Дифракция электронов быстрых

Согласно второй точке зрения, металлы, пассивные по определению 1, покрыты хемосорбционной пленкой, например, кислородной. Такой слой вытесняет адсорбированные молекулы НаО и уменьшает скорость анодного растворения, затрудняя гидратацию ионов металла. Другими словами-, адсорбированный кислород снижает плотность тока обмена (повышает анодное перенапряжение), соответствующую суммарной реакции М гё. Даже доли монослоя на поверхности обладают пассивирующим действием [16, 17]. Отсюда следует предположение, что на начальных этапах пассивации пленка не является диффузионно-барьерным слоем. Эту вторую точку зрения называют адсорбционной теорией пассивности. Вне всякого сомнения, образованием диффузионно-барьерной пленки объясняется пассивность многих металлов, пассивных по определению 2. Визуально наблюдаемая пленка сульфата свинца на свинце, погруженном в НаЗО , или пленка фторида железа на стали в растворе НР являются примерами защитных пленок, эффективно изолирующих металл от среды. Но на металлах, подчиняющихся определению 1, основанному на анодной поляризации, пленки обычно невидимы, а иногда настолько тонки (например, на хроме или нержавеющей стали), что не обнаруживаются методом дифракции быстрых электронов . Природа пассивности металлов и сплавов этой группы служит предметом споров и дискуссий вот уже 125 лет. Представление, что причиной пассивности всегда является пленка продуктов реакции, основано на результатах опытов по отделению и исследованию тонких оксидных пленок с пассивного железа путем его обработки в водном растворе К1 + или в ме-танольных растворах иода [18, 19]. Анализ электроно рамм пле- [c.80]

Если два трехмерных набора атомов в молекуле могут претерпевать взаимное превращение только путем свободного вращения вокруг связей, их называют конформациями-, в противном случае два набора атомов называют конфигурациями [135]. Конфигурациям соответствуют изомеры, которые можно разделить рассмотренными выше методами. Конформациям соответствуют конформеры, которые быстро превращаются друг в друга и не поддаются разделению. Вместо термина конфор-мер иногда пользуются терминами конформационный изомер и ротамер . Известно много методов определения конформаций [136], в том числе рентгеноструктурный анализ и дифракция электронов, ИК-, КР-, УФ-, ЯМР- [137] и микроволновая спек- [c.176]

В электронном микроскопе используются быстрые электроны с соответственно малыми длинами волн, что позволяет распространить измерения вплоть до 10—50 А. Порошок наносится в виде тонкого слоя на подложку из коллодия, и силуэты частиц получаются на экране при правильном фокусировании лучей магнитными и электрическими полями, служащими линзами. При калибровке прибора по реплике стандартной решетки в качестве объекта можно определять размер частиц с точностью до нескольких ангстрем. Число частиц, попадающих в поле луча, невелико, однако функцию их распределения удается определить и использовать для установления возрастания размера частиц в процессе старения, спекания и во время реакции [35]. При иной фокусировке электронного пучка, отраженного от пленки, получающиеся электронограммы дают представление о межатомных расстояниях в слоях, близких к поверхности, хотя для этой цели чаще используют дифракцию электронов на отражение [36]. [c.166]

Уравнение де Бройля показывает, что электроны, ускоренные прохождением через потенциал порядка сотен вольт, имеют длину волны около одного ангстрема, но такие очень медленные электроны рассеиваются и ядрами и орбитальными электронами, и вычислить для них различные атомные рассеивающие факторы оказалось невозможным. Быстрые электроны рассеиваются только ядрами, и для них можно определить атомные рассеивающие факторы. Поэтому в исследованиях с помощью дифракции электронов обычно используются электроны со скоростью 40 /се и с эффективной длиной волны около 0,06 А. [c.318]

В последние годы электронографический метод используется, особенно русскими авторами, для определения положений легких атомов в кристаллах, содержащих значительно более тяжелые атомы. Поскольку быстрые электроны рассеиваются ядрами, а не орбитальными электронами, атомы с большими атомными номерами не являются единственным фактором, определяющим положение, как это имеет место в случае дифракции рентгеновских лучей. В то время как отношение атомных рассеивающих способностей углерода и водорода для дифракции рентгеновских лучей составляет 15 1, для дифракции электронов оно [c.319]

Более ранние модели приборов [2] для измерения дифракции электронов электрическим методом не позволяли быстро получать дифракционную картину. Обычно приходилось вращать коллектор вокруг оси, перпендикулярной падающему лучу и проходящей [c.266]

Существует еще много других физических методов исследования структуры молекул. Теснейшим партнером ИК-спектроскопии является спектроскопия комбинационного рассеяния света (КР). Структурную информацию получают также из микроволновых (МВ) спектров. В последние годы быстро развивается фотоэлектронная спектроскопия (ФЭС), основанная на анализе электронов, выбитых из вещества под действием излучения. Спектроскопия электронного парамагнитного резонанса (ЭПР) в некотором смысле сходна с методом ЯМР, но основана на переориентации неспаренных электронов в молекуле. Помимо дифракции рентгеновских лучей используется дифракция электронов и нейтронов (электронография и нейтронография). Современные влектронные микроскопы позволяют увидеть> отдельные атомы. Каждый год появляются новые методы или модификации известных методов исследования структуры химических соединений. Наконец, в последние годы все шире применяются теоретические расчеты молекул методами квантовой химии. — Прим. перев. [c.27]

При изучении дифракции электронов в приборе нужно поддерживать весьма высокий вакуум поэтому установка соединена с вакуум-насосом большой производительности, непрерывно откачивающим вводимый в электронограф газ. Высокий вакуум необходим ввиду того, что электроны очень сильно тормозятся веществом. Это же обстоятельство делает необходимым использование быстрых электронов при изучении строения молекул. Медленные электроны с энергией порядка 100 эв будут полностью заторможены, если встретят на своем пути всего лишь 5—6 молекул вещества. [c.130]

Обычно работают с быстродвижущимися электронами, испускаемыми накаленным катодом и ускоренными потенциалом в 10 000—40 ООО в в глубоком вакууме. Через отверстие вводят ток паров вещества в перпендикулярном к пучку электронов направлении. Пары быстро удаляют при помощи насоса для сохранения вакуума. Дифрагированные электроны дают на фотографической пленке пятна, подобные полученным в случае рентгеновских лучей. Уравнения, при помощи которых можно использовать эти пятна для определения межатомных расстояний, аналогичны уравнениям, полученным в случае рентгеновских лучей (которые в свою очередь дифрагируют при прохождении через газ П. Дебай, 1915 г.). Вследствие того, что взаимодействие электронов с молекулами газа намного энергичнее взаимодействия рентгеновских лучей и фотографический эффект электронов значительно сильнее, продолжительность экспозиции при дифракции электронов равна доле секунды вместо нескольких часов в случае рентгеновских лучей (по этой причине дифракция рентгеновских лучей в газах не имеет практического применения). При помощи упомянутых уравнений определяется кривая, на которой появляются четкие максимумы дифракций. Затем вычисляют различные теоретические кривые для всех возможных структур молекулы и проверяют, совпадает ли хотя бы одна из этих кривых с экспериментальной кривой. [c.87]

ДБЭ — дифракция быстрых электронов ДМЭ — дифракция медленных электронов ОЭС — оже-электронная спектроскопия СПП — спектроскопия потенциала появления СХПЭ — спектроскопия хара-ктеристических потерь энергии СТИ — спектроскопия тормозного излучения ССЭД — спектроскопия стимулированной электронами десорбции ДЭРС — дифракция электронов в режиме сканирования. [c.223]

Дифракция отраженных быстрых электронов [c.46]

Электронография как метод изучения структуры кристаллов имеет след, особенности 1) взаимод. в-ва с электронами намного сильнее, чем с рентгеновскими лучами, поэтому дифракция происходит в тонких слоях в-ва толщиной 1-100 нм, 2) /з зависит от атомного номера слабее, чем /р, что позволяет проще определять положение легких атомов в присут. тяжелых 3) благодаря тому что длина волны обычно используемых быстрых электронов с энергией 50-100 кэВ составляет ок. 5-10 им, геом. интерпретация электронограмм существенно проще. Структурная электронография широко применяется для исследования тонкодисперсных объектов, а также для изучения разного рода текстур (глинистые минералы, пленки полупроводников и т. п.). Дифракция электронов низких энергий (10-300 эВ, X 0,1-0,4 нм)-эффективный метод исследования пов-стей кристаллов расположения атомов, характера их тепловых колебаний и т. д. Электронная микроскопия восстанавливает изображение объекта по дифракц. картине и позволяет изучать структуру кристаллов с разрешением 0,2-0,5 нм. [c.99]

Дифракция медленных электронов (ДМЭ) Дифракция отраженных быстрых электронов (ДОБЭ) [c.323]

АЭМ —наиболее важный метод наноанализа материалов. Он сочетает (рис. 10.2-11) просвечивающую (ПЭМ), отражательную электронную микроскопию (ОЭМ), дифракцию электронов (дифракцию прошедших быстрых электронов) для структурного анализа и элементный анализ при помощи рентгеновской эмиссионной спектроскопии и спектров энергетических потерь электронов (СПЭПЭ, спектроскопия характеристических потерь энергии прошедших электронов). [c.337]

Обычно для анализа таких фаз используют дифракцию быстрых прошедших электронов (часто называемую дифракцией электронов с выбранного участка или микродифракцией). Все в большей степени для этих целей используют рентгеновскую спектроскопию и спектроскопию характеристических потерь энергии, поскольку качественную информацию об элементном составе можно получить непосредственно, а не косвенным образом через структурные параметры, которые часто бьтают противоречивы. [c.338]

Структура состоит из цепей (рис. 2.73), соединенных между собой через атомы кислорода [159]. Каждый тетраэдр входит по крайней мере в одно из 5-членных колец каркаса. Высокая термостабильность морденита, вероятно, связана с большим числом энергетически стабильных 5-членных колец в его каркасе. Алюмосиликатный каркас морденита изображен на рис. 2.74. Для диффузии маленьких молекул в дегидратированном цеолите имеется двумерная система каналов, однако диффузия более крупных молекул может происходить только по системе параллельных одномерных каналов, которые, кроме того, могут блокироваться из-за нарушения кристаллической решетки или присутствия в них аморфного вещества или катионов. Дегидратированный морденит быстро адсорбирует такие газы, как азот и кислород, в то время как метан или этан адорбируются им медленно. Этот факт нельзя объяснить размерами каналов (диаметр которых равен 6,7 А). Поскольку большие каналы одномерны, то даже небольшого числа нарушений в них достаточно, чтобы ограничить адсорбционный процесс (рис. 2.75). Аналогичные результаты получены при изучении адсорбционных свойств гмелинита, у которого, как было показано методом дифракции электронов, большие каналы блокируются сдвигами кристаллической решетки. Однако в мордените подобные сдвиги не обнаружены [160]. [c.132]

Электронография основана на явлении дифракции электронов на ядрах атомов. Метод применяется для изучения структуры различных веществ в газообразном состоянии. Дифракционная картина взаимодействия быстрых электронов с неществом фиксируется на фотопластинке в виде электронограммы. Она состоит из центрального пятна, образованного неотклонивщимися электронами, и колец различной интенсивности, являющихся результатом действия рассеянных электронов. Характер колец и их интенсивность обусловлены строением исследуемого соединения. Расшифровка электронограмм путем использования определенных математических соотношений дает возможность установить геометрическую форму, расположение атомов, межъядерные расстояния и валентные углы несложных молекул. В случае сложных соединений применение электронографии затруднено. > [c.512]

Известно, что результаты целого ряда недавних исследований органических соединений методом дифракции быстрых электронов были ошибочными [1]. Как было показано позже, полученные результаты моншо было объяснить просто дифракцией от регулярно уложенных слоев парафинового воска, образующегося при дистилляции смазки запорного крана [2]. Таким образом, несмотря на то, что в качестве подложки при работе с быстрыми электронами обычно использовали целлюлоид, как это делал Г. П. Томсон в своих ранних работах, никому из исследователей не удалось получить дифракцию электронов от веществ этого класса (здесь мы опускаем дискуссию о хорошо известных диффузных кольцах целлюлоида). [c.16]

Дифракция рентгеновских лучей и электронов относится к числу наиболее широко используемых методов изучения структуры кристаллических твердых тел. Данные рентгеноструктурного аналиж порошков и монокристаллов приводятся во многих работах по цеолитам. В последнее время большее распространение получило изучение дифракции электронов. Структурные исследования цеолитов, выполи ненные в предыдушие десять лет, привели к пониманию того, что ИК-спектроскопия может давать информацию не только о ближнем порядке и характеристиках связи, но и о дальнем порядке в кристаллических твердых телах. Последнее связано со взаимодействиями в решетке и электростатическими и другими эффектами. Все это характеризует ИК-спектроскопию как очень быстрый и эффективный метод исследования структуры. [c.104]

В углероде (саже), полученном в пламени, всегда содержится около 1 вес.% водорода. Исходя из атомных весов и этой пропорции можно получить эмпирическую формулу образующегося вещества СвН. Из электронной микроскопии следует, что исследуемый углерод состоит из множества почти сферических частиц разного размера, часто соединенных друг с другом в цепочки подобно жемчужинам в ожерелье. Диаметр частиц изменяется от 100 до 2000 А, но наибольшее число частиц имеет диаметр в интервале 100—500 А. Маленькие частицы получены в светящемся, некоптящем пламени (т. е. при более высоких температурах), тогда как самые большие получаются в сильно коптящем пламени (низкие температуры) [21]. Рентгеновский анализ показал, что каждая частица состоит из множества (примерно 10 ) кристаллитов. Из данных по дифракции электронов следует, что каждый кристаллит в свою очередь состоит из 5—10 моноатомных слоев углерода (аналогичных базисным плоскостям идеальной решетки графита). Каждый слой состоит из 100 углеродных атомов и имеет 20—30 А по плоскости. Плоскости, хотя и параллельные друг другу и находящиеся на одинаковом расстоянии друг от друга, имеют турбостратическую структуру [22, 23], так что они беспорядочно сдвинуты одна относительно другой. Межплоскостное расстояние (3,44 А) значительно больше, чем для идеального графита (3,35 А). Основываясь на этих данных о структуре частиц дисперсного углерода, можно рассчитать, что в среднем каждая сферическая частица содержит 105—1Q6 атомов углерода. Основной проблемой в изучении этого вопроса является механизм, по которому сравнительно простая молекула углеводорода, содержащая небольшое количество атомов углерода, так быстро превращается в такой огромный агрегат. [c.269]

При достаточно совершенной кристаллической структуре объекта на электронограмме будут присутствовать не только точки (результат упругого рассеяния и дифракции электронов от точечного источника), но и дополнительная сложная картина светлых и темных поле (результат дифракции электронов пучка, претерпевших неупругое рассеяние в объеме объекта при малых потерях энергии. Интенсивность рассеяния электронов максимальна в направлении падающего пучка и с увеличением угла рассеяния а резко уменьшается. Пусть где-то внутри кристалла находится источник диффузно рассеянных электронов. В направлении ti и 2 рассеянные электроны встречают плоскости HKL кристалла, от которых отражаются в соответствии с законом Вульфа— Брегга. В связи с тем, что интенсивность диффузно рассеянных электронов, в направлении ai меньше, чем в направлении 2 (поскольку а <Са2), интенсивность отраженных лучей А/г>A/i. Следовательно, добавление к интенсивности фона [-fA/2 в направлении ai больше, чем убыль интенсивности —А/ь и, наоборот, убыль интенсивности —Д/2 в направлении 2 больше, чем добавление +A/i- В итоге в определенных направлениях должна возникать избыточная интенсивность фона, а в других недостаток интенсивности (рис. 20.31). Эти направления соответствуют образующим конусов, осью которых является нормаль к отражающим плоскостям HKL и HKL, и угол при вершине равен (180°—2 ). Геометрия дифракции электронов, источник которых располагается внутри самого кристалла, та же, что и геометрия псевдо-Косселя для дифракции рентгеновских лучей (см. гл. 9). В связи с малостью углов О пересечения конусов с плоскостью экрана или фотопластинки в случае дифракции быстрых электронов картина имеет вид прямых линий (вместо гипербол при рентгеновской дифракции). Картины линий Кикучи очень чувствительны к изменению ориентировки кристалла. Как видно на рис. 20.31,6, след отражающей плоскости точно проектируется посередине расстояния между соответствующими темной и светлой линиями Кикучи и представляет собой гномоническую [c.474]

Конформация циклооктатетраена представляет интерес с точки фения теории сопряженных соединений [124, 125]. Первоначально полученные спектроскопические данные и данные дифракции электронов (разд. 3-2, Б) позволили установить, что молекула циклооктатетраена является неплоской, однако правильное отнесение конформации было выполнено не сразу. В настоящее время установлено, что циклооктатетраен имеет форму ванны (tub) (рис. 4-12, А) [126[. Барьер инверсии ванны имеет довольно большую величину . Инверсия самого циклооктатетраена при комнатной температуре происходит, но-видимому, очень быстро [127], однако некоторые соединения сходной геометрической структуры были получены в оптически активной форме (рис. 4-12, Б [128] и В [129]). [c.261]

В газовой фазе, однако, строение другое. Исследование методом дифракции электронов показало, что молекула является слегка искаженным октаэдром [19], дипольный момент которой весьма мал [20, 21]. Это искажение, скорее, имеет статическую природу, а не обусловлено быстрым переходом стереохимически нежесткой молекулы из одной конфигурации в другую, как было обшепринято до сих пор [22, 23]. [c.521]

Применение электронографии для исследования полимеров основано на тех же принципах, что и применение рентгенографии. Одинаков и характер информации, получаемой этими методами. Вследствие меньших значений 1 для быстрых- электронов ( 0,1 А) искажения, вносимые конечными размерами кристаллитов, начинают сказываться при меньших d ( 100 А), но рефлексы значительно интенсивнее и экспозиции, требуемые для получения четких электронограмм, весьма невелики. Элек-тронограммы можно наблюдать непосредственно на светящихся экранах, а исследование производить в тонких образцах, что исключает необходимость учета многократного рассеяния в толще вещества. В сочетании с электронной микроскопией дифракция электронов позволяет получить электронограмму от заданного участка образца (см. рис. 7). Приспособления для получения электронограмм имеются во всех современных электронных микроскопах. Принципы применения электронографии для исследования полимеров разработаны достаточно пол-hq29,i69 g последнее время проведены работы, в которых для исследования полимеров использован метод электронографии под малыми углами. [c.63]

Очищенная от окислов поверхность дисульфида молибдена стала гидрофобной. Количество адсорбированных паров воды было пропорционально степени окисления. Еще до этого эксперимента Уеда [9] пытался исследовать поверхность свежего одиночного кристалла дисульфида молибдена с помощью дифракции электронов, но при температуре ниже 440 °С он окисления не обнаружил. Брейтуэйт отмечал, что температура окисления (т. е. температура, при которой интенсивность окисления быстро повышается) менее 200 °С не является чем-то необычным. [c.95]

В дополненне к обычному микроскопическому исследованию ориентировок льда Лисгартен [121] провел электронографическое изучение конденсатов льда, образованных на поверхности AgJ. Подложки приготовлялись таким же образом, как и в описанных выше экспериментах, приче.м ориентировки йодистого серебра, образуемого при химическом взаимодействии йода с серебром, контролировались также с помощью дифракции электронов. Подложка помещалась в камере электронографа, где поддерживалась необходимая температура. Осадок льда образовывался из водяных паров, вводимых в прибор с помощью специального приспособления. Температура конденсации изменялась в интервале от —90 до —170° С. При более высоких температурах получить тонкий осадок льда не представляется возможны.м вследствие быстрой его субли.мации в вакууме. [c.165]

Кристаллы никеля были вырезаны из монокристаллических стержней, выращенных из карбонила никеля или никеля Niva методом Бриджмена. Кристаллы сначала были вырезаны в виде шаров с выступом с одной стороны для их крепления, а затем были подвергнуты электролитическому травлению, так что местоположение определенных граней могло быть установлено по симметрии протравленного образца. Далее грани были обработаны параллельно плоскостям (100) и (110) на одном кристалле и параллельно плоскостям (111) и (321)—на другом кристалле. Для уменьшения разрушений кристаллической решетки делали неглубокие срезы при помощи токарного станка. Затем поверхность вновь протравливали и ее ориентацию контролировали по дифракции рентгеновских лучей. Окончательные отклонения в ориентации граней не превышали 2°. Плоские поверхности были затем механически отполированы металлографической наждачной бумагой и притерты с применением отмученной окиси алюминия. Далее кристалл подвергался электролитической полировке в 70%-ной серной кислоте. Так как во избежание питтинга было необходимо быстрое -перемешивание содержимого гальванической ванны, оказалось желательны.м медленное вращение кристалла (8 об/мин), которое предотвращало неодинаковые электролитические эффекты на разных частях кристалла. Полированный кристалл промывали дистиллированной водой и затем очищали при помощи тлеющего разряда в водороде. При этой операции кристалл помещали в камеру с водородом при давлении 0,5 мм рт. ст., к которой был приложен отрицательный потенциал 400—800 в относительно никелевого электрода на расстоянии около 5 см. При таких условиях между кристаллом и электродом проходил ток 4—6 ма и вещество разбрызгивалось от поверхности кристалла. После этого кристаллу давали охладиться и переносили его в реакционный сосуд. Хотя указанная обработка в разряде не приводила к изменениям поверхности, которые могли бы быть обнаружены оптическим микроскопом, все же при исследовании этой поверхности электронографическим методом обнаружена ее значительная шероховатость. Затем кристалл был нагрет в атмосфере водорода при 500°. Несмотря на то, что эта температура лежит намного ниже температуры, указанной для быстрого отжига никеля, дифракция электронов показала, что после такого на- [c.38]

Недавно Хендра и соавторы сообщили о том, что линейный ПЭ закалкой можно перевести в стеклообразное состояние [51]. Измерения расщепления дублета при 725 см позволили определить температуру, при которой начинается лoкaJHJHoe упорядочение при нагревании образца, поскольку величина этого расщепления зависит от упаковки цепей в кристаллах. Таким образом был сделан вывод, что стеклование происходит при температуре ниже 190 К. Бойер и Снайдер обработали спектральные данные Хендры, отделив дублет кристаллической фазы от фона аморфной фазы и обнаружили резкий переход от стеклообразного, или разупорядоченного, состояния к кристаллическому при 195 К [52]. Тем самым были подтверждены предположения Бойера относительно темпфатуры стеклования. Результаты этих авторов показывают, что выше 160 К начинается упорядочение, хотя оно происходит не так быстро, как при температурах выше Тд (L). Джонс и соавторы получили стеклообразный ПЭ закалкой тонких пленок непофедственно на сетках (подложках) электронного микроскопа [53]. Их данные по дифракции электронов также показали, что кристаллизация происходит при температурах ниже 190 К. Исследование аморфных образцов методом ДСК обнаружило наличие необратимых экзотермических процессов при температуре около 160 К, что было объяснено началом кристаллизации. [c.114]

В последние годы для непосредственного наблюдения структуры поверхности металлов применяют метод дифракции электронов низкой энергии. Дифракция рентгеновских лучей, а также быстрых электронов (ускоренных напряжением порядка от нескольких десятков до нескольких сотен киловольт) не может дать информации о строении поверхностного слоя атомов, поскольку рентгеновские лучи и быстрые электроны отличаются высокой проникающей способностью, так что в дифракции в этом случае участвует много атомных слоев. Напротив, как это уже в 1927 г. показали Девиссон и Джермер [21], электроны с низкой энергией (ускоренные при напряжении в несколько десятков или несколько сотен вольт) взаимодействуют только с одним или, по крайней мере, несколькими поверхностными слоями атомов. [c.140]

Понимание поведения электрона в атоме стало возможным лишь благодаря открытию волновых свойств электрона и других материальных частиц и разработке квантовой механики, называемой иначе волновой механикой. Дэвиссоном и Джер-мером (1925) было открыто явление дифракции электронов при отражении медленных электронов, прошедших ускоряющую разность потенциалов 100—200 V от поверхности кристалла никеля. При прохонсдении пучка быстрых электронов (-N 50 kV) через очень тонкую фольгу металла также наблюдается явление дифракции (рис. 6), которое объясняется волновыми свойствами электронов. Оказалось, что изменение скорости электронов v приводит к изменению длины волны X в соответствии с формулой, предложенной де Бройлем (1924), предвидевшим волновые свойства материальных частиц еще до открытия явления дифракции электронов [c.11]

При рассмотрении ДМЭ использовалось рассеяние электронов назад, поскольку оно обладает большим сечением и приводит к минимальной длине свободного пробега электрона, что обеспечивает исследование нанослоев поверхности. Дифракция отраженных быстрых электронов (ДОБЭ) представляет собой другое возможное решение той же пробле- [c.46]

Интересную возможность разработки принципиально нового детектора открывают достижения электронографии в газовой фазе. Такой детектор может обладать способностью различать переход от реагентов к продуктам по появлению новой связи и соответствующему изменению дифракционной картины. В работах [224, 225] дифракция электронов использована для исследования изменения связи быстро нагреваемых молекул 5Рб, 31р4, Ср4 в молекулярных пучках при помощи излучения лазера на СО2. Полученные данные отражают изменения структуры молекул, амплитуды колебаний и характеристики ангармоничности при температурах, существенно превышающих границы термического разложения в условиях торможения. Электронография широко используется для изучения структуры кластеров в молекулярных пучках [226]. Использование этой техники для исследования столкновений в настоящее время сдерживается, главным образом, недостаточно чувствительным способом регистрации. Развитие новых многоканальных умножителей, позиционно чувствительных детекторов и их внедрение в электронографию позволяет надеяться на появление детекторов рассеяния нового поколения, регистрирующих не разделенные по времени от реагентов продукты реакции, а сам процесс химического превращения. [c.209]