Орбиталь расщепление

Таким образом, в поле иона Р значение А невелико, поэтому число непарных электронов на орбиталях расщепленных уровней Со + [c.120]

Заполнение /г, - и й-орбиталей расщепленного -подуровня происходит в соответствии с принципом минимума энергии и принципом Паули. Заполнение -подуровня в согласии с нра- [c.203]

Строение молекулы азота рассмотрим с точки зрения метода молекулярных орбиталей. Атом азота имеет семь электронов, размещенных на пяти уровнях (орбиталях), а его молекула N2 располагает десятью орбиталями для четырнадцати электронов. Если на каждой молекулярной орбитали поместить пару электронов, то будет занято семь орбиталей. Расщепление уровней приводит к появлению связывающей и разрыхляющей орбитали. Поэтому те атомные орбитали, на которых у каждого атома по паре электронов, дадут две занятые молекулярные орбитали 15 и 25 электроны находятся и на связывающих и на разрыхляющих орбиталях. В итоге эти молекулярные орбитали компенсируют друг друга. Можно сказать, что электроны на орбиталях 15 и 25 не принимают участия в связях. [c.174]

Таким образом, в поле ионов Г значение Д невелико. Поэтому число непарных электронов на орбиталях расщепленных уровней Со такое же, как и в свободном ионе (рис. 214). Но в сильном поле, создаваемом молекулами КНз, энергия расщепления ббльшая, и энергети- [c.554]

Расщепление d-орбиталей и магнитные свойства. Существует два принципа, определяющих заполнение электронами d-орбиталей, расщепленных на dg- и dy-подуровни. [c.233]

Рис. 13.35. а — изображение п->-я - и п- п - переходов в сопряженном соединении б — межмолекулярное возбуждение переход электрона с ВЗМО донора (Д) на НВМО акцептора (А) с возникновением полосы переноса заряда (ПЗ) в — переход электрона с Гг -орбитали атома переходного элемента на -орбиталь. Расщепление вырожденных -уровней вызвано влиянием поля лигандов с октаэдрической симметрией соответствующий переход [c.386]

Следовательно, из диаграммы молекулярных орбиталей видно, что уровни и отвечают главным образом орбиталям атома металла и расщепляются (качественно) так, как это должно происходить от чисто электростатического воздействия в теории кристаллического поля. Отличие заключается лишь в том, что в теории молекулярных орбиталей -орбиталь не является чистой -орбиталью атома металла. Кроме того, в теории кристаллического поля расщепление возникает только от электростатического воздействия и требований симметрии, в то время как в теории молекулярных орбиталей расщепление происходит от ковалентного связывания и требований симметрии. [c.427]

Окраска комплексных соединений переходных металлов является следствием электронных........ между неэквивалентными орбиталями, расщепленными в кристаллическом поле лигандов. [c.116]

Таким образом, в поле иона Р" значение А невелико, поэтому число непарных электронов на орбиталях расщепленных уровней такое же, как и в свободном ионе (рис. 210). Но в сильном поле, создаваемом молекулами H3N, энергия расщепления большая, и энергетически более выгодно, когда d-электроны иона Со " располагаются только на нижних d-орбиталях. [c.508]

Сумма энергий электронов, находящихся на различных орбиталях, определяет полную энергию иона. Для иона, находящегося в октаэдрическом положении и обладающего т электронами на 12 -орбиталях и п электронами на Се-орбиталях, расщепление кристаллического поля приводит к понижению полной энергии на величину [c.534]

Учет л-связей. До сих пор мы пре небрегали я-связью, хотя данные, приведенные в табл. 7-10, наводят на мысль о необходимости ее учета с позиций теории молекулярных орбиталей. зй Орбитали металла имеют ту же симметрию, что и я-молекулярные орбитали лиганда. Следовательно, /гя ОРбитали, которые ранее называли несвязы Бающими, в действительности мо гут принимать участие в обра зовании я-связи. "Метод построения молекулярных орбиталей с участием я-орбиталей лигандов во многом сходен с методом построения молекулярных а-орбиталей. з -Орбитали расщепляются на связывающие и разрыхляющие,как показано на рис. 7-6. Снижение энергии для ая Связывающих орбиталей увеличивает разность в энергии между I2 - и незатронутой разрыхляющей ор биталью. Это увеличивает величину ООд А), и, следовательно, мы можем сказать, что лиганд, способный образовать я-связи, более сильный по сравнению с тем, который не может их образо аать. Согласно теории молекулярных орбиталей, увеличение раз ности в энергиях между и е -орбиталями, обусловленное а-связью, ответственно за спаривание электронов и образование низкоспиновых комплексов. В теории кристаллического поля это приписывается увеличению электростатического поля лиганда, а согласно теории молекулярных орбиталей, расщепление обусловлено увеличением ковалентности связи, а не увеличением электро татического поля. [c.270]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология