Магнитосопротивление

Фиг. 38. Зависимость относительного магнитосопротивления от величины магнитного поля Н для графита при 77 и 4,2°К [271].

Наряду с удельным сопротивлением на поведение носителей электричества в значительной мере проливают свет изменения коэффициента Холла и величины сопротивления в магнитном поле (магнитосопротивления), которые наблюдаются при последовательной термической обработке. Зависимость коэффициента Холла от для низкотемпературных углеродов объясняется изменением концентрации дырок в нижней л-зоне графита, поскольку переход электронов в результате теплового возбуждения в верхнюю зону проводимости невозможен из-за слишком широкой запрещенной зоны (фиг. 29). [c.115]

МАГНИТОСОПРОТИВЛЕНИЕ И ЭФФЕКТ ШУБНИКОВА—ДЕ ХААЗА [c.238]

На рис. 122 показана зависимость величины Ар/роЯ от напряженности магнитного поля при разных температурах [43, 44]. В интервале 2—5 кэ зависимость может быть представлена прямой линией. Однако эта величина в слабых полях (до 1 кэ) сильно возрастает с уменьшением Я, что отчетливее наблюдается при более низких температурах. Авторы объясняют эти отклонения вкладом в магнитосопротивление неосновных носителей. [c.239]

Соул [40, 51 ] исследовал зависимости коэффициента Холла и магнитосопротивления монокристаллов естественного гра- [c.239]

На рис. 124 представлены зависимости магнитосопротивления от напряженности поля, полученные Соулом. [c.240]

Рис. 124. Зависимость магнитосопротивления монокристаллов графита от напряженности поля при разных температурах

Рис. 125. Зависимость магнитосопротивления пирографитов от напряженности магнитного поля

Отрицательные значения магнитосопротивления получил Саундерс [56] при исследовании пироуглерода и броми-рованного графита. [c.241]

Рис. 129. Зависимость коэффициента Холла и магнитосопротивления углеродистых тел от температуры графитации

Хорошо графитированные образцы обладают положительным магнитосопротивлением. Такая же зависимость описана в работе [86]. [c.247]

Приблизительно до 2300° К магнитосопротивление почти не отличается от нуля. Кривая начинает отклоняться от нуля в сторону отрицательных значений при более высоких температурах обработки. Магнитосопротивление с повышением температуры графитации дости- [c.247]

Магнитосопротивление поликристаллического графита [c.247]

Магнитосопротивление графитированных материалов [c.248]

Впервые на принципиальную возможность превращения висмута в собственный полупроводник в очень сильных магнитных полях указано в работе [42] экспериментальные поиски такого перехода у сурьмы предпринимались в работе [43] изменение числа носителей у висмута наблюдалось в работах [44] аномалии электронных характеристик предсказаны и исследованы в [45]. В последних экспериментах [46] на В1 с примесями наблюдался переход диэлектрик — металл.- в сильном магнитном поле. Резкое падение сопротивления с ростом магнитного поля (переход диэлектрик — металл ) наблюдалось в работе [46а], а изменение характера температурной зависимости магнитосопротивления — в работе [4661. [c.164]

Самым естественным объяснением влияния кислорода является понижение эффективной толщины д, металлического слоя. Однако измерения магнитосопротивления показывают [3], что при этом одновременно изменяются собственные магнитные свойства пленки, такие, как, например, поверхностная анизотропия. Но, по нашему мнению, основанному на [c.88]

Рис. 4.31. Магнитосопротивление алюминия различной чистоты

Измерения исследуемых образцов показали, что МС при ц-омнатной температуре положительно и монотонно возрастает с магнитным полем, но с понижением температуры эта монотонность нарунтается. Так при температуре жидкого азота у об-])азцои с меиее упорядоченной структурой было обнаружено отрицательное магнитосопротивление (ОМС). При температуре 1,2° К все исследуемые образцы имеют ОМС, причем прн малых магнитных полях величина ОМС растет. Однако возрастание магнитного поля приводит к насыщению ОМС, и даже к некоторому уменьшению абсолютной величины МС. [c.144]

В качестве материалов исследования выбиралось два типа мелкокристаллических графитов изотропный (марки ПРИ) и анизотропный графит (марки УПВ), параметры которых (размер кристаллитов вдоль базисной плоскости и вдоль оси С, межслоевое расстояние и др.), за исключением параметра анизотропии, практически совпадают. Техника эксперимента и параметры структуры исследуемых материалов приведены в [2]. Проведены измерения зависимости магиитосопротивления от величины магнитного поля в области полей 1-60кЭ и температуры в области температур 4,2 — 300 К. В неупорядоченных как изотропных, так и анизотропных графитах в широкой области температур наблюдается отрицательное магнитосопротивление, которое при повышении температуры переходит в положительное. [c.146]

В рамках теории [1]. рассматривающей влияние магиитно-1 0 поля на квантовые поправки к проводимости, аномальное магнитосопротивление объясняется частичным разрушением локализации магнитным полем и влиянием магнитного поля на поправку к проводимости за счет взаимодействующих электронов. Полная квантовая поправка к проводимости в магнитном поле имеет вид [c.146]

Некоторые висмутовые сплавы обладают уникальными магнитными свойствами. Сильные постоянные магниты делают из сплава, состав которого определяется формулой МпВ1. А сплав состава 88% В1 и 12% 8Ь в магнитном поле обнаруживает аномальный эффект магнитосопротивления из этого сплава изготовляют быстродействующие усилители и выключатели. [c.244]

Магнитосопротивление. Магнитосопротивление при низких температурах достигает очень больших значений [971]. Были обнаружены также осцилляции де Хааза—ван Альфена кроме, того, эффект, подобный эффекту де Хааза—ван Альфена, наблюдался при низких температурах и для магнитной восприимчивости [61, 920, 921]. Во всех этих экспериментах были найдены точно такие же осцилляции де Хааза—ван Альфена. Степень совпадения значений периода Р между последова- [c.128]

Кроме того, в сильно разупорядоченных углеродах абсолютная величина термо-э. д. с. постепенно падает по мере последовательного повышения упорядоченности под действием отжига [89] это обстоятельство, вероятно, частично обусловлено присутствием в таких образцах инородных атомов. Для некоторых кристаллических соединений были измерены также коэффициент Холла и магнитосопротивление. На фнг. 49 и 50 представлены кривые, иллюстрирующие изменение элек- [c.183]

Кинчин [36] измерил магнитосопротивление графитированных образцов при разных температурах. Он нашел, что в интервале 77—290° К магнитосопротивление пропорционально В табл. 44 приведены данные, полученные при исследовании графитированных при 2873° К образцов в поле 2140 гс, направленном перпендикулярно направлению тока. Образцы были вырезаны в направлении выдавливания (Л) и в направлении, перпендикулярном оси прессования Б). [c.247]

Других свойств [67, 93]. Доногью и Этерли [84] исследовали также магнитосопротивление в зависимости от температуры обработки углеродистого тела. Результаты работы приведены на рис. 129 (кривая 4). [c.247]

Хаузер [88] исследовал магнитосопротивление в болеесиль-ных полях. Он считает, что экспериментальные результаты, полученные им, можно описать уравнением [c.247]

Пони>кение ) может быть в свою очередь обусловлено либо уменьшением I Нр , либо увеличением 7 . В первом случае может изменяться относительная доля электронной проводимости из-за уменьшения числа проводящих электронов с их локализзцией, или из-зз изменения электронной структуры поверхностных зтомов (блокировка орбит, участвующих в электронной проводимости, за счет адсорбции), вследствие чего пониншется эффективнзя плотность электронов. Во втором случае, при изменениях надо предполагать, что магнитная часть сопротивления с адсорбцией увеличивается, поскольку известно [2], что р ,. Последнее предположение позволяет легко объяснить, почему после адсорбции водорода [3] (эффект магнитосопротивления растет) наблюдается более значительное изменение сопротивления в магнитном поле. [c.89]

На рис. 4.30 показано относительное изменение удельного сопротивления меди и натрия в зависимости от напряженности магнитного поля при температуре 4,2 К. На рис. 4.31 и 4.32 приведены магнитосопро-тивления алюминия и меди в зависимости от чистоты, магнитной индукции и температуры. Магнитосопротивление поликристал- [c.155]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология