Комплексы низкоспиновые

Высокоспиновые комплексы Низкоспиновые комплексы [c.103]

Высокоспиновый комплекс — Низкоспиновый комплекс — [c.177]

И08 оа У о 0 Высокоспиновые комплексы Низкоспиновые комплексы [c.131]

Образование дативных связей обычно проявляется в увеличении инертности комплекса, а у переходных катионов — в принудительном спаривании их -электронов с соответственным уменьшением магнитного момента комплекса (низкоспиновые комплексы). [c.63]

В изолированном ионе металла пять d-орбиталей пятикратно вырожденны, и числа неспаренных электронов, приведенные выше в средней строке, соответствуют такому их распределению по d-орбиталям, когда выполняется правило Гунда, т. е. имеется максимальное число неспаренных электорнов. Напротив, распределение электронов, представленное выше в нижней строке, имеет минимальное число неспаренных электронов. Первые состояния называют высокоспиновыми, а вторые — низкоспиновыми. Все плоские квадратные комплексы — низкоспиновые, а все правильные тетраэдрические комплексы — высокоспиновые. У невернеровских комплексов симметрия низкая, и их не всегда можно разделить на эти два типа, но можно считать, что все комплексы с высокой симметрией низкоспиновые. [c.228]

Высокоспиновые комплексы Низкоспиновые комплексы d Вы сокоспиновые комплексы Низкоспиновые комплексы [c.373]

Интегралы электронного отталкивания для ионов переходные металлов второго и третьего рядов намного меньше, чем интегралы для ионов первого ряда, поэтому большинство их комплексов низкоспиновые даже для случая, когда лиганды — галогенид-ионы. [c.268]

Подавляющее большинство плоских квадратных комплексов представляет собой комплексы низкоспиновых -ионов переходных металлов. Последовательность МО, если рассматривать только а-связанные лиганды, должна выглядеть как [c.298]

Комплексы металлов с d -конфигурацией также имеют квадратно-пирамидальную структуру, облегчая присоединение шестого лиганда с образованием октаэдрических продуктов [115]. Однако комплексы d -металлов будут противодействовать присоединению нуклеофила. Таким образом, плоский квадратный комплекс (низкоспиновый d ) будет легко присоединять пятый лиганд, но не шестой. [c.360]

Теперь необходимо понять, почему электроны в таких системах распределяются по -орбитам различным образом. Прежде всего нужно признать, что распределение электронов определяется двумя факторами. Во-первых, в соответствии с правилом Хунда электроны стремятся остаться неспаренными. Чтобы заставить электроны спариться, требуется энергия, достаточная для преодоления сил отталкивания двух электронов, занимающих одну и ту же орбиту. Во-вторых, в кристаллическом поле -электроны стремятся занять орбиты с низкими значениями энергии и, таким образом, избежать, насколько возможно, отталкивающего действия лигандов. Если устойчивость, достигнутая таким образом (А), достаточно велика, чтобы преодолеть потерю устойчивости при спаривании электронов, последние соединятся и в результате получится комплекс низкоспинового типа. Когда расщепление кристалли- [c.54]

Можно привести также много примеров стабильных пяти- и шестикоординационных комплексов низкоспиновых Р(1(11), Pt(II) и Аи(ПГ) все эти комплексы можно подразделить на два типа [c.70]

Однако для -, -, -электронных конфигураций возможен выбор между двумя способами размещения. Они отличаются тем, что в первом случае низший t2g-ypoвeнь заселяется настолько полно, насколько это допускает общее число электронов. Во втором варианте определяющим служит требование наибольшего числа неспаренных электронов. Ясно, что выбор между этими двумя возможностями заполнения электронной оболочки центрального иона будет в основном зависеть от величины расщепления t2g- и ед-уров-ней, т. е. от параметра 100<7. Если эта величина большая, как для лигандов, находящихся в правой части спектрохимического ряда, то центральный ион сформирует электронную оболочку с наибольшим числом электронов на нижнем t2g-ypoвнe. Этот вариант соответствует сильному электростатическому полю лигандов, сами лиганды, создающие такое поле, называют лигандами сильного поля, а комплексы — низкоспиновыми. [c.180]

Ре(СН)в]з- [Со(ЫНз в1 + №РГ Минимальное число неспаренных электронов Комплекс внедрения Ковалент- ный комплекс Внутрен- ний комплекс Низкоспиновый комплекс, или комплекс сильного поля [c.84]

Образуется внутриорбитальный комплекс низкоспиновый, немагг нитный, так как содержит только спаренные электронные спины. Метод валентных связей (МВС) является наглядным методом, однако он не может дать качественной характеристики оптических свойств и прочности комплексов. Наиболее эффективными в этом отношении являются ТКП и ММО. [c.380]

Стрелками отмечена характеристика комплекса низкоспиновые, высокоспиновые. 1 , Кислородные соединения типя шпинели требуют особого рассмотрения [410]. [c.283]

Ион Со(III) имеет электронную конфигурацию d и в низкоспиновом состоянии диамагнитен. Хорошо известно, что октаэдрические комплексы низкоспиновых с -ионов металлов относительно стабильны, т. е. кинетически устойчивы по отношению к диссоциации связи металл — лиганд. Как было обсуждено ранее (см. разд. 1.1, Д), кинетическая устойчивость является существенным фактором при выделении а-металлоорганических комплексов, и с этой точки зрения не удивительно, что известен значительный ряд стабильных комплексов состава [( N)5 oRP. [c.315]

Ir(IV) представлен 1г02(Н20), осаждающейся при нейтрализации бикарбонатом натрия кислых растворов, содержащих (в качестве окислителя) бромат, и комплексами IrXe (X=F, l, Вг). Несмотря на то что Ir(IV) является -системой, эти комплексы низкоспиновые и, подобно катионным и нейтральным комплексам Ir(III) (но в отличие от его анионных комплексов), они кинетически инертны. Низкоспиновое состояние сообщает октаэдрическим комплексам иридия с аминами заметную стабилизацию в поле лигандов. [c.324]

Общая и неорганическая химия Изд.3 (1998) -- [ c.555 ]

Химическая связь (0) -- [ c.267 ]

Химия (2001) -- [ c.337 ]

Химия справочное руководство (1975) -- [ c.127 ]

Общая химия ( издание 3 ) (1979) -- [ c.285 ]

Справочник полимеров Издание 3 (1966) -- [ c.326 ]

Физические методы в неорганической химии (1967) -- [ c.95 ]

Неорганическая химия (1969) -- [ c.112 , c.118 ]

Общая и неорганическая химия (1981) -- [ c.508 ]

Химическая связь (1980) -- [ c.267 ]

Теоретические основы общей химии (1978) -- [ c.198 , c.201 ]

Химия Справочник (2000) -- [ c.177 ]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология