Сильное поле

У никеля (II) плоскоквадратное строение имеет диамагнитный ион М1(СК)4) ", что также объясняется высоким значением Д, создаваемым на этот р.чз лигандом сильного поля СМ . [c.611]

Какой из указанных ниже ионов следует в первую очередь отнести к лигандам сильного поля [c.598]

При одном и том же центральном ионе и одинаковой конфигурации комплексов значение А тем больше, чем сильнее поле, создаваемое лигандами. По способности вызвать расщепление -уровня лиганды можно расположить в следующий ряд СО, N > N0 > КНз> > 0Н2> 0Н-> р-> СГ> Вг"> I. Этот ряд, называемый [c.507]

Поскольку ионы СЫ создают сильное поле (значение Д велико), квадратное строение имеет также ион КЧ(СН)4 (конфигурация N1 [c.519]

Хунда) при этом центральный ион сохраняет высокое значение спина, так что образуется высокоспиновый парамагнитный комплекс. В случае же сильного поля (высокое значение энергии расщепления) энергетически более выгодным будет размещение максимального числа электронов на -орбиталях при этом создается н и 3 к о с п и н о в ы й диамагнитный комплекс. [c.597]

Для Со (П), как и для других атомов и ионов с конфигурацией й , с лиганда ли сильного поля типа N более характерны димерные комплексы со связью металл—металл [c.601]

Эта модель неприменима для малых значений г, так как она основана на представлении о поляризуемости молекулы как- проводящей сферы. Целый ряд затруднений возникает из-за того, что поляризуемость а, которая характерна для не слишком сильных полей, может сильно меняться в полях вблизи ионов. [c.446]

Потому что 1) лиганд создает сильное поле, и шесть -электронов заполняют три орбитали de-подуровня 2) лиганд создав слабое иоле, и все орбитали заполняются в соответствии с правилом Хунда 3) центральный ион содержит нечетное число электронов, [c.212]

Для некоторых систем. можно определить знак константы взаимодействия. используя метод ЯМР, поскольку спин, направленный вдоль поля, вызывает сдвиг в слабое поле, а спин, направленный против поля, вызывает сдвиг в сильное поле. [c.38]

Мп" (с1 У. 1 неспаренный электрон в сильном поле, 5 в слабом [c.549]

Ре"-" О неспаренных электронов в сильном поле, 4 в слабом [c.549]

Далее следует показать, как гермы, возникающие в сильном поле. [c.82]

Все состояния слабого поля коррелируют с состояниями одной и той же симметрии и одинаковой мультиплетности в сильном поле. [c.82]

Если исходить из конфигурации в бесконечно сильном поле, мы приходим к состоянию A. В конфигурацию 1 также входит состояние Только если связи проведены так, как показано на рисунке, можно избежать пересечения. То же самое справедливо для Поскольку в слабом поле имеется только одно состояние Лз, зта корреляция проста. И наконец, только такая корреляция не приводит к пересечениям состояний одинаковой симметрии и мультиплетности, входящих в конфигурации (2е и 2. [c.82]

Как уже говорилось ранее, если под действием локального окружения симметрия комплекса снижается от или 7 , в спектре появляются дополнительные линии. Это, в частности, можно видеть при сравнении спектров Со(ННз)в и Со(ЫНз)5С1 . Как следует из диаграммы Танабе— Сугано (приложение IV), для -комплекса сильного поля разре-щены по спину переходы -> поэтому полосы от- [c.109]

Сильное Бесконечно поле сильное поле [c.83]

N1", Мп" (слабое поле). Со " (сильное поле) и Сг образуют ряд октаэдрических комплексов, спектры которых позволяют точно рассчитать 0с1 и 3 без значительных осложнений, создаваемых спин-орби-гальным взаимодействием п ян-теллеровскими искажениями. В комплексах Т " влияние этих эффектов невелико. В тетраэдрических комплексах величина расщепления под действием спин-орбитальных взаимодействий в больщей степени сближается с величиной расщепления пол действием кристаллического поля Од, расщепление в тетраэдрическом поле составляет около 4/90д). В результате спин-орбиталь-ное взаимодействие дает заметный вклад в энергии наблюдаемых полос. В работе [14] описана процедура расчета Од и р для тетраэдрического комплекса Со". При.мер такого расчета дан в приложении V. [c.96]

Мы показали, что магнитные свойства и окраска комплексов переходных металлов зависят от природы лигандов и металла, которая влияет на энергию расщепления кристаллическим полем, А . Тем самым получен ответ на два вопроса из числа поставленных в начале данного раздела. Можно также объяснить необычную устойчивость 3 - и -конфигураций в комплексах с лигандами сильного поля. Эти конфигурации соответствуют полузаполненному и полностью заполненному Г2 ,-уровням. Они обладают повышенной устойчивостью при большом расщеплении уровней по той же причине, по которой устойчивы конфигурации 3 и 3 °, когда все пять -орбиталей имеют одинаковую энергию. Устойчивость 3 - и -конфигураций более заметна в комплексах с лигандами слабого поля, где расщепление кристаллическим полем невелико. [c.237]

Б) сильное поле, первый ряд переходных металлов [c.140]

Почему сигнал протона ЫН лежит в сильном поле, тогда как сигнал протонов группы СНз сдвинут в слабое поле [c.164]

Н определяет сдвиг этого протона и приводит к отрицательной А (т.е. к сдвигу в сильное поле). Такая ситуация характерна, вероятно, для всех протонов N — Н, если азот непосредственно связан с никелем. [c.180]

Снят спектр ЯМР на ядрах водных растворов парамагнитных ионов. Сигнал О воды, входящей в координационную сферу парамагнитного иона, сдвинут в сильное поле по сравнению с сигналом некоординированной воды. Водный раствор, содержащий парамагнитные ионы Ву , дает только один О-сигнал. Водные растворы диамагнитного иона АР характеризуются двумя О-линиями. Рассмотрите диаграмму спектров. [c.200]

Деформационная поляризация Яд, наблюдаемая независимо от типа молекулы (полярная или неполярная), заключается в том, что иод действием электрического поля в молекуле наводится ди-иольный момент. Для не очень сильных полей можно считать, что наведенный (индуцированный) дипольный момент пропорционален напряженности электрического поля Е [c.156]

Если энергия межэлектронного отталкивания оказывается больше энергии расщеЖёния, то пять -орбиталей последовательно за-полняются С11а ала Т10 одному, а Затём "по второму электрону. Это случай с л а б о г о Т[Ъ л я. Т сЖ же энергия расщепления А превышает энергию межэлектронного отталкивания, то сначала полностью заполняются орбитали с меньшей энергией, а затем орбитали с большей энергией. Это случай сильного поля. [c.507]

Таким образом, в поле иона Р" значение А невелико, поэтому число непарных электронов на орбиталях расщепленных уровней такое же, как и в свободном ионе (рис. 210). Но в сильном поле, > оздаваемом молекулами HзN, энергия расщепления большая, и шергетически более выгодно, когда -электроны иона Со " располагаются только на нижних -орбиталях. [c.508]

Благодаря контактированию нефти с водой и с расстворенным в ней деэмульгатором достигается более полное удаление воды и солей. Крупные частицы воды выпадают из нефти по пути к электродам на них воздействует относительно слабое поле, создаваемое между нижним электродом и зеркалом воды. В зону сильного поля между электродами попадает нефть со сравнительно мелкими частицами воды, не успевшими выделиться из нефти и нуждающимися в воздействии электрического поля большой напряженности. [c.19]

Действительно, спектры ЯМР высокого разрешения протонов воды в дисперсиях а- и Ь -монтмориллонита [103] характеризуются сдвигом резонансного сигнала в сторону более сильного поля. Это указывает на то, что под влиянием поверхности часть водородных связей в воде граничных слоев толщиной й 7,5 нм (межчастичное расстояние —15 нм) разрушается. Приведенные результаты нашли независимое подтверждение при изучении ИК-спектров водных дисперсий Ыа-монт-мориллонитрила 20—110%-й влажности в области составной полосы (5200—4900 см ) деформационного и валентного асимметричного колебаний связей ОН (г-2 + з) [Ш]- В цитируемой работе было показано, что вклад высокочастотной составляющей 5200 СМ , относящейся к слабосвязанным молекулам воды, в интегральную интенсивность сложной полосы для дисперсий выше, чем для жидкой воды. ИК-спектры полимолекулярных адсорбционных слоев на поверхности кварца в области валентных ОН-колебаний [112] также обнаруживают увеличение поглощения при 3600 см , характерного для слабо нагруженных ОН-групп молекул воды, хотя основная полоса 3400 см сдвинута по сравнению с аналогичной полосой в спектре жидкой воды в сторону меньших частот. (Последнее, по-видимому, связано с образованием более прочных водородных связей между поверхностными гидроксильными группами кварца и адсорбированными молекулами воды первого слоя.) Таким образом, приведенные выше данные указывают на то, [c.39]

Установленная для реакций изопрена закономерность в более яркой форме проявляется в процессах с участием 2-зтил- и 2-изо-пропилбутадиенов. Как и для аддуктов (С407КЧ1)г с изопреном, анти- и син-1,2-дизамещенные аддукты с его гомологами характеризуются на основании небольшой разницы химических сдвигов протонов Нь и Нб (комплексы VHI—XI в табл. 7). Образование анги-комплексов начинается немедленно после смешения реагентов (рис. 7). син-.4ддукты в ощутимых концентрациях появляются при прочих равных условиях через более длительные промежутки времени, чем при реакциях с изопреном. Об их. присутствии свидетельствуют сигналы от протонов Нь- комплексов IX и XI, расположенные в более сильном поле при т6,71 и 6,67, для этильного и изопропильного аддуктов соответственно (см. рис. 7). Как видно из рисунка, процессы анги-син-изомеризации в этих случаях протекают с меньшими скоростями, и в реакционной системе длительное время присутствуют комплексы анги-структуры. [c.120]

По мере добавления к углеводородному растворителю веществ влектронодонорного типа в спектрах ПМР аддуктов наблюдается постепенное перемещение сигналов у-водородных атомов в сторону сильного поля. Спектр близкого к 1 1 аддукта бутадиена с трет-С40уи в эквимолекулярной смеси метилциклогексана и тетра-гидрофурана приведен на рис. 10,6. Сигналы при т6,32 и 6,60 относятся соответственно к син- и ангн-изомерам 1,4-продуктов при- [c.128]

Лиганды, расположенные в начале спектрохимиче-гкого ряда [лиганды сильного поля), вызывают значительное расщеплепие -подуровня. При этом энергия расщепления превышает энергию межэлектрон-ного отталкивания спаренных э [ектронов. Поэтому сначала заполняются е-орбитали — сперва одиночными, а затем спаренными электронами, после чего происходит заполнение у-орбиталей. [c.207]

Прн образовании же иона [Со(СН)б] - вследствие влияния лиганда сильного поля (ион СК ) энергия расщепления <<-под-уровия будет столь значительна, что превысит энергию межэлек-тронного отталкивания спаренных электронов. В этом случае энергетически наиболее выгодно размещение нсех шести -электронов на е-подуровне в соответстпин со схемой [c.207]

ПЛОТНОСТИ я-орбитали находится между атомами С и N. а не в направлении к атому металла. Гораздо сильнее взаимодействует с уровнем 2д металла разрыхляющая я -орбиталь (рис. 20-16,6). Однако в этом случае эффект обратен тому, который наблюдался для лиганда С1 . Электроны на Сзд-орбиталях металла получают возможность частично делокализоваться и переместиться на я -орбиталь лиганда. Такая делокализагшя стабилизирует 2д-орбиталь, т. е. понижает ее энергию. В результате возрастает энергия расщепления, Д . Этот эффект представляет собой я-взаимодействие металла с лигандом, или М - Ь-я-взаимодействие нередко его пазы вают еще дативным я-взаимодействием. Лиганды, повышающие расщепле ние уровней указанным образом (СО, СЫ , N0 ), пользуясь терминоло гией теории кристаллического поля, называют лигандами сильного поля Одноатомные лиганды с несколькими неподеленными парами электронов как, например, галогенидные ионы, являются лигандами слабого поля, по тому что они играют роль доноров электронов. Связанные группы атомов наподобие СО скорее относятся к лигандам сильного поля, потому что их связывающие я-орбитали сконцентрированы между парами атомов и удалены от металла, тогда как пустые разрыхляющие молекулярные орбитали простираются ближе к металлу. [c.237]

Обычно, когда проводигся исследование ионов переходных металлов, мы имеем дело не с индивидуальными ионами, а ионами, входящими в состав комплексов. Для определения влияния лигандов, входящих в комплексы ионов переходных металлов, на энергии -орбиталей пользуются двумя приближениями кристаллического поля. Электроны иона металла в комплексе отталкиваются друг от друга, отталкиваются они и от электронной плотности основания Льюиса (лиганда). Если отталкивание между электронами металла и электронной плотностью лигандов мало по сравнению с межэлектронным отталкиванием, применяют так называемое приближение слабого поля. Если лиганды — сильные основания Льюиса, отталкивание между электронами металла и электронами лигандов превыщает по величине межэлектронное отталкивание, в этом случае используется приближение сильного поля. [c.71]

На рис. 10.5 слева представлены свободноионные состояния и соответствующие состояния в слабом поле, а справа — соответствующие состояния в сильном поле. Конфигурации в бесконечно сильном поле показаны в крайней правой позиции. [c.82]

В спектрах октаэдрических комплексов Со с лигандами слабого поля (Dq/B = 0,7) наблюдаются три хорошо разрешенные полосы. Проведите каче-ствеппое отнесение этих полос, используя диаграммы Танабе — Сугано, и выпишите их в порядке снижения частот. Каким будет спектр октаэдрического комплекса Со с лигандами сильного поля [c.125]

Выделены два изомера o(NH3)4(S N)j. Как определить, в обоих ли изомерах группы S N связаны через атом серы Если в обоих изомерах координация осуществляется через серу, как установить, у какого из изомеров цис-конфигурация, у какого — транс-конфигурация (Вспомните, что в спектрохимическом ряду — S N и СР располагаются рядом, в то время как — N S создает более сильное поле o(NH3)4 l2 синтезировать легко.) [c.125]

В базис, предназначенный для расчета полной матрицы комплекса слабого поля, должны входить волновые функции, учитывающие элек-трон-электронное отталкивание в приближении кристаллического поля. Для комплекса сильного поля хорошим базисом будут действительные -орбитали. Таким образом, при нахождении наилучшего базиса большое значение имеют относительные величины факторов, влияющих на энергию -орбиталей. Приведем приблизительные величины некоторых эффектов. [c.139]

Остается ответить на вопрос почему сигналы протонов N —Н в ( HзNH2)йNi- сдвигаются при комплексообразовании в сильном поле Сигналы протонов метильной группы сдвигаются в слабое поле из-за прямой делокализации плотности неспаренного электрона. Большая часть плотности неспаренного электрона, делокализованной на лигапде, находится па азоте, а меньшая часть делокализована непосредственно на протоне N — Н. Поэтому значительная спин-поляризация связи N — [c.180]

В развитие [41. 42] этой идеи была исследована сольватация поли-(1-пиразолил) бората кобальта(П) анилином и пиридином. В этом комплексе д-тензор очень анизотропен д = 8,48, = 0,96). Линии сдвигаются в сильное поле, следовательно, предпочтительное направление подхода анилина и пиридина перпендикулярно оси симметрии комплекса. [c.190]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология