Спираль роста

Рис. 111. Спираль роста по уравнению (2. 419) г = 2Г( ф (спираль Архимеда) при осаждении (центр приподнят) или растворении (центр углублен) металла на одной винтовой дислокации.

Высота ступенек была измерена для некоторых кристаллов, например для органических молекул с длинной цепью, гематита, берилла, карбида кремния, йодистого кадмия и т. д., и было найдено, что эти значения высот являются характеристикой кристалла и находятся в соответствии с данными рентгеновского анализа. Для элементарных спиралей роста, возникающих из простых дислокаций, высота имеет величину рентгеновской единицы. Ступеньки с высотой, в несколько раз большей, возникают из дислокаций кратной мощности, в то время как ступеньки с высотой, меньшей рентгеновской единицы, возникают из переплетающихся спиралей. [c.154]

В. Формы спиралей роста [c.203]

После того как была сформулирована теория роста несовершенных кристаллов, многие исследователи начали изучать на гранях различных кристаллов формы спиралей роста с высотой ступени порядка размеров [c.203]

Рис. 10. Спираль роста на грани кристалла -парафина, образовавшаяся из одной винтовой дислокации (Доусон и Ванд [20]).

Кристаллы полиэтилена, выращенные из раствора охлаждением, состоят из тонких слоев толщиной около 100 А и при соответствующих условиях образуют ромбы с террасами спиралей роста, начинающихся у винтовых дислокаций (рис. 27). Габитус этих кристаллов идентичен габитусу кристаллов парафинов с длинными цепями, который обнаружили Даусон и Ванд [15] (см. рис. 14). Края ромбов являются гранями (ПО) призмы, а молекулярные цепи лежат в направлении оси с, перпендикулярном плоскости основания (т. е. перпендикулярно пластинкам). В процессе роста молекулы укладываются складками вдоль граней призмы. ТакиМ [c.396]

В более общем случае, когда грань кристалла содержит несколько спиралей роста, между ними возникает особое взаимодействие. Однако скорость роста никогда не меняется в такой степени, что ее зависимость от а становится меньше линейной или возрастает в большей степени, чем по квадратичной зависимости, выражаемой уравнением (20) (пока расстояние между векторами дислокаций больше, чем а ). [c.168]

Таблица 10 Характеристика высоты ступеней спиралей роста а-5 С

VI.32. Теперь мы обсудим, какую форму будет иметь спираль роста. Рассмотрим спираль, форма которой определяется уравнением [c.181]

Более того, необходимо более внимательно разобраться в скоростях роста разных участков грани, обслуживаемой единичной спиралью роста. Пусть спираль зарождается в районе, где пересыщение равно Ар (1), и предположим, что (1) < х . Пусть также спираль распространяется на другую область, где пересыщение Ар (2) немного меньше, чем Ар (1). При этих пересыщениях скорости роста обоих участков грани даются уравнением ( 1.38), а именно [c.186]

Винтовая дислокация, спираль роста и скорость роста. На всякой кристаллической поверхности, первоначально даже покрытой (в силу геометрической необходимости) участками высоких индексов со ступенями, по истечении некоторого промежутка времени ступени постепенно исчезают такая поверхность в конце концов превратится в кристаллическую грань, ограниченную плотноупакованной плоскостью, причем для ее роста необходим источник ступеней. Франк [160] предположил, что некоторые дислокации в кристаллах, до того изучавшиеся главным образом в связи с механическими свойствами кристаллов, а именно винтовые дислокации (хотя и необязательно чисто винтовые достаточно того, чтобы дислокация имела ненулевую компоненту вектора Бюргерса, нормальную грани), могут служить непрерывным источником ступеней для роста кристаллов на плотноупакованных поверхностях. [c.449]

Противоречие устраняется, если учесть [17, 18] такие дефекты кристалла, которые обеспечивают непрерывное возобновление атомных ступенек и искажений идеальной структуры. К ним принадлежат, например, так называемые винтовые дислокации, показанные на рис. 116. Здесь рост кристалла происходит путем простого присоединения атомов к ступеньке ВС. При этом последняя поворачивается вокруг точки В. Полный оборот вблизи этой точки требует осаждения меньшего числа частиц, чем вдали от нее. Поэтому центр дислокации вращается быстрее, чем наружная часть, и ступенька закручивается в спираль роста (см. рис. 117). [c.390]

Имеются прямые опыты, подтверждающие обратимость слоистоспирального роста и растворения кристаллов, что теоретически предсказал еще Франк [364]. Так, например, М. Н. Козловский [369] показал экспериментально, что при переходе от роста к растворению бывшая спираль роста начинает стягиваться к центру и как бы вращаться в противоположную сторону. Одновременно в центре спирали возникает спираль растворения. При растворении кристаллов зависимость скорости растворения слоев от их высоты имеет тот же характер, что и при росте. Однако при одинаковых АГ скорости растворения значительно больше скоростей роста. [c.98]

Однако для макродеформации монокристалла по дислокационному механизму необходимо значительное число дислокаций. Каково же оно на самом деле Установлено, что в кристаллах линейных полимеров могут быть четыре типа дислокаций [13, с. 494] винтовые — с векторами Бюргерса параллельными и перпендикулярными направлению цепи и краевые —с аналогично ориентированными векторами Бюргерса. Винтовые дислокации с параллельными направлению цепи векторами Бюргерса легко обнаруживаются электронно-микроскопически. Их существование подтверждается наличием спиралей роста (см. рис. I. 7, а стр. 33). Вектор Бюргерса таких винтовых дислокаций равен высоте молекулярной складки (- 100 А). [c.169]

Рис. 11. Спираль роста на грани кристалла я-парафина, образовавшаяся из двух противозначных дислокаций с замкнутыми ступеньками (Доусон и Ванд [20]).

Если спираль роста образуется двумя или несколькими однозначными винтовыми дислокациями, находящимися друг от друга на расстоянии, меньшем чем2яре, то получается единая система спиралей. Две такие объединенные спирали изображены на рис. 13. В этом случае обе спирали активно участвуют в механизме роста, а скорость роста при равных условиях должна быть приблизительно в два раза больше, чем в случае одной дислокации. [c.204]

Р н с. 17. Спираль роста на грани (100) кристалла сахарозы. Х240 (Мид). [c.387]

Если на сингулярную поверхность выходит одна винтовая дислокация, то образуется ступень, которая бежит в направлении к ребру кристалла. Поэтому воронка должна представлять как бы амфитеатр, образуемый поворачивающейся по спирали ступенькой и спускающийся от поверхности в глубину или до дислокации, или до поверхности полой трубки. Наблюдения спиралей роста часто позволяют установить, что в центре спирали находится отверстие (см., например, рис. 15 и 16). Спираль разворачивается обратно, образуя фигуру роста в виде холма с небольшой воронкой на его вершине. Напротив, в центрах спиралей на кристаллах парафинов с длинной цепью, например н-гексатриаконтана С36Н74, отверстий нет (см. рис. 14) [15], хотя высота ступени и свидетельствует [c.390]

Р ис. 5.35. Интерференционная микрофотография спиралей роста в криста./1лах полиоксиэтилена. (Фотография предоставлена Коваксом.) Кристаллы выращены из расплава полимера молекулярною веса 6000 при 59,5°С. Оптическая интерференционная система Нормарс-кого. Видны левые и правые спирали и террасы (образование которых вызывают пары близко расположенных винтовых дислокаций). Цепи макромолекул расположены перпендикулярно плоскости рисунка. Длина вектора Бюргерса равна длине складки. [c.105]

Особенно подробно спирали роста a-Si в связи с его полити-пизмом были изучены Ферма [181]. По Ферма, на кристаллах a-Si наблюдаются три типа спиралей роста 1) элементарные, с шагом, приблизительно равным размеру элементарной ячейки 2) происходящие из-за нарушений (дислокаций) увеличивающейся силы, шаг которых равен кратному размеру элементарной ячейки 3) переплетающиеся спирали, высота ступеней которых равна дробной части размера элементарной ячейки. [c.73]

На некоторых гранях кристаллов а-31С наблюдаются ориентированные сверхсростки (например, в виде правильных пирамид) возле спиралей роста, которые получаются в процессе производства карборунда. В центрах некоторых спиралей наблюдаются гексагональные пятна, пустоты и другие виды нарушений нормальной структуры. Богато иллюстрированное экспериментальное исследование Верма подтверждает ранее высказанные предположения о причинах политипизма а-51С, заключающихся в нарушениях роста кристаллов. [c.74]

Баккли [182] нашел, что ширина и глубина некоторых спиралей роста и им подобных образований на гранях [0001] а-51С имеют порядок до нескольких тысяч размеров элементарной ячейки. Такие образования, по Баккли, могут происходить также и вследствие скручивания элементарных слоев при росте кристаллов карборунда. Вэнд [242] попытался применить теорию нарушений (дислокаций) решетки карборунда для объяснения его политипизма. [c.74]

IV. 12. Предположение Франка вскоре было подтверждено открытием спиралей роста на гранях многих природных и искусственных кристаллов. В некоторых случаях ступени спиралей имели единичную высоту (вектор Бюргерса равен 1), в других она равнялась нескольким параметрам элементарной ячейки. Потребовалось применение специальных методов, чтобы сделать видимыми ступени единичной высоты. С другой стороны, укрупненные ступени могут иметь настолько большую высоту, что становятся видимыми в обычный оптический микроскоп. В работе Доусона [Dawson, 19521 приведена электронномикроскопическая фотография кристалла к-гек-тана, у которого спиральная ступень имеет мономолекулярную высоту. [c.125]

Спирали роста. Из многочисленных наблюдений спиралей роста, проводившихся как в процессе самого роста, так и по его завершении, мы отметим исследования Форти [183] и Ньюкирка [184] на db и Козловского [185] на р-метилнафталине. Кроме того, еще до введения Бюргерсом (в 1939 г.) понятия винтовой дислокации Хекк в 1936—1937 гг. [186, 187] наблюдал спирали на кристаллах парафина. Наконец, множество блестящих картин спиралей на Si приведено в книге Вермы [188]. [c.464]

ПЫМ этапом надо считать форму, в кото- никнет мембрана (б), рой матричное вещество окружено элементарной мембраной. Затем мембрана образует выступы — псевдоподии. Области между выступами постепенно сужаются н втягиваются внутрь возникающей структуры. Образуется система парных мембран — зачаток эндоплазматической сети — ши-рокоразветвленных каналов и полостей, обнаруживаемых во всех клетках. В швановских клетках имеется образование, по форме напоминающее сигару и состоящее из закрученных в спираль мембран. Предполагается, что это есть структура, получившаяся за счет ускоренного роста одной мембраны. Д. Робертсон назвал это образование спиралью роста и высказал уверенность, что здесь мы встречаемся с формированием новых мембран, которые сматываются со спирали и идут на постройку эндоплазматической сети. [c.161]

Смотреть страницы где упоминается термин Спираль роста: [c.108] [c.3] [c.5] [c.481] [c.76] [c.83] [c.203] [c.385] [c.395] [c.105] [c.106] [c.168] [c.74] [c.417] [c.171] [c.100] [c.458] [c.76] [c.197] [c.481] [c.417] [c.163]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология