Химические потенциалы. Фазовые переходы 1-го рода

Химический потенциал. Фазовые переходы первого рода в свете представлений о химическом потенциале [c.283]

Химический потенциал. Фазовые переходы первого рода 283 [c.283]

В физике распространено представление о существенном отличии процессов плавления низкомолекулярных кристаллических тел и размягчения аморфных (или соответственно их кристаллизации и стеклования). При этом процессы кристаллизации и плавления относят к фазовым переходам 1-го рода, при которых первые производные термодинамического или химического потенциала по давлению и температуре испытывают скачок. [c.271]

Бездиффузионные фазовые превращения могут различаться по типу изменяющихся в ходе процесса их термодинамических характеристик. Превращениями первого рода называют процессы, при которых происходит изменение производных химического потенциала по температуре или давлению. Отсюда следует скачкообразное изменение при фазовом переходе таких термодинамических параметров, как энтропия, объем, энтальпия, внутренняя энергия. При превращениях второго-рода первые производные химического потенциала по интенсивным параметрам не меняются, но изменяются производные более высоких порядков (начиная со второго). В этих процессах при непрерывных энтропии и объеме системы происходит скачкообразное изменение величин, выражаемых через вторые производные энергии Гиббса теплоемкости, коэффициента теплового расширения, сжимаемости и т.д. [c.174]

Соотношение (4.3) представляет собой условие фазового равновесия. В пространстве переменных [х, р, Т линия пересечения поверхностей [х = [х и [х = [х" представляет собой линию сосуществования двух фаз. При переходе через эту линию происходит фазовое превращение. Всегда реализуется фаза с меньшим значением химического потенциала, поскольку она более устойчива. Порядок фазового перехода определяется порядком контакта между поверхностями х = [х и [X = [х". На фиг. 66 представлен фазовый переход первого рода. [c.200]

Непрерывные переходы, при которых вторые производные от энергии Гиббса (или химического потенциала) испытывают скачки, называются фазовыми переходами второго рода, когда же эги производные при переходе обращаются в бесконечность — критическими переходами, а аномальное поведение свойств веществ в этой обласги—критическими явлениями. [c.234]

Молекулы коллектора, адсорбированного на окисле, по-видимому, располагаются в штерновском слое (рис. IX-13), т. е. адсорбция приводит к уменьшению -потенциала. При высоких степенях заполнения поверхности коллектора -потенциал может даже обращаться. Это показывает, что в таких системах химические силы по меньшей мере сопоставимы с электростатическими. По мнению Годэна и Фюрстенау [33], резкое падение -потенциала при некоторой концентрации коллектора обусловлено своего рода фазовым переходом в адсорбированной пленке поверхностно-активного вещества. Авторы предполагают, что в этой точке начинается образование поверхностных мицелл. Такое предположение, по существу, аналогично предположению Лэнгмюра об образовании пленок промежуточного типа на жидких подложках (см. гл. П1, разд. П1-6В). [c.378]