Диаграммы состояния полупроводниковых систем

Зонную плавку использовали для изучения соединений, образующихся в металлических и в полупроводниковых системах. Нет сомнения, что в будущем этот метод будут использовать для изучения образования органических соединений. На рис. 57 показана типичная фазовая диаграмма состояния для системы, в которой образуется соединение Р между компонентами А н В. Если смесь, состав которой лежит между О и Е, несколько раз подвергалась зонной плавке, то вещество, приближающееся по составу к соединению Р, будет стремиться сконцентрироваться в начале образца. [c.157]

Элементы топологии Р—Т—д -диаграмм. Полупроводниковые соединения часто содержат летучий компонент (или компоненты), что предопределяет разложение соединения при нагреве на конденсированный продукт (жидкий или твердый) и газообразный. Образовавшийся расплав представляет собой раствор, обогащенный металлическим компонентом. Однако термическую диссоциацию соединения можно предотвратить, создавая в закрытой реакционной системе противодавление летучего компонента. Величина такого противодавления определяется только на основе полной Р—Т—jt-диаграммы состояния. [c.36]

Способы изображения макро- и микроучастков диаграмм состояния. Свойства полупроводниковых фаз чрезвычайно чувствительны к исчезающе малым изменениям состава, проявляющимся во введении легирующей примеси или в нарушении стехиометрического соотношения компонентов химического соединения. Эта чувствительность достигает 10 —10 ат. %. Отсюда следует, что вблизи ординат компонентов и химического соединения масштаб по оси концентраций должен быть изменен в 10 —10 раз для того, чтобы можно было судить о характере фазовых превращений в очень узкой области концентраций. Это позволяет определять области твердых растворов и судить о протяженности области однородности полупроводниковой фазы. Таким образом, приходится иметь дело как с обычной макродиаграммой, которая дает общее представление о фазовых равновесиях в системе, так и с микроучастками этой же диаграммы, которые углубляют представления о термодинамических характеристиках фаз и компонентов системы. [c.230]

В последние годы интересной группе полупроводниковых соединений индия с серой, селеном и теллуром исследователи уделяют большое внимание. Это устойчивые на воздухе вещества, обладающие фотоэлектрическими, термоэлектрическими, оптическими и другими свойствами. Соединений и фаз индия с серой, селеном и теллуром значительно больше, чем соединений в системах других элемен-тов-аналогов. Известны диаграммы состояния таких систем 1п—8 (в пределах концентраций от О до 60 ат.%. 8) 1п—Зе и 1п—Те (в пределах всего интервала концентраций). [c.83]

Рассмотрение диаграмм состояния систем элементов-аналогов показывает как общие черты характера химического взаимодейств11Я в системах А —В 1, так и их различие при переходе от легких элементов к тян елым, т. е. от бора к таллию и от серы к теллуру. Двойные системы В — S и В — Se не исследованы, а соединения бора с теллуром до сих нор никто не получргл. Сульфидные системы алюминия, галлия и индия изучены лишь в пределах кон-центраци11 О—60 ат.% S, так как изучение составов с большим ее содержанием представляет значительные трудности из-за высокого давления пара серы при температурах синтеза. Давления паров селена и теллура при температурах синтеза селенидов и теллуридов элементов III Б подгруппы невысоки, что позволило осуществить синтез всех соединений этих халькогенидов методами, применяемыми для получения неорганических полупроводниковых веществ, содержащих легколетучие компоненты. [c.170]

Данные, полученные на основании измерений термоэдс [96] в пределах температур 100—700° К, совпадают с результатами, полученными из измерений эффекта Холла и электропроводности. Полученные значения удельного сопротивления, коэ ициента Холла и термоэдс авторы работ [74, 86, 96] интерпретируют на основании структурных данных и результатов дилатометрических измерений (см. рис. 3.8 — диаграмма состояния системы СёзАза—2пзАз2). По данным этих авторов, значения удельного сопротивления, коэффициента Холла и термоэдс в области О д 1,35 отвечают полупроводниковой а"-фазе п-типа, а область 2,1 3 соответствует [c.110]

Как видно из диаграммы состояния системы Bi — Те вблизи соединения BiaTes (рис. 93), максимум температуры плавления смещен в сторону избытка висмута по сравнению со стехиометрическим составом. Поэтому кристаллы теллурида висмута, выращенные из расплава стехиометрического состава, содержат избыток атомов висмута, что и обусловливает дырочную проводимость. Образцы BigTes стехиометрического состава находятся в равновесии с расплавом, содержащим 63 ат. % Те, и имеют /г-тип проводимости. Сплавы, полученные из расплавов, более богатых теллуром, также обладают электронной проводимостью. Таким образом, в теллуриде висмута избыток висмута создает акцепторные уровни, а избыточный теллур — донорные. Иод в теллуриде висмута также является донорной примесью. Подобное поведение теллурида висмута и, по-видимому, других соединений AJbJ сближает их с полупроводниковыми соединениями Л" В . Это указывает на ковалентный характер химических связей в рассматриваемых соединениях, в частности в теллуриде висмута. [c.196]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология