Плазматрон преимущества

В случае крайне неравномерного распределения определяемого элемента в анализируемой пробе, когда интегральный прием входного сигнала невыгоден (см. стр. 43), фотоэлектрический сцинтилляционный способ регистрации имеет неоспоримые большие преимущества перед обычным фотографическим способом регистрации. Сцинтилляционный метод регистрации основан на приеме и суммировании входного сигнала только в моменты вспышек (импульсов) излучения аналитической линии. Этот способ, предложенный вначале для анализа аэрозолей, был использован затем для спектрального определения металлосодержащих включений в рудах [683, 684, 407], порошкообразные пробы которых непрерывно и равномерно подаются в источник света (газовое пламя, электрический разряд, плазматрон). [c.68]

Огромный интерес к плазматрону обусловлен следующими преимуществами этого источника света [16] [c.159]

Интересно сопоставить параметры плазмы, генерируемой электродными и безэлектродными плазматронами с помощью индукционной связи источника энергии с плазмой. В случае электродных плазматронов возникает целый ряд новых проблем помимо вопросов химической совместимости материалов электродов с плазмой и охлаждения плазмы. Электроды обычно располагаются таким образом, чтобы было удобно вводить через них реагенты, а присутствие последних в плазме часто влияет на работу плазматронов. Электроды также вызывают магнитогазодинамическое сжатие плазмы [3], что приводит к образованию ее потоков, которые могут быть полезными или вредными в зависимости от применения плазматрона. Электродные плазматроны характеризуются высокими скоростями истекающей плазмы и малым поперечным сечением ее по сравнению с индукционными безэлектродными плазматронами той же мощности. В зависимости от конкретных применений увеличенное время пребывания реагентов в плазме индукционного разряда может быть преимуществом или недостатком безэлектродных плазматронов однако из безэлектродного плазматрона с помощью сопел, сжимающих поток плазмы, можно также получить большие скорости истечения плазмы. [c.43]

В настоящее время преимущество плазмы, генерируемой электродными плазматронами, заключается в низкой стоимости электроэнергии постоянного тока, используемой для их питания но можно ожидать, что в связи с разработкой высокочастотных генераторов на твердом теле стоимость высокочастотной энергии в будущем снизится. Эффективность использования энергии плазмы для химической реакции в обоих случаях сопоставима. Но особенно удобно использовать безэлектродную плазму для лабораторных исследований в связи с работой плазматронов на любом газе, удобным вводом в него различных реагентов и визуальным наблюдением за происходящими в плазме процессами. В настоящее время три фирмы в США и [c.43]

Сверхвысокочастотные и высокочастотные разряды могут быть безэлектродными — в этом заключается их важное преимущество по сравнению с разрядами постоянного тока. СВЧ-плазматроны значительно проще в обслуживании, чем высокочастотные плазматроны и электродные плазматроны постоянного тока. В последние годы стали вполне доступными СВЧ-установки большой мощности. Поэтому целесообразно рассмотреть технические вопросы использования СВЧ-разрядов в химической технологии. [c.106]

Плазматроны. Начиная с 1959 г. в практике эмиссионного спектрального анализа находят применение новые источники возбуждения спектра - плазматроны. Их преимущество состоит в том, что они позволяют сконцентрировать энергию в небольшом объеме и получить за этот счет довольно высокую температуру плазмы до 50 ООО К и значительно выше. [c.30]

В Линкольновской лаборатории Массачусетского технологического института индукционный, плазматрон использовался для выращивания монокристаллов для научных целей [4]. Такие кристаллы получали по способу, аналогичному вернейлевскому, — порошок просыпали через плазму на растущий кристалл. Применение плазмы для этих целей дает ряд преимуществ по сравнению с пламенами в плазме можно создавать химическую атмосферу, необходимую для процесса, а также выращивать кристаллы, температуры плавления которых лежат выше температур, достижимых в пламенах. Так были выращены кристаллы металлического ниобия в арго-но-гелиевой плазме, присутствие в которой даже следов кислорода или водяного пара могло привести к окислению металла. Были получены также кристаллы большинства моноокисей переходных металлов, в частности МпО, СоО, NiO [5]. Кристалл окиси марганца был выращен в потоке очищенного водорода, вводимого ниже зоны светящегося шара для того, чтобы сохранить низший окисел марганца. Кристалл же окиси никеля был получен в чисто кислородной плазме, которая препятствовала спонтанному восстановлению окисла до металла. В качестве примера получения кристаллов высокотемпературных материалов можно назвать выращивание кристалла стабилизированного окисла циркония (температура плавления 600 °С) в плазме, состоявшей из 70% кислорода и 30% аргона. [c.44]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология