Система полупроводниковая

В первом разделе книги излагаются методы изучения и современные представления о строении границ раздела металлических или полупроводниковых электродов с ионными системами (растворами, расплавами), а также границы раствор — воздух. Значительное внимание уделено термодинамике поверхностных явлений на электродах, адсорбирующих водород и кислород, и современной теории адсорбции органических соединений на электродах. Во втором разделе подробно анализируются закономерности стадии подвода реагирующих частиц к поверхности электрода, методы изучения этой стадии и приводятся примеры использования явлений массопереноса при конструировании хемотронных устройств и новых источников тока. Третий раздел посвящен изложению закономерностей стадии переноса заряженных частиц через границу электрод — раствор и физических основ элементарного акта электрохимических реакций. При этом рассматриваются такие важные в теоретическом отношении вопросы, как роль работы выхода электрона и энергии сольватации ионов в электродной кинетике. Теории двойного слоя, массопереноса и элементарного акта, по образному выражению А. Н. Фрумкина, — те три кита , на которых базируется мощное и стройное здание кинетики электродных процессов. [c.3]

Германий обладает полупроводниковыми свойствами и с этим связано его основное применение. Германий, идущий для изготовления полупроводниковых приборов, подвергается очень тщательной очистке. Она осуществляется различными способами. Один из важнейших методов получения высокочистого германия — это зонная плавка (см. разд. 11.3.4). Для придания очищенному германию необходимых электрических свойств в него вводят очень небольшие количества определенных примесей. Такими примесями служат элементы пятой и третьей групп периодической системы, например, мышьяк, сурьма, алюминий, галлий. Полупроводниковые приборы из германия (выпрямители, усилители) широко применяются в радио- и телевизионной технике, в радиолокации, в счетно-решающих устройствах. Из германия изготовляют также термометры сопротивления. [c.421]

Эффект электронной губки в системах полупроводниковая матрица — фермент [c.71]

ЭФФЕКТ ЭЛЕКТРОННОЙ ГУБКИ В СИСТЕМАХ ПОЛУПРОВОДНИКОВАЯ МАТРИЦА — ФЕРМЕНТ [c.84]

Серое олово. Из других элементов IV группы Периодической системы полупроводниковыми свойствами обладает серое олово. [c.113]

Б<ф. Бор — единственный элементарный полупроводник — элемент III группы Периодической системы. Полупроводниковая природа бора доказывает близость химии бора и кремния. [c.123]

Эффект электронной губки в системах полупроводниковая матрица — фермент. Электропроводящая полупроводниковая матрица выступает в качестве донора (акцептора) электронов для активного центра фермента. Проводя электрохимические реакции с матрицей, восстанавливая полимер, можно наблюдать эффект электронной губки — обратимого окисления или восстановления матрицы — и процессы ферментативной каталитической трансформации носителей электричества. [c.79]

ЕС ЭВМ представляет ряд программно-совместимых моделей вычислительных машин третьего поколения, разрабатываемых в рамках сотрудничества социалистических стран [73]. К отличительным особенностям этих машин следует отнести 1) использование новых элементов для технической реализации устройств — интегральных схем — элементов, выполненных на полупроводниковых кристаллах эти элементы отличаются более высокой надежностью, компактностью и быстродействием 2) применение блочного принципа организации вычислительной машины (вычислительной системы), охватывающего комплекс общих вопросов ее построения и допускающего широкие возможности набора функциональных блоков исходя из области применения системы [c.154]

Трансформация химического состава катализатора часто не приводит к образованию новой фазы, но заметно сказывается на активности. В окислах (полупроводниковых катализаторах) это связано с обогащением или обеднением поверхности кислородом по сравнению со стехиометрическим составом. Известны [61, 62] примеры воздействия реакционной системы на окисные катализаторы и участие поверхностного слоя кислорода в реакции. Наблюдалось влияние на поверхностный слой с изменением стационарного состава в реакциях с участием водорода [6]. [c.40]

Основные функциональные узлы системы собраны на полупроводниковых логических модулях. Система работает следу-ЮШ.ИМ образом. Электронный коммутатор 7 производит циклический опрос всех датчиков. В момент, когда опрашивается первый из сработавших датчиков, коммутатор 2 производит опрос 10 каналов памяти — регистров 11—21 по логике сравнения. Если при опросе всех регистров окажется, что ни в одном из них не записав [c.161]

Были внесены изменения в оптическую и электронные схемы прибора, и таким образом обеспечена его более высокая чувствительность, а также упрощена оптическая система за счет использования полупроводниковой оптической пары в ИК-диапазоне с интерференционным фильтром, изготовленным на основе современных отечественных технологий. Благодаря высокой чувствительности удалось значительно уменьшить объем кюветы ( 1 мл), что позволило улучшить метрологические характеристики прибора, уменьшить расход реагентов и упростить процесс подготовки пробы к измерению. Повышение чувствительности потребовало принятия мер к снижению помех как электрических, так и тепло- [c.139]

Серии ванн, питаемые ртутными или полупроводниковыми выпрямителями, находятся под высоким напряжением. Число последовательно соединенных в серии алюминиевых ванн достигает иногда 160. Серия электролизных ванн может быть расположена в двухпролетном здании, около которого пристраивают здание преобразовательной подстанции. Такое расположение подстанции уменьшает потери напряжения в токоведущей системе, так как электрическая цепь, составленная из последовательно соединенных ванн, начинается и заканчивается у того торца здания, к которому пристроена преобразовательная подстанция. Весьма существенна при ошиновке ванн надежность электрических контактов в узлах токоведущей системы. Лучшими признаны сварные контакты. Плотность тока для токоподводящей системы рассчитывают отдельно. Она не должна быть более 1 А/мм проводника. При выборе плотности тока учитывают стоимость электроэнергии и ошиновки. [c.501]

В современной металлургии используется для получения различных сплавов больше половины элементов периодической системы отдельные сплавы содержат более десяти компонентов, причем сплав может иметь необходимые свойства только при определенном процентном содержании этих компонентов. Ко многим материалам, например, к германию и кремнию для полупроводниковых изделий, урану, жаростойки.м металлам и сплавам техника предъявляет очень высокие требования в отношении чистоты, т. е. отсутствия следов примесей. Необходимость сложных исследований таких материалов стимулировала развитие теории и методов аналитической химии. [c.10]

Несмотря на очень большую прочность, анизотропия остальных физических свойств в рассматриваемых системах реализуется лишь при условии, что они обладают дальним порядком (с одной преимущественной осью ) типа кристаллического или твердо-нематического. По-видимому, с анизотропией немеханических свойств органических и неорганических полимеров в ориентированном состоянии связан огромный резерв использования полимеров в будущем уже не как конструкционных и иных материалов, а как источников, генераторов и преобразователей энергии, элементов электронных и полупроводниковых схем, микроэлементов для записи, хранения и реализации информации и т. д. [c.230]

Многие химические процессы, применяемые в промышленности, и главным образом в основном химическом синтезе, основаны на реакциях твердой фазы с газом. К таким процессам относятся, например, получение металлов восстановлением газами, обжиг сульфидных руд, получение основных полупродуктов неорганического синтеза — аммиака, серной кислоты и многих органических соединений методами гетерогенного катализа, а также очистка веществ и выращивание монокристаллов (полупроводниковая промышленность). Очень важно здесь то, что в таких гетерогенных системах концентрация дефектов зависит не только от температуры, но и от равновесия между соответствующими компонентами твердой и газовой фаз. Так, например , состав решетки NiO меняется при увеличении парциального давления кислорода, причем в результате окислительно-восстановительной реакции увеличивается количество ионов О - в решетке и одновременно образуется эквивалентное количество ионов Ni +. В соответствии с требованиями об электронейтральности системы в целом, в решетке появляются катионные вакансии [c.435]

ПОЛУПРОВОДНИКИ — вещества с электронной проводимостью, величина электропроводности которых лежит между электропроводностью металлов и изоляторов. Характерной особенностью П. является положительный температурный коэффициент электропроводности (в отличие от металлов). Электропроводность П. зависит от температуры, количества и природы примесей, влияния электрического поля, света и других внешних факторов. К П. относятся простые вещества — бор, углерод (алмаз), кремний, германий, олово (серое), селен, теллур, а также соединения — карбид кремния, соединения типа filmen (инднй — сурьма, индий — мышьяк, галлий — сурьма, алюминий — сурьма), соединения двух или трех элементов, в состав которых входит хотя бы один элемент IV—VII групп периодической системы элементов Д. И. Менделеева, некоторые органические вещества — полицены, азоаромати-ческие соединения, фталоцианин, некоторые свободные радикалы и др. К чистоте полупроводниковых материалов предъявляют повышенные требования, например, в германии контролируют примеси 40 элементов, в кремнии — 27 элементов и т. д. Тем не менее некоторые примеси придают П. определенные свойства и тип проводимости, а потому и являются необходимыми. Содержание примесей не должно превышать 10 —Ш %. П. применяются в приборах в виде монокристаллов с точно определенным содержанием примесей. Применение П. в различных отраслях техники, в радиотехнике, автоматике необычайно возросло в связи с большими преимуществами полупроводниковых приборов — они экономичны, надежны, имеют высокий КПД, малые размеры и др. [c.200]

Как видно из рис. 1, для, осуществления электрохимической реакции необходима некоторая система — электрохимическая цепь. Существенные элементы такой цепи — металлические (или полупроводниковые) электроды, проводник второго рода (раствор электролита, его расплав или твердый электролит) и границы раздела фаз между металлом и электролитом, между двумя различными металлами и между двумя различными электролитами. Закономерности протекания тока в электрохимической цепи, а также закономерности электрохимического равновесия определяются свойствами всех этих элементов. Строение металлов и полупроводников, а также их электропроводность служат объектом изучения физики, а не химии. Объекты изучения электрохимии — ионные системы (проводники второго рода) и границы раздела фаз с точки зрения их структуры и механизма переноса заряженных частиц. [c.5]

Спектры электроотражения платинового электрода в водородной и кислородной областях в целом хорошо коррелируют с данными, полученными другими методами, в частности, подтверждая выводы о двух формах адсорбированного водорода (см. 16). Метод модуляционной спектроскопии электроотражения применяется для изучения оксидных пленок на различных металлах. Полупроводниковый характер таких пленок вызывает ряд специфических особенностей спектров электроотражения, наблюдаемых в этих системах. [c.84]

Соотношение токов обмена и Гр определяется положением уровня Ферми в полупроводнике и равновесным потенциалом (Е ) окислительно-восстановительной системы. При этом ток оказывается тем больше, чем более отрицательное значение имеет Е и чем ближе к зоне проводимости располагается уровень Ферми. Последний эффект достигается введением в полупроводник доноров электронов (например, введением примеси Аз в Ое). Введение в полупроводник примесей акцепторов, наоборот, приводит к росту д и уменьшению 1%. Таким образом поляризационная характеристика для реакции (I) на полупроводниковом электроде оказывается весьма сложной и зависяш,ей от многих факторов. Ограничимся поэтому рассмотрением упрощенного случая, когда Д ф 0, и При этих условиях из уравнения (57.10) получаем [c.295]

Поскольку токи обмена на полупроводниковых электродах существенно меньше, чем на металлических (для одной и той же окислительновосстановительной системы), то для рассмотренных условий граница полупроводник — раствор должна проявлять хорошие выпрямляющие свойства. Этот вывод подтверждается экспериментальными данными. [c.295]

Ионная проводимость бывает биполярной и униполярной. При нагревании некоторых веществ их униполярная проводимость переходит в биполярную. Одновременно некоторые вещества обладают ионной и электронной, т. е. сметанной проводимостью, часто полупроводникового характера. Сочетанием проводников разного рода создают особые электрохимические системы — гальванические элементы — источники постоянного электрического тока. [c.87]

Широкое распространение получили полупроводниковые соединения. Такие соединения образуются, например, элементами пятой и третьей групп периодической системы, из них большое значение имеет арсенид галлия ОаАз. Ширина запрещенной зоны в подобных соединениях обычно растет со степенью ионности связи и определяется поэтому разницей электроотрицательностей составляющих их атомов. Замещение атомов соединения на атомы примесей с отличными валентностями приводит, как и в случае германия, к п- (например, при замене Аз в ОаАз на атом селена или теллура) или к р-проводимости (например, при замене в том же соединении Оа на Са или Mg). [c.519]

ГИИ, с другой стороны, имеется ряд осложнений, которые могут привести ничего не подозревающего 0перат0 ра к затруднениям. Артефакты появляются на каждой стадии процесса спектральных измерений. Артефакты процесса обнаружения представляют собой ущирение и искажение формы пика, пики потерь кремния, поглощение и пик внутренней флуоресценции кремния. Артефакты, возникающие пря обработке импульсов, включают в себя наложение импульсов, суммарные пики и чувствительность к ошибкам при коррекции мертвого времени. Дополнительные артефакты появляются из-за окружения системы полупроводниковый детектор — микроскоп и включают микрофонные эффекты, наводки с земли и загрязнение маслом и льдом деталей детектора. Как в кристалл-дифракционном, так и в спектрометре с дисперсией по энб ргии может регистрироваться паразитное излучение (рентгеновское и электроны) от окружающих образец предметов, но из-за большего телесного угла сбора спектрометр с дисперсией по энергии более подвержен влиянию паразитного облучения. Однако из-за большого угла сбора такой спектрометр менее чувствителен к эффектам дефокусировки спектрометра при изменении положения образца. [c.265]

Для сокращения времени срабатывания этих индикаторов и выдачи командного сигнала на исполнительные агрегаты системы взрывоподавления агрегаты впрыска ингибитора монтируют по безрелейной схеме. Вместо обычных электромагнитных исполнительных реле в них применяют полупроводниковые вентили типа Д238А. [c.224]

Целью данной работы было изучение возможностей промышленных устройств нового поколения и разработка единого программно-технического комплекса. Современные достижения в микропроцессорной технике во много.м способствовали появлению и развитию не только персональных компьютеров (ПК), но и специальных многоканальных аналого-цифровых и цифро-аналоговых преобразователей, к числу которых можно отнести карту типа АК-В3201. Установив такую карту на системной плате ПК, можно решить некоторые вопросы, связанные с надежностью ИИС, и создать автоматизированную систему научных исследований (АСНИ). Однако наличие в составе ПК карты типа АЯ-В3201, имеющей три цифро-аналоговых и восемь аналоговоцифровых каналов, требует создания единой программной оболочки для осуществления сбора и первичной обработки информации (ПОИ). Эту проблему надо решать комплексно, чтобы воспользоваться главным преимуществом АСНИ на базе ПК, которое состоит в переходе к цифровым методам сбора и ПОИ. В этой связи наибольший интерес представляет АСНИ для изучения теплового режима аппарата. ИИК для передачи информации о температуре в промышленных системах отработан, а датчики - термопары (ТП) и термосопротивления (ТС) перекрывают почти весь температурный диапазон. Для АСШ они зачастую просто недоступны и весьма громоздки, поэтому в качестве измерительных преобразователей приходится использовать полупроводниковые датчики и терморезисторы, при этом температурный диапазон от -100°С до [c.24]

Ионы элементов малых периодов н концов длинных периодов периодической системы имеют тенденцию сохранять неизменную валентность и принимать структуру заполненных оболочек, и элементы образуют бесцветные диамагнитные соединения, которые являются типичными изоляторами (MgO, AljOg, SiOj). Переходные элементы имеют переменную валентность, образуют стабильные ионы с незаполненными d-оболочками и могут давать окрашенные магнитные, полупроводниковые соединения, катионы которых имеют электроны с непарными спинами. Можно сказать, что ионы с полузаполненными и заполненными подоболочками (d , Мп + Zn + ) по своим свойствам находятся между двумя этими крайностями. [c.20]

Механизм электрической проводимости масел несколько иной природы. Согласно обзору [110], основным механизмом являются электронные донорно-акцепторные взаимодействия с появлением комплексов с переносом заряда. В маслах присутствует большое количество углеводородов, молекулы которых содержат сопряженные двойные связи (типа конденсированных ароматических соединений). Такие системы обладают полупроводниковыми свойствами и называются органическими полупровоч-никами. Зависимость проводимости от температуры определяется формулой [c.61]

Система термостатирования. Сюда входят полупроводггико-вый терморегулятор релейного типа, датчик температуры, нагреватели термостата. Полупроводниковый терморегулятор предназначен для установки и автомати- ческого поддержания температуры термостата иа заданном уровне в пределах 30—300° С. Цена наименьшего деления шкалы терморегулятора 2 град. [c.175]

Указанной системой маркировки предлагалось пользоваться, в первую очередь, при характеристике степени чистоты полупроводниковых веществ. Подобная классификация появилась и в других странах. В частности, в ФРГ содержание примесей в веществах особой чистоты указывается в виде индекса чистоты —п, где индекс R (Reinheitsgrad) обозначает степень чистоты, п = —lg +2, с — суммарная концентрация примесей (в мае. %). Таким образом, например, индекс чистоты R — 4 означает, что препарат содержит 99,99 мае. % основного вещества. [c.7]

В настоящее время явление химического транспорта успешно используется в целях глубокой очистки ряда веществ, как простых, так и сложных, а также для получения эпитаксиальных полупроводниковых пленок и монокристаллов. Реагентами, с помощью которых осуществляется перевод очищаемого вещества в транспортируемое соединение, помимо указанных выше оксида углерода (И) и иода служат хлор, бром, галогеноводо-роды, галогениды. Интересно отметить, что при использовании последних процесс переноса обычно протекает через стадию образования соответствующего субгалогенида, т. е. соединения с низшей валентностью. В результате перенос вещества в целом осуществляется за счет реакции диспропорционирования, как это, например, имеет место в случае очистки элементов III— IV групп периодической системы [c.22]