Энтропия колебательная, изменение при образовании дефектов

Множитель f связан с изменением колебательной энтропии при образовании дефектов. Если частота атомных колебаний идеалыюго кристалла — [c.319]

Рассмотрим теперь несколько детальнее проблему расчета концентрации дефектов при разупорядочении по Шоттки. Поскольку учитывался лишь обмен частиц местами и соответствующая этому процессу доля энтропии, то величина /Сз оказалась зависящей только от 88- При более точном анализе следует принять во внимание, что образование вакансии вызывает изменение частот колебания окружающих ее атомов. Следовательно, имеет место изменение колебательной энтропии А5кол- Это можно учесть, добавив к правой части уравнения (П1.7) член 7Д5кол = Т Ахиол, что приве- [c.86]

Здесь В = е Д5° — изменение энтропии, связанное с изменением колебательного спектра при образовании дефектов решетки. Энергию образования дефекта всегда можно представить в виде разности К—е , причем энергия сублимации реального кристалла [c.117]

Это много меньше наблюдаемого изменения энтропии при плавлении. Расположение катионных и анионных вакансий определяет местоположение избыточных отрицательного и положительного зарядов, которые притягиваются друг к другу и образуют пары. Это ведет к тому, что вычисленная энтропия плавления становится еще меньше . Однако для беспорядочной жидкой структуры можно ожидать наличия большего числа мест, доступных для ионов (при умеренном увеличении энергии), или большего числа возможных размещений, чем то, которое вычисляется по возрастанию объема вышеуказанным упрощенным способом. Кроме того, возможно увеличение колебательной энтропии из-за возрастания числа вакансий. Исследуя образование дефектов в кристаллическом Na l, Этцель и Маурер [6] нашли, что колебательная энтропия при образовании пары вакансий увеличивается на 3,3 к, где k — постоянная Больцмана. [c.188]

Таким же образом, как это было сделано выше, можно рассмотреть ассоциацию дефектов, имеющих заряды zq z больше единицы. Энергия связи в этом случае увеличивается в ZiZ2 раз. Кроме того, возможно образование более сложных ассоциатов. При наличии одного типа дефектов с двойным отрицательным зарядом и дефектов другого типа с одинарным положительным зарядом могут возникать как однократно заряженные пары, так и нейтральные триплеты. В разд. XI 1.2.5 рассмотрен пример такого рода — исследованная Морином, Рейсом и Фуллером ассоциация цинка и лития в германии. Уже здесь можно отметить, что образование триплетов также может быть объяснено простым кулоновским взаимодействием с 1, т. е., как и в рассмотренных выше случаях образования пар, изменение колебательной энтропии пренебрежимо мало. [c.207]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология