Валентность фактор значение для электропроводности

Связь структурного фактора с электронными свойствами металлов. Одним из физических свойств металлов, непосредственно связанных с ближним порядком и энергией взаимодействия частиц, является электропроводность. Развитие квантовой теории твердого тела привело к выводу, что электропроводность жидких металлов можно вычислить теоретически по экспериментальным данным для структурного фактора а(5), задавая Фурье-образ потенциальной энергии взаимодействия электронов с атомами расплава. Основная идея, на которой базируются расчеты электропроводности, состоит в том, что рассеяние электронов проводимости жидкого металла описывается структурным фактором, аналогичным для рентгеновского излучения или нейтронов. Заметим, что структурный фактор рассеяния электронов проводимости ограничен значениями 5, которые для одновалентных металлов находятся слева от первого максимума а 8), а для двух (и более) валентных металлов —справа от него. В то же время, по данным рассеяния медленных нейтронов и рентгеновских лучей длиной волны X = 0,5—0,7 А, структурный фактор определяется до 5 = 15—20 А"1. Выясним, чем же обусловлено такое различие а(5). По современным представлениям, электроны проводимости металла нельзя рассматривать как свободные. Их движение в кристалле модулировано периодическим силовым полем решетки. Непрерывный энергетический спектр свободных электронов в -пространстве распадается на зоны разрешенных энергий — зоны Бриллюэна, разделенные интервалами энергий, запрещенными для электронов. На шкале энергий Е к) зоны Бриллюэна изображают графически в виде полос разрешенных значений энергии и разрывов между ними (рис. 2,13). В трехмерном/г-пространстве они имеют вид многогранников, форма которых определяется симметрией кристаллических решеток, а размеры — параметрами решетки. Для гранецентрированной кубической решетки первая зона Бриллюэна представляет собой октаэдр, а для объемно-центрированной решетки — кубический додекаэдр. [c.52]

Энергия активации электропроводности у стекол системы Р—Ge—Se изменяется от 1,91 до 2,81 эв. Для стекол с наиболее низкими значениями энергии активации электропроводности получены, как правило, заниженные значения предэкспоненциального множителя Igo и. стерического фактора Ig . В структуре стекол этих составов (№ 15, 19, 20, 21) содержится по меньшей мере три вида пространственно различаюшихся структурных единиц. Вследствие несогласованности периодов валентных связей у этих структурных единиц возникают обрывы связей, создаются тупики для носителей тока, обусловливающие заниженные значения Ig . Наличие неспаренных электронов на концах таких обрывов цепей способствует понижению значения г . [c.144]

Важным физико-химическим процессом при получении керамических изделий является процесс спекания, при котором происходит уплотнение материала, рост неравновесных зерен, уменьшение количества дефектов их решетки ( отдых ) и снятие имеющихся напряжений в контактных участках материала. За последние годы в области исследования процессов спекания порошкообразных тел накоплен большой теоретический и эксперихментальный материал. Однако теория процесса спекания еще далека от завершения и пока еще нет общепринятых однозначных представлений о механизме спекания сверхчистых окислов. Одни исследователи отводят основное значение объемной самодиффузии или поверхностной диффузии, другие — пластическому н вязкому течению, испарению и конденсации материала. Полностью не изучены еще кинетика процесса спекания, влияние различных факторов на процесс и вопросы, связанные с его управлением. Особое, Б НИмание следует обратить на исследование механизма переноса вещества при спекании. Возможно, что у окислов металлов постоянной валентности (AI2O3, ВеО, MgO и др.) при высоких температурах в восстановительной газовой среде наблюдается отклонение от их стехиометрического состава. Однако степень этого отклонения и его роль при процессе спекания пока еще неизвестны. При изучении этого процесса должны быть применены методы электропроводности при высоких температурах, изучение спектров поглощения и люми-.несценции, методы фазовоконтрастной микроскопии, электронной микроскопии и особенно многолучевой интерферометрии. [c.17]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология