Энтропия образования дефектов

Точечные дефекты присущи равновесным кристаллам и образование их следует из статистической теории этих систем. Процесс образования дефектов энергетически невыгоден, но он приводит к увеличению энтропии вследствие возрастания числа конфигураций системы. Действительно, идеальному кристаллу АХ отвечает единственный способ распределения частиц А и X в решетке. В то же время для кристалла с дефектами имеется множество конфигураций, отличающихся по расположению вакансий или междоузельных атомов. [c.191]

Процесс образования дефектов кристаллической решетки, конечно, эндотермический, и как всякое разупорядочение сопровождается возрастанием энтропии (AS > 0). Поэтому в согласии с AG — АН — TAS при любой температуре, отличной от абсолютного нуля (Т > О К), в реальном кристалле должны существовать дефектные позиции или вакансии. Полное структурное упорядочение может реализоваться лишь при абсолютном нуле (О К). [c.286]

Выше уже отмечалось, что в отличие от дислокаций точечные дефекты (например, вакансии), имеющие сравнительно большую энтропию образования, не приводят к существенному росту энергии кристалла (поэтому их равновесная концентрация довольно велика) и практически (по сравнению с дислокациями) не участвуют в ускорении анодного растворения металла. [c.118]

Для образования дефектов по Френкелю и Шоттки требуются определенные затраты энергии (энергии активации процесса образования дефекта), однако оно сопровождается увеличением энтропии за счет возрастания степени разупорядоченности решетки, что вызывает уменьшение энергии Гиббса. Следовательно, образование подобных дефектов оказывается энергетически выгодным и приводит к повышению стабильности кристалла. Отсюда следует, что тепловые дефекты по Френкелю и Шоттки являются равновесными и каждой температуре соответствует их определенная равновесная концентрация в кристалле. [c.84]

Здесь В = е Д5° — изменение энтропии, связанное с изменением колебательного спектра при образовании дефектов решетки. Энергию образования дефекта всегда можно представить в виде разности К—е , причем энергия сублимации реального кристалла [c.117]

Пусть Еф — энергия, необходимая для образования дефекта по Френкелю, и А Уф — изменение объема, обусловленное образованием этого дефекта. В дальнейшем пусть — число атомов и М число промежуточных положений в кристалле. Тогда энтропия конфигурации равна [c.87]

Это может иметь место, если возможность образования дефектов кристаллической решетки в больших ядрах выше, чем в малых. Следует ожидать, что всякий раз, когда поверхность раздела когерентна, исходное вещество будет удерживать небольшие объемы продукта в кристаллическом состоянии, близком к его структуре. Разрушение же этой вынужденной структуры продукта с образованием кристаллической или аморфной фазы другого тина будет происходить только тогда, когда на продукте уже не будет сказываться влияние исходного вещества. Именно этим и можно объяснить предполагаемое изменение энтропии активации и прекращение медленного роста после достижения критического размера ядра. [c.113]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология