Поверхность металла равновесной формы кристалла образование

МОЖНО, что на острие происходит поверхностная миграция атомов металла, которая вследствие тенденции кристалла приобрести равновесную форму приводит к образованию микроскопических кристаллических граней [213]. Если на эмитирующее острие, нагретое до температуры 1000—1500° С, конденсировать атомы вольфрама, то удается наблюдать [2116, 213] поверхностную миграцию этих атомов, которая происходит в определенных предпочтительных направлениях. Аналогичные явления наблюдаются при конденсации атомов никеля на никелевом эмитирующем острие [214], и поэтому, следуя Гомеру, можно принять, что монокристаллическое острие обладает сферической формой имеет небольшие кристаллические грани с малыми индексами, отделенные одна от другой промежуточными областями без острых ребер. Естественная шероховатость поверхности, по-видимому, оказывает довольно малое влияние на эмиссию электронов [215]. Все эти наблюдения, вероятно, указывают на то, что изменение работы выхода с переходом от одного кристаллографического направления к другому не обязательно связано с фактическим присутствием соответствующих этим направлениям граней на поверхности кристалла. Отсюда, вероятно, можно сделать вывод, что работа выхода завиоит от направления, в котором электрон покидает металл. В частности, в случае монокристалла вольфрама направлению [111], перпендикулярному грани 111 , соответствует более низкая работа выхода, чем направлению [ПО]. [c.123]

При выполнении этого условия, т. е. в том случае, когда контактная разность потенциалов между полупроводником и металлом превосходит по величине 0,5—1 в, а по знаку соответствует обогащению полупроводника неосновными носителями, на поверхности последнего возникает так называемый инверсионный слой. Из сказанного понятно, что основные носители в объеме полупроводника и в инверсионном слое на поверхности имеют противоположный знак. Так, в разобранном выше примере основными носителями в объеме кристалла являются дырки, а основными носителями на поверхности — свободные электроны. Отсюда следует, что потенциальный барьер в слое пространственного заряда полупроводника соответствует образованию р—п перехода. Поскольку термодинамическая концентрация носителей заряда на контактной поверхности полупроводника близка к единице, то потенциальный барьер между этой поверхностью и металлом практически отсутствует. Поэтому в рассмотренном случае, так же как и в предыдущем, на границе раздела образуется потенциальный барьер простейшей формы. Вольт-амперная характеристика этого барьера совпадает с вольт-амперной характеристикой р—п перехода. Сказанное поясняется энергетической диаграммой, приведенной на рис. 50. Из диаграммы видно, что равновесная высота потенциального барьера, расположенного в слое пространственного заряда полупроводника, равна расстоянию между уровнем электрохимического потенциала и уровнем наиболее удаленной от него зоны (проводимости или валентной) в объеме полупроводника. [c.181]

Сандквист [35], исследуя небольшие кристаллы металлов, заметил, что для них характерно образование довольно скругленных форм. Автор пришел к выводу, что для таких металлов, как серебро, золото, медь и железо, поверхностные натяжения различных плоскостей кристалла различаются не более чем на 15%. Эти наблюдения подкрепляются теоретическими расчетами Герринга [31], показавшего, что при некоторых условиях у-кривые (кривые Вульфа) в полярных координатах должны включать сглаженные участки (которые являются частями сферических поверхностей), встреча-Ю1ДИ6СЯ в точках возврата. В зависимости то температуры равновесная форма может быть скругленной нли полиэдрической. Приведенные здесь результаты были получены при таких температурах, когда поверхностная подвижность, по-видимому, достаточно высока. Как отмечалось в разд. У-1А, вполне возможно, что при температуре, близкой к точке плавления, поверхностный слой твердого тела ведет себя подобно жидкости. [c.222]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология