Влияние избытка одного из компонентов

При наличии очень небольших, но контролируемых количеств примесей в правильной кристаллической решетке, либо при небольшом избытке одного из компонентов твердого вещества, или же просто при наличии вакансий в кристаллической решетке образуются так называемые дефектные кристаллы. Каждый из таких дефектов— примесь, избыточный компонент или вакансия — обусловливает недостаток или избыток валентных электронов, необходимых для образования связи между частицами кристалла, и поэтому придает веществу новые свойства. Например, в кристалле элементарного кремния атом кремния может быть замещен атомом алюминия, что обусловливает недостаток в один электрон, поскольку атом алюминия имеет только три валентных электрона, а атомы кремния — четыре. Появление в решетке атома, которому недостает валентных электронов для образования должного числа ковалентных связей, приводит к образованию электронной вакансии, или так называемой дырки. При наложении на кристалл электрического потенциала дырка начинает мигрировать и в результате у кристалла появляется особый вид электропроводности подобные кристаллы называют полупроводниками. Если замещающий атом обладает избытком электронов, лишние электроны не принимают участия в образовании ковалентных связей и могут свободно перемещаться по кристаллу под влиянием приложенного внешнего потенциала. Такой полупроводник относится к п-типу (его проводимость обусловлена наличием свободных отрицательных зарядов, отрицательный по-английски negative), а полупроводники с недостатком электронов относятся к р-типу (их проводимость обусловлена наличием свободных положительных зарядов — дырок, положительный по-английски positive). Строение полупроводников этих типов схематически изображено на рис. 10.22. [c.183]

Изменение состава окрашенного комплекса может быть обусловлено ступенчатым характером его образования и диссоциации, разложением во времени, присутствием посторонних веществ, взаимодействующих с определяемым ионом Л/или реактивом Р, влиянием рн среды. Существенным фактором является качество реактива, используемого для проведения цветной реакции. Если комплекс высокопрочный и отсутствуют компоненты, реагирующие с ионом М, то избыток реактива по сравнению со стехиометрически рассчитанным должен составлять 30-50 %. Если прочность окрашенного соединения невысока или из-за его диссоциации определяемый ион связывается не полностью, количество используемого реагента должно превышать стехиометрическое примерно на один порядок. [c.211]

Было подробно изучено влияние состава и различных концентраций катализатора на кинетику окисления парафина. По экспериментальным данным построены рис. 217 и 218 [140, 148]. Скорость окисления характеризовалась временем, необходимым для достижения определенной глубины окисления парафина. Во всех случаях период индукции реакции вычитали из общей длительности процесса. О составе продуктов окисления можно судить по значениям карбонильного и эфирного чисел. В четырех сериях опытов были испытаны МпОз, КМПО4 и смеси МпО К2СО3 при различных отношениях Мп/К и К/Мн (на рис. 217 и 218, а, б, в яг — соответственно). Из рис. 217 (а, б) видно, что наиболее эффективно процесс окисления ускоряется некоторой оптимальной концентрацией Мп, равной — 0,1 вес. %. Отклонение от оптимальной концентрации в ту и другую сторону уменьшает скорость реакции. Наиболее резко этот эффект проявляется при использовании КМПО4. Что касается состава смешанного К — Мп-катализатора, то из рис. 217, в ж г видно, что наименьшее время достижения кислотного числа 70 характерно для эквимолекулярной смеси соединений обоих компонентов. Интересно, Что Мп и К неравноценны по своему воздействию на реакцию. Избыток КМпО по сравнению с оптимальной концентрацией или увеличение доли щелочного металла в составе катализатора приводит к резкому уменьшению скорости процесса, в то время как один марганец влияет на скорость окисления гораздо слабее, чем в смеси с калием. Таким образом, основные ингибирующие функции в данном случае принадлежат, по-видимому, соединениям щелочного металла. [c.363]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология