Высота потенциального барьера

Рис. 4.6. Модель реакции СН3 + С2Н4 —> -СзН (изменение геометрии при сближении реагентов фиксируется параметрами и ф) (а) и поверхность потенциальной энергии Е (/ , <р) (б). (Пунктиром изображен путь реакции. Геометрия активированного комплекса фФ = 9°, = 2,25 -Ь 2,3 А. Высота потенциального барьера 31,4 кДж моль- акт. эксп = 29,4 кДж моль [ПО]).

Чтобы система могла перейти из метастабильного состояния в абсолютно устойчивое, она должна преодолеть активационный, или потенциальный барьер. Это возможно только при условии сообщения ей такой кинетической энергии, которая превосходила бы высоту потенциального барьера. [c.203]

Поскольку д в и д2 есть энергии активации прямой и обратной стадий, то "дв — д в есть тепловой эффект образования АВ, т. е. Qдв. Так как есть высота потенциального барьера реакции АВС, то величина дв, с+ а.в — лв есть высота потенциального барьера по отношению [c.95]

Здесь я — постоянная передачи, которая указывает, сколько возбужденных комплексов действительно распалось, k — постоянная Больцмана /г — постоянная Планка — универсальная газовая постоянная Т — абсолютная температура ыо — высота потенциального барьера As — разность значений энтропии основного и возбужденного состояний (величины uns относятся к одной частице, а U я S — к их молю) >. Предполагается, что в отсутствие внешних сил начальное и конечное равновесные состояния имеют одну и ту же потенциальную энергию. Тогда скорости потоков частиц через разделяющий потенциальный барьер в прямом и обратном направлениях [c.77]

При движении изображающей точки из исходного в переходное состояние происходит возрастание потенциальной энергии. Если суммарная энергия е (кинетическая плюс потенциальная) реагентов меньше высоты барьера, то вершина потенциального барьера не будет достигнута. Если же суммарная энергия больше высоты потенциального барьера, то возможно превращение соответствующего количества кинетической энергии в потенциальную — изображающая точка достигнет вершины барьера и произойдет реакция. [c.19]

Поскольку путь реакции обязательно пересекает водораздельную линию, высота потенциального барьера, преодолеваемого системой, не может быть меньше, чем высота самой низшей точки водораздельной линии. И именно через эту точку проходит путь реакции, требующий преодоления наименьшего барьера. [c.61]

Поскольку, как уже говорилось, за нуль принимается потенциальная энергия исходного состояния системы, высота потенциального барьера для любого пути, проходящего через переходное состояние, равна потенциальной энергии в переходном состоянии. [c.62]

Во-вторых, не всякое столкновение частицы с активным участком поверхности приводит к реакции. Пусть р — вероятность того, что частица в момент соударения с активным участком поверхности будет иметь нужную ориентацию. Доля частиц, имеющих энергию больше, чем — высота потенциального барьера реакции — составляет ехр(—E.JRT). Тогда вероятность того, что при соударении частицы с поверхностью произойдет реакция, будет равна [c.100]

Константы химического сдвига и спин-спинового взаимодействия зависят от структуры молекулы, ее внутримолекулярных взаимодействий. Например, ясно разделяются сигналы ЯМР у цис- и транс-изомеров, при аксиальном и экваториальном положениях заместителей. По Химическому сдвигу двух конформеров можно судить о высоте потенциального барьера вращения между ними. [c.128]

Уравнение поверхности потенциальной энергии, а следовательно, и высота потенциального барьера не зависят от изотопного состава реагирующих частиц. Поэтому, считая, что все [c.134]

Снижения высоты потенциального барьера, как видно нз формулы для определения расклинивающего давления, можно достичь либо увеличением концентрации ионов с в электролите и утонением диффузного слоя б у поверхности частиц (6=1/ ), либо уменьшением (нейтрализацией) потенциала поверхности г з1 в результате специфической адсорбции на ней потенциалопределяющих ионов. Поэтому прп воздействии электролитов на дисперсные системы говорят о концентрационной и нейтрализованной коагуляциях (рис. П1.3). [c.73]

Скелетная гибкость макромолекул - способность к конформационным переходам изолированной цепи. В изотермических условиях зависит только от химического строения макромолекулы. Определяется высотой потенциального барьера, препятствующего свободному вращению звеньев. [c.404]

Когда положительно заряженная частица приближается к ядру, существенным является только кулоновское отталкивание, и оно действует до тех пор, пока частица не достигает поверхности ядра в точке R . В этой точке начинают преобладать короткодействующие силы, которые дают потенциальный минимум внутри ядра. Максимум в непосредственной близости к поверхности ядра называют кулоновским, пли потенциальным барьером. Именно этот барьер альфа-частица в классическом понимании и должна преодолеть для того, чтобы вылететь из ядра. Так как высота потенциального барьера для равна, по крайней мере, [c.396]

Поскольку а,в и ав — это энергии активации прямой и обратной стадий, то Еаъ — а,в представляет собой тепловой эффект образования АВ, т. е. (Зав. Так как Еаъ.с — высота потенциального и барьера реакции АВ + С, то величина ав.с+ а,в — ав представляет собой высоту потенциального барьера по отношению к исходным частицам, т. е. собственно потенциальный барьер реакции Е (рис. 31) [c.89]

Высота потенциального барьера вращения, естественно, тем больше, чем больше разность максимального и минимального значений энергии взаимодействия атомов или групп атомов при их вращении относительно друг друга. Понятно также, что свободное вращение затруднено тем больше, чем больше по размеру атомы, связанные с углеродными атомами. Опыт показал, что даже когда углеродные атомы связаны со сравнительно малыми атомами водорода, свободное вращение вокруг связи С—С требует энергии активации порядка 3000 кал/моль. [c.427]

Определение Е через теплоту реакции q (метод Поляни — Семенова). Энергию активации можно рассматривать как высоту потенциального барьера при пересечении двух потенциальных кривых, из которых одна относится к разрываемой, а другая—к образующейся связи. Чем больше теплота реакции, тем ниже точка пересечения, тем меньше (при прочих равных условиях) должна быть энергия активации. Для реакций радикального отрыва типа X + НВ—>ХН + В Н. Н. Семенов предложил эмпирическую фор ) мулу = 48 —0,25< (в кДж/моль), где — теплота экзотермической реакции. Для эндотермических реакций = 48 + 0,75< . [c.79]

Для определения высоты потенциального барьера контактов кремний — металл с оксидной прослойкой снимают прямую [c.117]

Потенциональный барьер. Полная потенциальная энергия электронов (или других заряженных частиц) может быть записана в виде суммы двух членов [см. формулу (28)]. При этом результирующая высота потенциального барьера, равная разности полных [c.160]

Рассмотрим в свете сказанного движение электронов по однородному стержню, между концами которого поддерживается разность потенциалов, равная А У. Ввиду однородности стержня высота потенциального барьера в данном случае определяется только разностью приложенных потенциалов и равна Очевидно также, [c.166]

Если глубина BTojioro минимума велика, то независимо от высоты потенциального барьера происходит дальнее взаимодействие частиц, фиксируемых иа расстояниях порядка 0,1 — 1 мкм. Образовавшиеся пары взаимодействующих частиц совершают совместные колебательные и поступательные движения и могут, присоединяя другие частицы, превращаться в тройники и более сложные структуры. При достаточной концентрации дисперсной фазы система полностью структурируется, образуя сплошные пространственные сетки (рис. III.2). [c.71]

Основными факторами, определяющими структуру и реологические свойства дисперсной системы, являются концентрация частиц ф (объемная доля) и потенциал парного взаимодействия частиц. График зависимости энергии взаимодействия 21/ двух частиц от расстояния к между ними называют потенциальной кривой (рис. 93). Основными параметрами потенциальной кривой являются высота потенциального барьера А Утах, глубина потенциальной ямы Аб/щш (энергия связи частиц) и координата минимума энергии йо. В разбавленных агрегативно устойчивых дйсперсных системах (ДС/тах>А7, Аитш<.кТ, где Л7 —энергия теплового движения частиц) частицы сохраняют полную свободу взаимного перемещения или, как говорят, определенная структура [c.156]

Рассмотрим барьеры вращения на примере низкомолекулярных соединений. Структура этапа СНз—СНз показана на рпс. 4.7. Каждая группа СНз может вращаться вокруг простой связи С—С. Энергетически выгодными являются три конформации, одна из которых представлена на рис. 4.7,6. В этих положениях с минимумом потенциальной энергии Упип атомы водорода двух групп СНз наиболее удалены друг от друга. При повороте группы СНз атомы водорода обоих групп сближаются и для преодоления сил отталкивания необходима затрата дополнительной энергии, так называемой энергии активации. Три потенциальных максимума соответствуют трем конформациям молекулы этана при повороте групп СНз на 360°, когда атомы водорода двух групп СНз находятся на наиболее близком расстоянии, т. е. друг против друга (этим конформациям соответствует максимальная потенциальная энергия /тах). Разность между Игаал И [Утш предстзвляет собой высоту потенциального барьера (энергию активации). Для этана в газообразном состоянии она равна 12 кДж/моль. Этан в обычных условиях — газ. Каждая молекула его практически не взаимодействует с другими и указанное значение потенциального барьера изменяется только в кратковременные моменты соударений. Чтобы получить энергию активации, приходящуюся на одну молекулу, нужно разделить значение указанной выше потенциальной энергии на постоянную Авогадро УУа=6,02- 10-23 моль . [c.91]

Высота потенциального барьера (энергия активации элементарного акта перескока) зависит только от строения и размеров релаксирующей кинетической единицы и от условий, в которых происходит ее перемещение. Энергия активации элементарного акта перескока при этом будет определяться по углу наклона прямой Ig Vmax = /( ) - При экстраполяции ЭТОЙ прямой в области температур Т->-оо она пересекается с осью Igvmax в точке, соответствующей частоте vo= 10 - 10 Гц. С увеличением размеров кинетической единицы изменяются условия, в которых происходит их [c.189]

Другой аргумент в пользу разряда анионов через катионные мостики, когда ф)] Ф ф>о, вытекает из температурной зависимости тока в минимуме на г, ф-кривой. Поскольку в этой точке ф in Ид ф )т= = д In Ид( )т = О, то в соответствии с уравнениями (49.18) — (49.20) в минимуме /, ф-кривой А = W. Таким образом, по температурной зависимости минимального тока можно определить идеальную энергию активации W. Для реакции восстановления SjOj на ртутном электроде в присутствии катионов Na+ W = 4,1 ккал моль, а в присутствии катионов s W = —2 ккал моль. В первом случае скорость реакции возрастает с температурой, хотя и значительно медленнее, чем этого можно было бы ожидать для реакции, контролируемой скоростью разряда. Во втором случае скорость реакции падает с ростом температуры. Этот результат можно объяснить разрушением катионных мостиков с ростом температуры, что эквивалентно уменьшению поверхностной концентрации реагирующих анионов при размазывании заряда по внешней плоскости Гельмгольца. Таким образом, регистрируемая энергия активации W по существу является эффективной величиной, отражающей сумму двух противоположных эффектов ускорения стадии разряда за счет снижения высоты потенциального барьера и уменьшения скорости в результате сдвига истинного значения ф>1 в отрицательную сторону при разрушении катионных мостиков. При разряде анионов SjOr в присутствии Na+ преобладает первый эффект, а на фоне s — второй. [c.286]

Другой возможный механизм разряда при 0- 1 заключается в том, что разряжающаяся частица отделена от электрода слоем ПАОВ, а скорость реакции определяется вероятностью туннельного перехода электрона через поверхностный слой [см. уравнение (5.42)]. При этом форма поляризационной кривой будет определяться зависимостью от потенциала толщины адсорбционного слоя т и средней высоты потенциального барьера АО. [c.172]

Смотреть страницы где упоминается термин Высота потенциального барьера: [c.135] [c.359] [c.332] [c.81] [c.134] [c.75] [c.124] [c.131] [c.135] [c.95] [c.270] [c.270] [c.274] [c.274] [c.165] [c.100] [c.418] [c.235] [c.227] [c.380] [c.44]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология