Обозначение кристаллографических плоскостей

Кристаллографическая плоскость-символ, буквенное обозначение [c.88]

В пьезоэлектрических материалах диполи в основном ориентированы по нормали к базовой кристаллографической плоскости. Пьезоэлектрики анизотропны, т.е. их электрические, механические и электромеханические свойства по-разному проявляются при электрическом или механическом преобразовании вдоль соответствующих осей. Для обозначения направлений векторов и тензоров принято использовать численные [c.444]

К моноклинной сингонии относятся пространственные группы трех кристаллографических классов с осями второго порядка, с плоскостями симметрии и с осями и перпендикулярными им плоскостями. В первых двух группах за обозначением решетки Бравэ следует обозначение оси или плоскости, в третьей в соответствии с уже сказанным —обозначения оси и плоскости, разделенные косой чертой. Примеры пространственных групп Р2, Р2, С2, Рт, Рс, Сс, Р2/т, Р2 с, С2/т, С2/с (см. рис. 18). Заметим, что при переходе от У-установки к 2-уста-новке символы некоторых групп моноклинной сингонии меняют свой вид. Те же группы при 2-установке имели бы символы Р2, Р2и В2, Рт, РЬ, ВЬ,Р2/т,Р21(Ь,В2/т,. В2/Ь. [c.43]

Рис. 9.6. Параметры кристаллографических ячеек (а) и системы плоскостей кристаллической решетки целлюлозы в проекции на плоскость аЬ ячейки (б). В скобках приведены принятые в кристаллографии обозначения плоскостей

Материал Кристаллографические индексы плоскости отражения Торговое обозначение [c.171]

Рис. 5. Спектральная чувствительность фотоэмиссии и спектры поглощения кристаллов антрацена и нафтацена. Кристаллографическая ось обозначена буквой Ь кривые, обозначенные 1 оси Ь , были получены при использовании света, плоскость поляризации которого совпадает с плоскостью (001).

В литературе описаны различные схемы вывода возможных кристаллографических видов симметрии и образуемых последними правильных групп точек, а, следовательно, правильных многогранников. Общеприняты две системы обозначений видов симметрии по Шенфлису и по 1Т, которые используются одновременно. По Шенфлису циклический вид симметрии, имеющий только одну ось симметрии, обозначается С. При наличии горизонтальной плоскости симметрии добавляется индекс Л, при наличии вертикальной - индекс V. Если помимо одной поворотной оси имеются и другие элементы симметрии, вводится обозначение О. При наличии поворотных и инверсионных осей - D (в данном случае их пять), при наличии горизонтальной плоскости симметрии - Д-/,. Объемноцентрированная двукратнопримитивная структура обозначается /. Икосаэдрическая структура с горизонтальной плоскостью симметрии - //,. [c.127]

Если рассматривать точку в кристалле, то на возможную симметрию относительно этой точки будут накладываться ограничения, ибо необходимо, чтобы кристалл состоял из регулярно повторяющихся единиц во всех трех направлениях и чтобы окружение каледой единицы было идентичным. Можно показать, что для выполнения этих требований в кристалле не должно быть осей с порядком выше шести и, кроме того, исключаются оси пятого порядка. Это, разумеется, не означает, что молекулы, имеющие ось пятого порядка, не могут образовать кристалл, а сводится лишь к утверждению, что окружающие молекулы не могут быть связаны осью пятого порядка. Если вместо бесконечного числа осей вращения останутся только оси с я = 1, 2, 3, 4 и 6, то, как это можно показать, существуют только тридцать два способа комбинации элементов симметрии, которые известны как тридцать две кристаллографические точечные группы. Список этих тридцати двух точечных групп приведен в табл. 1.1, в обозначениях как Шёнфлиса, так и Германа — Могена. В таблице даны примеры молекул, относящихся к наиболее часто встречающимся точечным группам. В описаниях точечных групп по Герману — Могену дается минимальное количество элементов симметрии, которое однозначно задает полную симметрию. Прежде всего записывается порядок главной поворотной или инверсионной оси п или п. Если перпендикулярно к главной оси проходит ось второго порядка, то таких осей второго порядка должно быть п это записывают как п2 или п2. Если через главную ось проходит плоскость отражения, таких плоскостей также должно быть и запись производится в виде пт или пт. Если имеется плоскость отражения, проходящая перпендикулярно к главной оси, [c.25]

В кристаллографической литературе существует больщой разнобой в обозначении элементов симметрии. Плоскость симметрии в большинстве случаев обозначается Р или Е (Ebene), особые плоскости, как, например, перпендикулярные главной поворотной оси (например, оси 6-го порядка в шестигранной призме) иногда обозначаются тт. Поворотные оси п-то порядка обозначаются L , (гира), и т. п. Центр инверсии —z, Сит. п. В наиболее принятых обозначениях элементы симметрии шестигранной [c.37]

В тех случаях, когда в материалах происходят физико-химические превращения, приводящие к резким изменениям свойств, теплофизические Характеристики даны дополнительно при характерных температурах. Для анизотропных материалов указаны направления измерения относительно главных кристаллографических осей. Если направление измерения ие указано, то материал изотропный или значения свойств приведены в базисной плоскости. В отличие от-истинных усред--неиые характеристики обозначены чертой над символом (Ср, а, Я) для них указаны температурные пределы измерения. Средний коэффициент теплового расширения, как правило, определен в интервале температур от Т до 293К для этих случаев интервал усреднения в таблицах опущен. Метод измерения свойств указан под условным шифром соответственно принятым обозначениям. [c.4]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология