Политипизм

Частный случай П.— политипия (политипизм) политип-ные модификации представляют собой разл. варианты наложения одинаковых двумерных структурных фрагментов при этом два параметра решетки неизменны, а третий меняется, оставаясь кратным пост, величине. Характерный пример — Si , для к-рого известно более 40 модификаций. [c.464]

Физика и химия твердого состояния органических соединений, пер. с англ.. М., 1967 Проблемы физики и химии твердого состояния органических соединений, пер. с англ.. М., 1968 В е р м а А., Кришна П., Полиморфизм и политипизм в кристаллах, пер. с англ., М., 1969. Я. М. Зоркий. [c.464]

Частный случай П.-политипизм (политипия). Политип-ные модификации представляют собой разл. варианты наложения одинаковых двухмерных структурных фрагментов, при этом два параметра решетки неизменны, а третий [c.16]

Лит Физика и химия твердого состояния органических соединений, пер с англ, М, 1967, Проблемы физики и химии твердого состояния органических соединений, пер с англ, М, 1968, Верма А, Рам Кришна П, Полиморфизм и политипизм в кристаллах, пер с англ, М, 1969, Бокий Г Б, Кристаллохимия, 3 нзд, М, 1971, Изюмов Ю А, Сыромятников В Н Фазовые переходы и симметрия кристаллов, М, 984 П М Зоркий [c.16]

Политипизм как свойство кристаллических веществ и соединений существовать в виде разнообразных многослойных структурных форм, отличающихся способом упаковки идентичных слоев, известен достаточно давно [29]. В последние годы обнаружено много новых политипов различных соединений [30]. [c.105]

Иной подход к описанию явления концентрационного политипизма, учитьшающий фундаментальный принцип химической стабильности кристаллов в рамках зонной теории и основанный на прямом квантовохимическом анализе особенностей электронноэнергетического состояния моделируемой системы, развивается в работах [36—39]. Обсудим их основные результаты. [c.106]

Естественно, что потенциальные возможности подхода [36, 37] не ограничиваются задачей определения элементного состава политипов. Современные вычислительные методы квантовой теории, как это мы попытались продемонстрировать в настоящей монографии, оказьшаются эффективными при решении проблем кристаллохимии, позволяют проводить корректные расчеты многих иных физикохимических свойств твердофазных систем. Отсюда, получаемая информация о фундаментальных электронно-энергетических состояниях политипов определяет перспективы описания явления концентрационного политипизма во взаимосвязи электронное строение — состав — структура — свойства. [c.109]

Результаты расчетов полных зонных энергий указанных систем суммированы в табл. 5.3, откуда следует, что максимальной химической стабильности системы (минимальные значения соответствуют конфигурации 2 и 3, когда в структуре базисной фазы (А1М) образуются блоки дефектов , состояние из четырех сопряженных монослоев состава О—(А1о,5Уд о5)—N—(81о,5А1о,5), рис. 5.9. Авторы делают также предположение, что поскольку в блоке дефектов присутствуют слои (А1о,5 а1о5) ( 10,5 10.5). то в дефектном блоке могут образовываться чередующиеся цепочки атомов А1, катионные вакансии и А1, 81 — своеобразный политипизм политипных слоев . [c.113]

Берма А., Кришна П. Политипизм и полиморфизм в кристаллах. М. Мир. 1969 [c.115]

Николин Б. И. Многослойные структуры и политипизм в металлических сплавах. Киев Наукова Думка. 1984 [c.115]

Особым случаем полиморфизма является так называемый поли-гипизм, заключающийся в том, что вещество может кристаллизоваться в нескольких модификациях, отличающихся типом упаковки атомов. Политипизм можно назвать условно полиморфизмом в одном направлении, поскольку политипные модификации имеют одинаковые параметры элементарной ячейки по двум кристаллографическим направлениям и разные (но кратные одной и той же общей величине) по третьему направлению, что объясняется различием в способе упаковки атомных слоев в этом направлении. [c.65]

Политипизм характерен для некоторых плотноупакованных и слоистых структур. Классическим примером соединения, обладающего политипизмом, является карборунд a-Si . Это соединение существует в виде более 50 политипных разновидностей, отличающихся различным типом гексагональной упаковки в направлении оси с, проявляющимся в том, что повторяющиеся слои чередуются в этом направлении через различное расстояние (различное число слоев). Элементарная ячейка a-Si имеет параметры а=Ь = = 0,3078 нм и с = 0,2518п нм, где п — число слоев в гексагональной ячейке политипа в направлении оси с, которое может изменяться от 2 до 500 и более. Самую большую элементарную ячейку имеет политип a-Si , в котором повторение слоев наблюдается через 594 слоя, а наиболее известным является шестислойный политип. [c.65]

Политипизм приближается к фазовым переходам второго рода. [c.65]

Полиморфизм некоторых глинистых минералов, а также некоторых других слоистых силикатов, например слюд, возникает часто как следствие различных способов укладки слоев в их структурах, что также может рассматриваться как один из случаев проявления политипизма. [c.66]

Полиморфизм в структурах ПАВ можно определить как сосуществование двух или более минимумов свободной энергии в фазе твердого состояния. Эти минимумы говорят о сосуществовании двух или более кристаллических твердых фаз при данных термодинамических условиях. Какую именно из фаз мы будем наблюдать, зависит от химического и термического состояния образца ПАВ, в частности, от условий кристаллизации и дальнейшей термической обработки. Основной полиморфизм в дальнейшем подразделяется на полиморфизм и политипизм. В этой более узкой форме полиморфизма полиморфы различаются структурными единицами ячейки. Политипизм же определяется как одноплоскостной полиморфизм. Он наблюдается при разных вари-антах упаковок ламинарных слоев, идентичных по всем прочим параметрам, при сосуществовании двух или более структурных единиц ячейки в данных термодинамических условиях [24]. [c.144]

Все соединения этого типа являются фазами переменного состава. Полиморфизм и политипизм, свойственные многим из них, приводят к сильной зависимости структурно чувствительных свойств от условий выращивания кристалла и термической обработки. [c.369]

Карбид кремния имеет три полиморфные модификации гексагональную и тригональную (a-Si ) и кубическую (P-Si ). Карбид кремния является примером политипизма при кристаллизации все политипы (например, a-Si ) имеют ось а, равную 0,3073 нм, а ось с имеет различные значения для каждого политипа. В табл. [c.264]

Механизм полиморфных превращений и их значение детально рассмотрены в монографии Верма А., Кришна П. Полиморфизм и политипизм в кристаллах, Изд-во Мир 1969. Прим. ред. [c.162]

На некоторых гранях кристаллов а-31С наблюдаются ориентированные сверхсростки (например, в виде правильных пирамид) возле спиралей роста, которые получаются в процессе производства карборунда. В центрах некоторых спиралей наблюдаются гексагональные пятна, пустоты и другие виды нарушений нормальной структуры. Богато иллюстрированное экспериментальное исследование Верма подтверждает ранее высказанные предположения о причинах политипизма а-51С, заключающихся в нарушениях роста кристаллов. [c.74]

Баккли [182] нашел, что ширина и глубина некоторых спиралей роста и им подобных образований на гранях [0001] а-51С имеют порядок до нескольких тысяч размеров элементарной ячейки. Такие образования, по Баккли, могут происходить также и вследствие скручивания элементарных слоев при росте кристаллов карборунда. Вэнд [242] попытался применить теорию нарушений (дислокаций) решетки карборунда для объяснения его политипизма. [c.74]

Нарушения структуры, несомненно, обусловливают не только политипизм а-ЗЮ, но и некоторое колебание его технических свойств. Поэтому они заслуживают дальнейшего изучения. Изложенные выше представления о причинах политипизма карборунда были рассмотрены Франком [183], который показал образование нарушений (дислокаций) в решетке карборунда при росте кристаллов. [c.74]

Политипия (или политипизм) — явление, характерное для некоторых плотно упакованных и слоистых структур. Политипы — это структуры, построенные из одних и тех же слоев с разной последовательностью их чередования. Параметры решетки у политипов в плоскости слоя неизменны, а в направлении, перпендикулярном слоям, различны, но всегда кратны расстоянию между ближайшими слоями. Различие политипов проявляется и в некоторых их свойствах, особенно в оптических. [c.173]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология