Механизм Вагнера

Это ретропинаколиновая перегруппировка, которая протекает, вероятно, по согласованному механизму (Вагнер—Меервейн). [c.253]

Механизм проводимости в полупроводниках п- и р-типа, а также в истинных полупроводниках называют, как травило, механизмом Вагнера. Механизм проводимости в ионных проводниках называют механизмом Френкеля, а механизм электропроводности и диффузии в случае смешанной ионной проводимости называют механизмом Шоттки, Сюда же надо включить I5 амфотерные проводники, механизм проводимости которых в зависимости от внешних условий может быть одним из пяти перечисленных механизмов или, быть может, так называемым обратным механизмом по Шоттки (56) с катионами и анионами в междоузлиях решетки. [c.52]

Равновесие в таких системах можно сместить добавками ионов другой валентности и установить, таким образом, пригодность механизма Вагнера. [c.131]

В противоположность металлам, образующим окислы п-типа, для металлов, образующих окислы р-типа, при окислении по механизму Вагнера характерна определенная зависимость от величины давления газа, как это схематически было показано на рис. 39. В идеальном случае к реакции окисления приложим за- [c.135]

В кристалле с дефектами Френкеля движение электрических зарядов может происходить либо путем перескока междуузельных ионов из одного междуузлия в другое (механизм Я. И. Френкеля), либо путе.м вытеснения междуузельным ионом нормального иона в следующее междуузлие (механизм Вагнера). [c.101]

Константы к и АОф будут зависеть также от того, происходит ли междуузельный перескок ионов непосредственно или в соответствии с механизмом Вагнера. [c.102]

В литературе утвердился термин механизм Вагнера для образования шпинелей, причем иногда его связывают только с диффузней катионов. Необходимо отметить, что из механизма Вагнера этого не следует. Механизм Вагнера фиксирует тот факт, что при образовании ионных соединений массоперенос осуществляется путем диффузии ионов (катионов и анионов, а также электронов и вакансий, если это необходимо для соблюдения электронейтральности), но не атомов и молекул. Вагнер дал схему вывода кинетического уравнения, которую можно использовать для вывода уравнений с различными комбинациями диффундирующих ионов. [c.48]

Поэтому не совсем верно, как утверждается в некоторых работах, что при образовании шпинелей по механизму Вагнера должно отсутствовать смещение метки исходной границы раздела фаз. Например, при образовании феррита магния в результате встречной диффузии ионов ЗMg + и 2Ре + объем оксида магния должен остаться без изменения (из 4 молей MgO, занимающих объем 44,6 см , на оксиде магния кристаллизуется [c.51]

Расчеты показывают [29], что при 2=1,2 и 2,4 и 7=3 отношение (з.з5)/ (з.зб) для любых степеней превращения изменяется незначительно и, следовательно, любые реакции, протекающие по механизму Вагнера, можно достаточно точно описать упрощенным уравнением (3.36). [c.181]

Если 1 поверхностное соединение является полупроводником п-типа с избытком металла, например ZnO, dO, ВеО и др., то концентрация их дефектов (междоузельных катионов) тоже не должна зависеть от давления кислорода (см. рис. 90). Это и наблюдается при 400° С, когда толщина пленки превышает 5000А. Но при низкой температуре и малой толщине пленок (меньше ЮООА) с повышением давления кисло-рода скорость окисления возрастает в связи с тем, что имеет место лога-. if. рифмический рост пленки во времени, где диффузионный механизм Вагнера неприменим. Перенос ионов цинка про-исходит под действием электрических [c.131]

Если к растушему окислу р-типа добавить ионы высшей валентности, то по механизму Вагнера число вакансий и скорость окисления должны зоз- [c.133]

По наблюдениям Хауффе и Рамеля [233], п имеет экспериментальные значения между 5 и 7, что удовлепворительно согласуется с механизмом Вагнера. [c.136]

В случае образования однородных слоев, когда ионы легирующего металла растворимы в поверхностных соединениях, образуемых легируемым металлом и газом, влияние легирования на скорость окисления можно предсказать на основе механизма Вагнера, как об этом уже говорилось на стр. 131. Вкратце характер влияния зависит от того, увеличивают или уменьщают ионы легирующего металла число дефектов в поверхностном соединении легируемого металла. [c.166]

А, возрастая пропорционально корню квадратному из времени. Поэтому применительно к кремнию он воспользовался предложенной Энгеллом и Хауффе трактовкой [246] параболического окисления цинка в интервале 375—400° С, о чем речь шла выше, и в действительности показал, что возрастает пропорционально 1п в полном соответствии с механизмом Энгелла — Хауффе. Сомнительно, чтобы этот механизм был приложим при высоких температурах, при которых проводили свои исследования Эванс и Чаттерджи. Возможно, что здесь действует обычный механизм Вагнера, но действительная картина диффузии в кристобалите остается пока невыясненной. [c.358]

В случае окислов п-типа реакции (15) способствуют свободные электроны, уже имеющиеся в зоне проводимости катализатора за счет ионизации примесных центров. В соответствии с механизмом Вагнера электропроводность окислов л-типа при реакции уменьшается, так как электроны проводимости захватываются хемосорбированным кислородом. По мнению Делла, Стоуна и Тайли [70], тот факт, что на окислах /г-типа разложение идет лишь при высоких температурах, вероятно, связан с трудностью хемосорбции кислорода на этих окислах адсорбция может происходить лишь при наличии глубоких электронных уровней и потому она возможна на сравнительно небольшом числе участков поверхности. Увеличение проводимости окислов р-типа при разложении закиси азота вызывается увеличением числа положительных дырок. В этом случае хемосорбированные атомы кислорода должны играть роль акцепторов, расположенных вблизи заполненной зоны. При переходе электронов из заполненной зоны на такие дополнительные акцепторные уровни (реакция (15)) число положительных дырок будет расти. Труднее объяснить каталитическую активность окислов-изоляторов относительно )еакции разложения закиси азота. По мнению Делла и других 70], при температурах выше 400° на поверхности могут образо- [c.44]

Реакция образования цинк-железной шпинели ZnFe204 происходит также путем противодиффузии Zn и Ре при неподвижной сетке кислородных ионов (механизм Вагнера). Уже сравнение констант диффузии цинка и железа в цинк-железной шпинели и констант скорости реакции образования цинк-железной шпинели делает вероятным механизм Вагнера. Как видно из рис. 70, константа реакции образования ZnFefi по [c.112]

Химмель, Мел и Берченалл, измеряя самодиффузию радиоактивными методами подтвердили механизм Вагнера, получив хорошее совпадение между наблюденными и вычисленными значениями констант, не только для роста окисла на металлической основе, но также для превращения одного окисла в другой, например вюстита в магнетит [42]. [c.788]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология