Параметры грани

Положение любой грани кристалла можно задать так называемыми индексами грани. Для этого выбирают какую-либо грань кристалла, пересекающую все три оси координат, например грань Af,Bg на рис. 40, и принимают отрезки, отсекаемые ею на осях, за единичные. Такую грань называют единичной. Отрезки ОА , 08 и ОС единичные. Они могут быть равными и неравными друг другу. Ими измеряют расстояния по осям х, у, г, параллельным ребрам кристалла. Если теперь взять любую грань кристалла АБС, которая отсекает на осях отрезки О А, ОВ и ОС (параметры грани), то эти отрезки, выраженные в единичных отрезках, будут относиться друг к другу как [c.120]

Абсолютные значения параметров граней геометрическими методами определить невозможно. В настоящее время это можно сделать только с помощью рентгеновских лучей. При описании морфологии кристаллов ограничиваются установлением параметров единичной грани геометрическими методами [c.52]

Таким образом, по-видимому, хемосорбция водорода может быть использована для оценки площади поверхности соответствующих металлов (в частности, платины) в дисперсном виде. Площадь Лн, занимаемая атомом водорода, зависит от параметров граней металлов, доступных для адсорбции для платины Лн составляет, вероятно, примерно 11 [c.293]

Этими целыми числа.ми, которые носят название параметров грани, определяется положение грани. Однако в различные формулы структурного анализа они входят всегда в [c.11]

Эмиссионные параметры граней монокристалла ниобия. [c.233]

С помощью этого оператора можно преобразовывать как параметры граней и ребер, так и их символу. Так, символ (hkl) преобразуется в (hkl). [c.91]

Если оси координат принимать параллельными ребрам кристалла и параметры граней измерять осевыми единицами (отсекаемыми единичной гранью), то при таком методе характеристики положения граней выявляется весьма важный закон — второй закон кристаллографии, закон рациональных отношений [c.59]

Индексы грани — это величины, обратно пропорциональные параметрам грани X, у, Z. [c.59]

Положение любой грани кристалла можно задать так называемыми параметрами грани х, у, z. [c.66]

Параметрами грани называются величины отрезков, отсекаемых плоскостью грани на осях, выраженные числом осевых единиц. [c.66]

Казалось бы, простой метод описания положения граней совокупностью параметров д , у, z вполне удовлетворителен. Но в кристаллографии и рентгенографии пользуются не параметрами, а индексами грани h, k, 1. Индексы грани — это величины, обратно пропорциональные параметрам грани х, у, z. [c.66]

Выберем в кристаллическом многограннике три некомпланарные грани и примем их за координатные плоскости, а ребра, по которым пересекаются эти грани, — за оси координат. Выберем также еще одну единичную грань, не параллельную ни одной из координатных плоскостей и отсекающую на осях координат отрезки ОА, ОВ, ОС — параметры грани. Согласно закону рациональности параметров для любой другой грани кристалла, отсекающей на осях координат отрезки ОА, ОВ, ОС, двойные отношения отрезков равны [c.31]

Однако, когда однофазные образцы, окисленные до значения х=0,18—0,25, выдерживаются при низкой температуре, в них появляется вторая фаза. Новая фаза дает на рентгенограммах слабые, плохо разрешенные рефлексы, тем не менее удалось установить, что параметр ее решетки близок к параметру гране-центрировапной псевдоячейки U4O9. Коуэн и Берман считают, что в тройной системе возможно образование фазы (U, Th)40g, простирающейся по направлению к углу ТЬОг не исключено также, что эта фаза метастабильна, так как ее не удалось найти в равновесии с ромбической фазой типа закиси-окиси урана, появляющейся при больших степенях окисления. Несомненно, однако, что твердые растворы с х = 0,18—0,25, полученные при 1200° С, не равновесны при более низких температурах и выделяют вторую фазу, изменяя свой состав примерно до иДЬ1 уОг,18-2,20. [c.238]

Положение любой грани кристалла можно задать так называемыми параметрами грани, одна1<о удобнее пользоваться числами, обратными им, называемыми индексами грани. [c.84]

Индексы rpaiHf—это величины, обратно пропорциона,льные параметрам грани—отрезкам, отсекаемым плоскостью г])ани на осях (причём за единицу приняты отрезки, отсекаемые единичной гранью). [c.84]

Попытки прямо определить разницу в электродных потенциалах в зависимости от кристаллографических параметров грани до настоящего времени не дали определенных результатов. В одних случаях наблюдается вполне заметная разница,, в других — нельзя отметить никакой разницы. Вероятно, неудачи в этом направлении связаны прежде всего с ошибками экспериментальной техники. Так, например, в одной из последних американских работ [5] проводились измерения потенциалов на отдельных зернах на образце листового алюминия. С помощью рекристаллизации зерна были выращены до значительных размеров. Чтобы определить ориентировку зереп, образец подвергался глубокому травлению. Помимо того, что в работе был использован алюминий, являющийся, вследствие наличия защитной пленки, не особенно удачным объектом для решения поставленного вопроса, была еще допущена грубая ошибка в том, что измерения производились на травленой поверхности (в растворе 37% НС1). Ведь [c.120]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология