Рекристаллизация влияние внутренних напряжений

Влияние внутренних напряжений демонстрирует следующий опыт. Вертикально установленные пластины цинка касались нижним краем большой капли галлия. Предварительная деформация (прокатка) пластин значительно ускоряет подъем галлия (рис. IV. 21). Напротив, после предварительного отжига, сопровождающегося вторичной рекристаллизацией и снятием остаточных напряжений, проникновение жидкого галлия вдоль межзеренных границ прекращается [279,280]. При повышении температуры внутренние напряжения частично снимаются и средняя скорость распространения жидкого галлия уменьшается (рис. IV. 22). [c.150]

Некоторые физические эффекты, вызываемые радиационным сшиванием полимеров, уже обсуждались (стр. 179), но в полиэтилене, кроме того, проявляются изменения модуля эластичности ниже точки плавления, плотности, поглощения в инфракрасной области, прозрачности, ядерного магнитного резонанса и плавкости, которые можно объяснить исчезновением при облучении кристаллических областей [В1, В104, С67, С70, 059, Р46, К17, 572]. Исчезновение кристаллических областей связано с тем, что поперечные связи вызывают внутреннее напряжение в материале. При комнатной температуре напряжение мало влияет на кристалличность [С64, 584], но, если нагреть облученный полиэтилен выше температуры плавления кристаллов, а затем вновь охладить, то рекристаллизация затрудняется [ У38, ЛУ45]. Подобные эффекты наблюдаются во время облучения, если оно происходит при температуре, при которой многие из кристаллитов плавятся, например в ядерном реакторе. Эффект выражен тем резче, чем большее число кристаллитов плавится во время облучения [С47]. Другая причина влияния излучения на кристалличность состоит в том, что сшивание, в особенности вызываемое излучением с высокой линейной плотностью ионизации, эффективно разрывает кристаллиты на более мелкие единицы [564, 572]. Одновременно с процессом сшивания из облучаемого полиэтилена идет значительное выделение газа. Газ в основном состоит из водорода. Образование водорода линейно зависит от дозы вплоть до нескольких сот мегарад и в противопо-.ложность сшиванию не зависит от температуры в пределах от —200 до -Ы00° [С65]. Количественные данные приведены в табл. 47. Очевидно, что выход очень близок к выходу водорода из низкомолекулярных насыщенных н-углеводородов (табл. 19, стр. 91). [c.186]

Микро- и макродефекты кристаллической решетки образуются при формировании эмульсионных микрокристаллов в стадии первого созревания. В стадии второго созревания (в случае низкодисперсной твердой фазы) кристаллизационный процесс практически прекращается (см. раздел II.1), и поэтому здесь могут происходить лишь поверхностные явления. Причина образования локальных нарушений связана с тем, что возникновение и рост эмульсионных микрокристаллов происходит не в идеальных условиях во-первых, кристаллизационная среда всегда загрязнена примесями (желатина и ее микрокомпоненты), мешающими кристаллизации (см. раздел П1.3) во-вторых, весьма сильное влияние оказывает скорость кристаллизации,— при слишком быстром росте отложение вещества будет мешать рекристаллизации, т. е. устранению возникающих дефектов. Поэтому грани кристалла в действительности не бывают идеальными плоскостями, они состоят большей частью из отдельных участков, находящихся под самыми различными углами друг к другу,— так называемых вициналий [34]. Существенное влияние на возникновение дефектов решетки и внутренних напряжений оказывают ионы иода — их концентрация и распределение в смешанных бромоиодосеребряных кристаллах [35]. Состояние поверхности имеет особо важное значение к моменту начала второго созревания (см. раздел УП.б). [c.62]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология