Рассеяние медленных электронов

Анализ колебательных спектров адсорбированных молекул является высокоэффективным методом изучения их структуры. К числу основных методик, применяемых в этой области, относятся спектроскопия характеристических потерь энергии электронами (СХПЭЭ) (рассеяние медленных электронов), ИК- и КР-спектроскопия (спектроскопия комбинационного рассеяния). [c.61]

Дифракция быстрых электронов Спектроскопия характеристических потерь энергии электронов Электронная Оже-спектроскопия Спектроскопия потенциала появления Дифракция медленных электронов Рассеяние медленных электронов Ионно-нейтрализационная спектроскопия Спектроскопия рассеянных медленных ионов [c.157]

Рассеяние медленных электронов [c.160]

При очень низких температурах, когда атомы примеси еще ве ионизированы, основную роль играет рассеяние на нейтральных примесях. Рассеяние носителей заряда на нейтральных атомах примеси можно приближенно рассматривать как рассеяние медленных электронов с массой /п на атоме водорода, погруженного в среду с диэлектрической постоянной %. Время релаксации для этого механизма [c.250]

Развитие метода медленных электронов в значительной мере было обусловлено развитием техники сверхвысокого вакуума, который необходим как для получения очень чистых металлических поверхностей, так и для устранения рассеяния медленных электронов молекулами остаточных газов. Поверхность очищают нагреванием до высоких температур и десорбцией в сверхвысоком вакууме, а иногда, кроме того, бомбардировкой атомами аргона. После получения дифракционной картины от чистой поверхности в камеру с образцом при определенной температуре можно вводить газ под малым давлением (10" —10 мм рт. ст.) и наблюдать вызванные адсорбцией изменения в дифракционном изображении. Таким образом исследуют определенные кристаллографические плоскости в решетках монокристаллов металлов или полупроводников. Различия в плотности заполнения атомами отдельных таких плоскостей, а также в симметрии расположения этих атомов обусловливают различное протекание адсорбции из газовой фазы и образование различных поверхностных структур. Для большинства исследованных к настоящему времени катализаторов доказано, что адсорбированные атомы локализуются упорядоченно в процессе образования монослоя атомы металла и адсорбированного газа располагаются в виде упорядоченной двухмерной решетки, напоминающей атомные плоскости в трехмерной решетке окислов, нитридов, гидридов и т. ц. Таким образом, при адсорбции происходит перестройка поверхности с участием адсорбированных атомов. Этот результат, полученный с помощью дифракции медленных электронов, представляет собой важное и даже сенсационное открытие и вынуждает нас к полному пересмотру представлений об элементарном механизме адсорбции. [c.140]

Основываясь на данных о рассеянии медленных электронов на атомах гелия, мы подсчитали псевдопотенциал для этих атомов [c.137]

Данные о рассеянии медленных электронов в этилене в зависимости от напряжения и угла рассеяния приведены на рис. 148, а также в табл. 68 и 69 для двух интервалов напряжений. [c.160]

Из рассеяния медленных электронов фтористым бором при 5-10 —3-10-3 мм найдено, что электронное сродство ВРз равно 6,1 эв [13]. Об энергии ионизации ВРд действием а-частиц см. [14], о критическом потенциале ВРд см. [15]. [c.412]

Из данных [30], приведенных на рис. 11.42, следует, что молекулу ацетилена можно рассматривать как цилиндрически симметричную и сфероидальную. Примерно к такому же выводу приводят аналогичные данные для этана, в то время как этилен ведет себя как плоская молекула. Из данных табл. 11.104 следует, что в рассеянии медленных электронов ацетиленом участвуют все атомы jHj, в то время как в рассеянии метаном и этиленом участвуют только атомы Н. [c.177]

В работах [50, 51] обсуждается интересная возможность исследования рассеяния медленных электронов на возбужденных атомах по уширению спектральных линий, поскольку оба процесса описываются одними и теми же матричными элементами матрицы рассеяния. [c.60]

Рамзауер в 1921 г. установил, что эффективное сечение-рассеяния электронов на атомах инертных газов (Аг, Кг, Хе) достигает особенно малых значений при энергиях электронов 0,7 эВ. Такую особенность рассеяния не могла объяснить классическая теория. Квантовая теория дает простое объяснение эффекта Рамзауера. Поле атомов инертных газов убывает значительно быстрее с расстоянием, чем поле какого-либо другого атома, поэтому в первом приближении это поле можно заменить сферической прямоугольной ямой и для вычисления сечения рассеяния медленных электронов использовать формулу [c.518]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология