание теории и экспериментальных результатов содержится в книге [65]. [c.132]

Высокая чувствительность метода электромодулирован--ного МНПВО, продемонстрированная в [31], привлекла внимание исследователей, и в последующие годы появилось несколько работ, в которых ставилась та же цель, что и в [31] — изучение этим методом поверхностных состояний и свободных носителей в поверхностном слое пространственного заряда. В большинстве этих работ исследовалась граница полупроводник — газ, и мы не будем их здесь рассматривать. Граница германий — раствор КС1 была исследована в [123—125]. Основное внимание в этих работах было уделено плазменному ЭП в германии. Теоретическое рассмотрение этого эффекта в [125] проведено на основе не пленочной модели, как в [74, 75], а модели, в которой все поглощение в германии, включая и слой пространственного заряда, описы--вается законом Ламберта [c.151]

Фотопроводимость на СВЧ была обнаружена у большого числа исследованных красителей различных классов — трифенилметановых, ксантеновых, цианиновых, норфиновых и др. наблюдалась как при модулированном, так и при постоянном освещении. Следует отметить, что применяемая в установке автоматическая подстройка частоты клистрона в случае постоянного освещения полностью исключает проявление фотодиэлектрического эффекта, и регистрируемый сигнал обязан свободным носителям фототока. Фотопроводимость на СВЧ наблюдалась не только на синтетических органических красителях, но и на природных пигментах зеленого листа. При этом специфические возможности техники СВЧ позволили наблюдать фотопроводимость пигментов не только для случаев, когда они выделены в виде микрокристаллических порошков, но также для пигментов, экстрагированных совместно с липоидами, и даже непосредственно в зеленом листе. В последнем случае перед помещением свежего зеленого листа в резонатор требовалось некоторое высушивание его для уменьшения поглощения мощности СВЧ водой. Да наблюдалась для [c.304]

Характер фотопроводимости монополярный. Фотоэдс определяется как диффузией (Дембер-эффект), так и дрейфом носителей в поле приповерхностного заряда, создающего у освещаемой поверхности полупроводника антизапорный изгиб зон [8—121. Для коротковолновой области, где коэффициент поглощения большой, возникает большой градиент концентрации свободных носителей и диффузия носителей в глубь слоя преобладает над дрейфом их в поле приповерхностного заряда. В случае слабо поглощаемого света, когда распределение генерированных носителей тока почти равномерно по глубине слоя, диффузией свободных носителей можно пренебречь, а направление движения носителей тока будет определяться полем приповерхностного заряда, и если изгиб зон антизапорный, то носители будут двигаться не в глубь слоя, а в сторону освещаемой поверхности. [c.310]

В некоторых случаях реакции сшивания полимеров могут сопровождаться другими интересными эффектами, и специальным исследованием можно определить, какие из них связаны с данным объектом. Остер и сотр. [127] недавно сообщили, что в очищенном саране (сополимер из 85% винил-иденхлорида и 15% винилхлорида) поперечное сшивание под действием излучения с Я = 2537 А происходит с образованием сопутствующих свободных радикалов, центров, поглощающих УФ-излучение, фотопроводящих заряженных носителей и флуоресцирующих и фосфоресцирующих частиц. Последующее облучение в ближнем ультрафиолете увеличивает фотопроводимость полимера, приводит к появлению новой полосы в спектре ЭПР и увеличению поглощения ниже 240 и выше 390 ммк. При этом одновременно уменьшается появившееся вначале поглощение при 285 ммк. Нагревание до 100° С образца, облученного далекими ультрафиолетом, приводит к росту [c.318]

Значительный сдвиг спектра поглощения в сторону длинных волн свидетельствует о сильном взаимном возмущении компонентов межмолекулярного взаимодействия РЬз Н и ЗОа, которое естественно объяснить близостью их энергий возбуждения, как это следует из близкого расположения их спектров поглощения (рис. 2). Однако существенным условием для подобного значительного спектрального сдвига (батохромного эффекта) является, кроме того, образование межмолекулярной связи между участниками, которая в рассматриваемом здесь случае осуществляется, по-видимому, через посредство свободной пары электронов у атома > N—, к которой присоединяется ЗОз как акцептор электронов [21]. Носителем желтой окраски является электронная система ЗОз- Действительно, такую же окраску дает амиламин в ЗО2 [20] между тем сомнительно, чтобы такое предельное соединение могло быть носителем цветности. Кроме того, известно, что присоединение электронного акцептора (например, Н+ или А1С1з) к свободной паре электронов ароматических аминов (анилин, нафтиламин) [c.189]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология