Поле кристаллической решетки

Квантовая механика твердых тел рассматривает движение валентных электронов в кристалле, как движение их в периодическом поле кристаллической решетки. На этой основе была разработана [c.136]

Метод [54, с. 38—41] позволяет оценить адсорбируемость топлива на поверхности металла и, как следствие, его противоизносные свойства при граничном трении. Основан метод на измерении работы выхода электрона (РВЭ), т. е. энергии удаления электрона из силового поля кристаллической решетки металла. Поскольку адсорбция (физическая и химическая) изменяет величину РВЭ, измерение разности РВЭ позволяет оценить величину и скорость адсорбции топлива. Для этого измеряют РВЭ металла до его контакта с топливом и затем после выдерживания в топливе по разности судят о величине адсорбции на данном металле исследуемого топлива. [c.123]

Методы оценки противоизносных свойств топлив и присадок стали появляться относительно недавно и пока не стандартизованы. Наиболее широко распространены следующие методы, основанные на различных принципах лабораторные стенды, на которых непосредственно измеряют износ деталей реальной топливной аппаратуры или моделирующих их устройств [6, 19, 26—29, 32] машины трения, работающие в условиях трения качения или скольжения [33—37] лабораторные методы, основанные на измерении продолжительности работоспособности топливной пленки при трении (начало катастрофического износа) [18, 31] метод измерения работы выхода электрона из силового поля кристаллической решетки металла [28, 30]. Некоторые из этих методов позволяют оценить главные составляющие противоизносного действия присадок, например их влияние на адсорбционные свойства топлива [28, 30] другие позволяют оценить действие присадок по совокупному результату (стенды с реальными элементами топливной аппаратуры). В настоящее время нет достаточных данных о корреляции результатов, получаемых разными методами, что должно учитываться при их сравнении. [c.166]

Металлические проводники. У одновалентных металлов (рис. А.62, б) L наполовину заполнена валентными электронами при увеличении энергии электронов за счет внешнего источника по проводнику может протекать ток. У двухвалентных металлов валентная зона полностью заселена электронами, однако из-за сильного взаимодействия с полем кристаллической решетки металла происходит перекрывание валентной зоны с более высокими незаполненными зонами, так что электроны могут заполнять более высокие энергетические уровни, принимая энергию (рис. А.62, в). [c.142]

В узлах кристаллической решетки металла находятся положительно заряженные ионы. В результате их взаимодействия с полярными молекулами растворителя они отрываются от кристалла и переходят в раствор. Параллельно происходит противоположный процесс перехода ионов из раствора в металл под влиянием поля кристаллической решетки. Если в первый момент скорость процесса перехода ионов в раствор больше скорости обратного перехода ионов из раствора в металл то на поверхности металла появляется избыточный отрицательный заряд (избыточные электроны). Раствор приобретает положительный заряд. Положительно заряженные ионы не удаляются от поверхности металла, а вследствие электростатических взаимодействий скапливаются у поверхности. В результате образуется двойной электрический слой, который можно представить себе в виде конденсатора, отрицательная обкладка которого образована металлом (избыточными электронами), а положительная — слоем катионов в растворе, прилегающим к металлу. Между разноименно заряженными обкладками возникает скачок потенциала. Если в начальный момент скорость перехода ионов в раствор 1 1 меньше скорости перехода ионов из раствора в металл то поверхность металла зарядится положительно, и отрицательно заряженные ионы притянутся к поверхности металла, создавая избыток отрицательных зарядов. Итоговое направление перехода ионов зависит от соотношения работы выхода ионов из кристаллической решетки W и работы выхода ионов из раствора 1 ,,. [c.318]

Примесные ядра, находясь в чужой матрице, локально возбуждают ее, но и в самом примесном атоме происходят изменения электронной конфигурации вследствие взаимодействия примеси с атомами основной решетки. Это изменение, а именно изменение распределения электронов вокруг примеси, определяется потенциальными полями кристаллической решетки. Следовательно, величина изомерного сдвига на примесном ядре в разных матрицах должна характеризовать электронное строение матрицы. [c.203]

Рис. 1.6. Периодическое поле кристаллической решетки (г — расстояние между атомами в решетке).

Энергетические у-ровни ионов, вводимых в кристаллическую решетку в качестве активаторов, значительно отличаются от уровней энергии свободных ионов. Под действием поля кристаллической решетки происходит расщепление, смещение и уширение уровней ионов. На рис. 33.40 показаны энергетические уровни двухвалентных ионов редкоземельных элементов, актиноидов и элементов группы железа, а на рис. 33.42 и 33.43 уровни трехвалентных ионов редкоземельных элементов. Наи- [c.738]

Квантовая механика твердых тел рассматривает движение валентных электронов в кристалле, как движение их в периодическом поле кристаллической решетки. На этой основе была разработана теория металлов, полупроводников и диэлектриков, получившая название зонной теории и объясняющая природу многих важнейших явлений и закономерностей в свойствах твердых тел (см. курс физики). [c.135]

Если процесс полимеризации несимметричного мономера типа СН2 = СНН протекает по типу присоединения голова к хвосту , т. е. в цепи регулярно чередуются группы СН2 и группы СНК, то возможны только два способа пространственного расположения звеньев. Управление актом роста цепи состоит, следовательно, в том, чтобы обеспечить присоединение очередного звена либо строго с той же конфигурацией асимметрического атома, что и в предыдущем звене (изотактическая цепь), либо строго с противоположной конфигурацией (синдиотактическая цепь). Фактически дело сводится к управлению строением переходного комплекса в момент роста цепи. Подобное управление может быть осуществлено с помощью специальных катализаторов гетерогенного или гомогенного типа (Циглер, Натта), влияющих на геометрию переходного комплекса, с помощью активных растворителей, принимающих участие в построении этого комплекса, а также с использование.ч любых воздействий, способствующих ориентации мономерных молекул непосредственно перед их вступлением в реакцию полимеризации. Из таких воздействий можно использовать ориентирующее поле кристаллической решетки мономеров при их полимеризации в твердой фазе или поле посторонних веществ и комплексообразующих добавок, создающих требуемые геометрически правильные структуры. Наконец, поскольку свободная энергия присоединения звена с той же конфигурацией асимметрического атома, что и в предыдущем звене, больше ово-бодной энергии присоединения эвена с противоположной конфигурацией, проводя радикальную полимеризацию при температурах, например, от —50 до —70° С, можно в некоторых случаях получить почти чистый синдиотактический полимер. [c.424]

С целью выполнения количественных вычислений для конкретных металлов следует разработать усовершенствованные методы расчета, эффективные при меньших плотностях, и учесть периодическое поле кристаллической решетки. Но качественная картина взаимодействия электронов вряд ли изменится после дальнейших уточнений по сравнению с получающейся в идеализированной модели электронного газа. [c.293]

Выше отмечалось, что понижение симметрии молекулы или сложного иона и связанные с этим изменения в спектре возникают не только в результате образования координационной связи. Аналогичный эффект может наблюдаться под влиянием поля кристаллической решетки. [c.133]

Из общих недостатков книги следует отметить полное игнорирование авто рами теории групп и соображений симметрии. Хотя авторы и подчеркивают воз можность обойтись без этого (что конечно справедливо), однако многие резуль таты теории оказываются настолько ясными в свете теории симметрии, что в настоящее время вряд ли было бы целесообразно избегать этой теории в таких курсах 1). В частности, следует отметить вопрос о поведении уровней в электри-ческ ом поле кристаллической решетки и о спиновом вырождении атомов с нечетным числом электронов (теорема Крамерса)—задачи, которые без теории групп решаются весьма сложно, а при ее применении оказываются почти тривиальными. [c.7]

Изменения в электронном спектре можно наблюдать также при переходе от паров или раствора к кристаллу. Межмолекулярные взаимодействия в поле кристаллической решетки вызывают [c.59]

Кристаллы, применяемые как материалы д.тя оптических квантовых генераторов, — так называемые активные кристаллы, состоят из двух основных компонент кристаллической основы и равномерно распределенных в ней атомов или ионов активатора, т. е. примеси, изоморфно замещающей ионы основы. Для полного изоморфного замещения радиус иона активатора должен быть близок к радиусу ионов основы. Основой служат прозрачные кристаллы, обычно бесцветные. Введение в них ионов активатора приводит к появлению областей избирательного поглощения света, в результате чего кристалл становится окрашенным. Так, ионы-активаторы хрома придают рубину красный цвет (см. 29). Взаимодействие ионов-активаторов с электромагнитным полем кристаллической решетки создает изменение энергетических уровней атомов в кристалле-основе, в результате чего кристалл приобретает способность генерации излучения, необходимую для работы ОКГ. [c.235]

Наличие такого рода дефектов приведет к тому, что будут наблюдаться локальные нарушения периодического поля кристаллической решетки. Количество дефектов этого типа может быть учтено и дается формулой [c.59]

Аналогичный эффект наблюдается при наличии активатора в кристаллической решетке. Из представлений зонной теории непосредственно следует, что полоса поглощения активатора должна быть всегда смещена в сторону больших длин волн по сравнению с фундаментальной полосой. Спектр поглощения электрона, локализованного на активаторе, как и в предыдущем случае, должен состоять из серии линий, но в силу воздействия окружающего поля кристаллической решетки основы он всегда имеет размытый вид, иногда с достаточно четко выраженной структурой. Наличие узких полос в спектре поглощения активатора обычно свидетельствует о том, что мы имеем дело не с кристаллофосфором, а с дискретным центром, свечение которого слабо связано с окружающей средой. Интенсивность полосы поглощения активатора всегда меньше интенсивности фундаментальной полосы, что вызвано их меньшей концентрацией в кристаллической решетке. Спектры поглощения активаторов могут быть экспериментально наблюдаемы при сравнении спектров поглощения активированных и неактивированных кристаллов. [c.77]

Большое значение для образования непрерывного ряда твердых растворов имеет объемный фактор, т. е. размер атомов компонентов твердого раствора. Чем больше различаются между собой размеры атомов, образующих твердый раствор, тем значительнее меняется силовое поле кристаллической решетки растворителя. Это приводит ее к деформации и к неустойчивому состоянию. Установили, что неограниченные твердые растворы образуются тогда, когда диаметры атомов различаются не более чем на 14—15%. [c.182]

Рассмотрим теперь возмущения внутримолекулярных колебаний полем кристаллической решетки. Обычно эти [c.437]

При наличии дополнительного взаимодействия (например, при наложении внешнего магнитного поля, влиянии поля кристаллической решетки и т. д.) может происходить снятие вырождения, приводящее к расщеплению соответствующего энергетического уровня атома или молекулы на несколько (в общем случае g) компонент. Величину g называют еще статистическим весом уровня, поскольку эта величина играет важную роль в статистической физике. Явление вырождения энергетических уровней тесно связано со свойствами симметрии молекул и волновых функций, а также с законом квантования моментов количества движения и их проекций. [c.13]

Представление о прямой активации. Квазиатомные и квази-молекулярные центры свечения. Изучение спектров поглощения и излучения люминофоров показывает, что в ряде случаев эти Спектры специфичны для данного активатора и могут быть приписаны электронным переходам между энергетическими уровнями, принадлежащими атому или иону активатора. Это случай так называемой прямой активации. Условием ее осуществления [65] является достаточно малое расстояние между соответствующими возбужденными и основным уровнями атома активатора, чтобы энергия кванта излучаемого света была меньше ширины запрещенной полосы кристалла, так как только в этом случае свет не будет поглощаться основанием люминофора. Поэтому, как уже отмечалось в гл. I, возникновение такого рода центров происходит при активации тяжелыми металлами, атомы которых обладают сближенными термами. В то же время следует иметь в виду, что поле кристаллической решетки и в особенности ближайшее окружение влияют на взаимное расположение уровней. Они влияют также на величину стоксова смещения и на вероятности электронных переходов. Изучение этого влияния составляет одну из главных задач спектроскопии люминесцирующих кристаллов. [c.208]

Поле кристаллической решетки вызывает сближение энергетических уровней, которое приближенно характеризуется уравнением [72] [c.210]

Энергия, выделяющаяся при включении в плоскости иона (молекулы), зависит от характера силового поля кристаллической решетки. В случае ионных кристаллов при расчете энергии присоединения необходимо принимать во внимание взаимодействие не только с наиболее близкими, но и с удаленными соседями. Расчеты показывают, что при этом начало образования нового слоя энергетически наиболее вероятно с угла грани. В неионных (гомеополярных) кристаллах молекулярные силы резко уменьшаются с увеличением расстояния, поэтому здесь достаточно принимать во внимание взаимодействие присоединившейся молекулы лишь с ее ближайшими соседями. При подробном изучении обнаруживается, что для гомеополярных кристаллов отложение частицы, начинающей новый слой, наиболее вероятно в середине плоскости имеющейся грани. Процессом, определяющим кинетику роста кристаллов в каждом из этих случаев, является образование двумерных зародышей [101] для вычисления [c.55]

Дополнительное определение понятия кристаллической фазы. Кристаллической. чвл.чется фаза, атомы которой образуют строгий дальний порядок, характеризующ,ий внутреннюю и внешнюю симметрию кристалла. Он является следствием периодичности поля кристаллической решетки, распределения электронной плотности и ядер атомов в объеме кристалла. Устойчивые структурные формы подчиняются требованиям минимума свободной энергии. Энергетическая прочность кристалла характеризуется энергией решетки (ионный кристалл) или энергией атомизации (атомный кристалл). Механическая прочность—удельной свободной поверхностной энергией. [c.325]

Иногда комплексные ионы имеют форму, не подчиняющуюся ряду кристаллографических чисел (например, существуют ионы [Тар,] , [NbF,] , [ZrF,] " и др.), если только поле кристаллической решетки не перестроит структуру. [c.99]

Если при атмосферном давлении или еще меньшем и при температуре порядка 900...1000 °С рассмотреть систему парообразный углерод—алмаз — графит, то изобарно-изотермические потенциалы их будут уменьшаться в таком же порядке. Значит, в атнх условиях из парообразного углерода должен выкристаллизоваться трафит, но с учетом правила ступеней может образоваться с какой-то степенью вероятности и алмаз. Чтобы происходило образование алмаза, следует осаждать атомы углерода на поверхность кристалла алмаза. При этом они будут находиться под влиянием силового поля кристаллической решетки, стремящейся продолжить ту укладку атомов, которая имеет место в кристаллах, находящихся в реакционной зоне. Иными словами, подложка вынуждает новые атомы углерода располагаться а определенном порядке — так называемый эпитаксиальный синтез. Практически эпитаксиальный синтез алмаза осуществляют разложением углеродсодержащих газов (метан, ацетилен и др.) при указанных выше давлениях и температурах над слоем мелких кристаллов алмаза. В этом случае происходит наращивание алмазных слоев на затравочных кристаллах. Опыты [c.141]

Выражение для энергии (VIII, 24) показывает, как влияет поле кристаллической решетки на энергию электрона по сравнению с его энергией в атоме. Согласно выражению (VIII, 16). [c.166]

Экспериментальные данные свидетельствуют о том, что природа катиона, в частности его эффективный радиус, ответственна за несколько различную добавочную поляризацию окружающих катионы молекул воды Это обуславливает небольшое отличие в энергиях водородных связей воды с анионом для разл1лчных катионов. Так, для сульфатов Ве, Мд, Ре, 2п, 2г, А1 эта энергия лежит в ингервале значений 7,2—8,4 ккал/связь. Однако вывод нельзя считать строго обоснованным, ибо для изученных соединений изменяется не только природа катиона, но изменяются также и другие параметры- кристаллическая структура, число содержащихся молекул воды. Имеются два шути некоторого преодоления указанных трудностей. Первый — выращивание большого числа изоструктурных монокристаллов с различными катионами. Это успешно осуществлено и описано в работах Баличевой с соавторами. Второй — исследование тройных систем вода — органический растворитель — соль В этом случае также устранено влияние поля кристаллической решетки [c.72]

Временная активность обусловлена действием внешних полей, в том числе полем кристаллической решетки. Существует ряд веществ, как, например, кварц, хлорат натрия, бромат натрия и много других, являющихся оптически активными только в определенных кристаллических формах при плавлении или растворении они теряют свою оптическую активность. Из таких неактивных растворов, например, из раствора правовращающих кристаллов МаСЮд, можно в зависимости [c.134]

Квадрупольные эффекты пропорциональны градиенту электрического поля. В чисто ионном состоянии, при сферической симметрии электронной плотности на ядре, квадрупольные эффекты от собственной электронной оболочки равны нулю. Градиент электрического поля на ядре в этом случае отражает градиент поля кристаллической решетки. В случае же ковалентной связи градиент поля и квадрупольное расш епление сигнала ядерного резонанса обусловлены симметрией электронной плотности валентных электронов, участвующих в ковалентной связи с лигандами, и симметрия квадрунольных эффектов может не совпадать с симметрией кристалла. [c.7]

Интерпретация частоты 210 см как частоты деформационных колебаний ь оспаривалась Севченко и др. (1951) главным образом в связи с ее чрезмерной мультиплетностью [у и02С5(Ы0з)з эта частота состоит из семи компонент] и зави симостью ее от кристаллической структуры в спектре S2UO2 I4. Дике и Дункан интерпретировали как V частоты 109 и 118 СЛ вместо обычной 210 м- . Севченко также доказывал, что ь должна иметь такое же число обертонов, как и Vs. Кроме того, для частоты 210 см не обнаруживаете изотопического эффекта кислорода, а поляризация линий, которые являются следствием возбуждения этих колебаний, зависит от кристаллической структуры. Все эти признаки указывают, по мнению Севченко, на колебания кристаллической решетки, а не на внутренние колебания иона UO2+. Но эта интерпретация несовместима с тем фактом, что на колебания с частотой 210 сж не влияет изменение числа молекул воды в ряду и02(К0з)2-/гН20( = 1, 2, 3, 6) (см. разд. 5). В самом деле, на деформационные колебания сильное влияние может оказывать-поле кристаллической решетки, поскольку энергия сильного электрического поля решетки уранила должна значительно меняться с изменением угла между связями U—О иона уранила. [c.19]

В соответствии с литературными данными [88, 99—103] в ИК-спектрах исследованных кремнефторидов наблюдаются полосы, отвечающие как валентным, так и деформационным колебаниям иона SiFe . В спектре кремнефторида натрия (рис. П-49) обнаружено расщепление полосы, относящейся к деформационным колебаниям иона SiFg ", на три компоненты которое можно объяснить понижением симметрии иона SiF под действием поля кристаллической решетки. В спектре кремнефторида аммония (рис. П-53) отмечено расщепление полосы, относящейся к колебаниям иона аммония, на две компоненты — 1410, 1430 см-. [c.103]

Рентгенографические, структурные и другие исследования показали,что действительно все периферическпе ионы координационной сферы независимо от того, присоединены ли они за счет главной пли за счет побочной валентности, удерживаются центральным ионом с одинаковой силой и на одинаковых расстояниях, даже в твердых телах под воздействием поля кристаллической решетки. Так, ион [Pt lj] " имеет форму правильного октаэдра (рис. [c.259]

Атомные остовы располагаются так, что образуют в пространстве дальний порядок (отвечающий представлениям о пространственной решетке) п, являясь активными материальными центрами, создают периодическое потенциальное поле кристаллической решетки. Электроны, входящие в состав остовов, связаны с ними, экранируют заряд ядра, влияют на потенциал поля и значительно менее — на характер связгг. [c.272]

Атомные остовы располагаются так, что образуют в пространстве дальний порядок (отвечающий представлениям о пространственной решетке) и, являясь активными материальными центрами, создают периодическое потенциальное поле кристаллической решетки. Элек- [c.321]