Дефекты образования

Кроме точечных дефектов несовершенство кристалла в значительной степени определяется смещениями и перестановками элементов решетки (линейными дефектами), поворотом слоев в кристалле (плоскостные дефекты), образованием пор, пустот и включений (объемные, трехмерные дефекты). Наиболее заметные отклонения от идеальной структуры наблюдаются на поверх- [c.431]

Изменение образца при приготовлении. При уменьшении толщины препарата (шлифовки, полировки и т. п.) могут быть частично релаксированы дислокации, поэтому дислокационная структура тонких и толстых объектов часто бывает различной (в процессе приготовления пластинок из стали перемещается, например, до 20% дислокаций). Нагревание образца в процессе полировки часто приводит к определенным фазовым превращениям вещества в поверхностном слое (отжиг части точечных дефектов, образование гидридов в токе водорода и т. п.). Могут происходить различные изменения в пленке образца и при переносе ее из камеры предварительного приготовления в вакуумную систему, и при пребывании в условиях глубокого вакуума. [c.144]

Напротив, в нестехиометрическом кристалле обычно доминирует только один сорт атомных дефектов, образование которых также можно выразить квазихимическими уравнениями. Например, в бинарном кристалле АВ, поглощающем избыток компонента В из газовой фазы, возникают дефекты типа. . . атомов или. .. в Л-подрешетке [c.330]

Вообще говоря, встречаются оба типа дефектов, но, поскольку и о и да практически порядка 1 эВ, то те дефекты, образованию которых соответствует меньшая энергия активации, будут встречаться чаще, и в каждом отдельном случае мы будем иметь дело с одним преобладающим типом дефектов. [c.281]

Для большинства получаемых разными способами кристаллов граната характерно наличие полосчатости, которая диагностируется с помощью травления, декорирования и наиболее наглядно — наблюдением в поляризованном свете. В последнем случае проявление полосчатости обусловливается оптической анизотропией граната, вызываемой остаточными напряжениями, возникающими в связи с неравномерным слоистым расположением включений, примесей, различных двухмерных и точечных дефектов. Образование примесной полосчатости связывается с колебаниями температуры, скорости перемещения кристалла, концентрационным переохлаждением. [c.186]

Формула (3.34) справедлива для емкостных дефектов, образованных слоями с выраженными границами. Коэффициент отражения тешювой волны от резистивного дефекта [c.72]

В данном примере видно, что реконструированные размеры данного дефекта существенно не совпадают с запроектированными, что характерно для дефектов, образованных внесением инородного материала между слоями основного изделия. В случае дефектов типа пазов, засверловок и т.п. точность применения описанных выше приемов является более высокой. [c.129]

Таким образом, приведенными результатами доказано, что в области прозрачности лейкосапфира (то есть в области частот, находящихся выше края фундаментального фононного поглощения) попадают частоты колебаний, обусловленные точечными дефектами. Образование этих дефектов, согласно характеру электродиффузии, вызвано потерей ионов А1 + при кристаллизации в вакууме или в восстановительной атмосфере. [c.84]

Вообще говоря, теория дислокаций — это область физики твердого тела и непосредственного отношения к теме данной книги она не имеет, тем не менее мы коротко, в общих чертах, рассмотрим применение этой теории в химии поверхностей. По-видимому, наиболее простыми типами дефектов являются дефекты, образованные избыточными, или внедренными, атомами, — дефекты Френкеля [70] и дефекты, образованные недостающими атомами или вакансиями, — дефекты Шоттки [71]. Такие точечные дефекты играют важную роль в диффузии и электрической проводимости в твердых телах, а также при внедрении солей в первичные решетки частиц иной валентности [72]. Термодинамически существование дефектов определяется энергией и энтропией их образования. Эта ситуация напоминает образование изолированных дырок и блуждающих атомов на поверхности. Дислокации в свою очередь можно рассматривать как организованную совокупность точечных дефектов дислокации представляют собой дефекты решетки и играют важную роль в механизме пластической деформации твердых тел. В отличие от точечных дефектов образование дислокаций обусловливается не столько термодинамическими требованиями, сколько механизмом возникновения зародышей и роста кристалла (см. разд. У П1-4). [c.215]

Настоящая книга представляет собой труд, в котором кинетика и механизм химических реакций в твердой фазе излагаются, начиная от физических и физико-химических основ (теория дислокаций и ионных дефектов, образование и рост зародышей, действие света на твердые тела) и кончая подробным рассмотрением частных групп реакций, имеющих практическое значение (взрыв и детонация в твердых взрывчатых веществах, окисление металлов, фотографический процесс и др.). Специальные главы посвящены поверхности твердых тел, электронному фактору в хемосорбции и катализе и реакциям между твердыми телами. [c.4]

Анализ докладов, представленных иа I Международную конференцию по ферритам (Япония, 1970 г.), показывает, какое большое внимание ведущие исследовательские центры уделяют изучению физико-химической природы процессов, происходящих иа различных стадиях синтеза и в процессе длительной эксплуатации ферритовых элементов. Это обстоятельство, собственно говоря, и побудило нас написать настоящую книгу, выбрав в качестве основной темы процесс термической обработки ферритов, имеющий исключительно большое значение для формирования магнитных и электрических параметров. В зависимости от температуры и давления кислорода в окружающей среде (газовая фаза) в ферритах происходят различные физико-химические изменения, связанные с изменением валентного состояния и распределения катионов, появлением и исчезновением дефектов, образованием или разрушением однофазной кристаллической структуры. [c.5]

Дефекты, образованные захваченным электроном. [c.195]

Дефекты, образованные захваченной дыркой. [c.195]

При ремонте дефектов, образованных межкристаллитной коррозией, чрезвычайно опасен перегрев деталей, особенно перегрев металла прежнего шва. В этих случаях применяют замачивание, охлаждение струей воды или сварку в ванне с водой. Необходим также строгий контроль режимов сварки. [c.367]

Реальный ПВХ содержит разные химические, конфигурационные и конформационные дефекты, проявляющиеся в спектре. Так, для химического дефекта образования связей типа голова к голове , т. е. структуры —СНг—СНг—, характерна полоса 763 см- маятниковых колебаний двух рядом расположенных групп СНг. При появлении дефектов любого из перечисленных типов возникают колебания с частотами выше обычных для валентных колебаний с—С1 и т. д. В результате взаимодействия дефектов могут наблюдаться расщепления характерных для них полос, величина которых зависит от последовательности дефектов и расстояния между ними в цепи. [c.260]

Существует еще два типа кинетических кривых взаимодействия газа с поверхностью твердого тела. Если образования ядер фазы твердого продукта по тем или иным причинам не происходит, реакция остается в гомогенной области. Такую картину можно наблюдать, например, для оксидов цинка, ванадия. Возможен также случай, когда реакция не проникает в подповерхностные слои, что чаще всего обусловлено диффузионным торможением (времена реакции существенно меньше времен диффузии). Так обстоит дело, в частности, при восстановлении специально приготовленного оксида железа, при карбидировании железа оксидом углерода. В этом случае в пределах поверхности монослоя может быть реализована полная кинетическая картина реакции газа с твердым телом образование дефектов и кластеров дефектов, образования ядер фазы твердого продукта, их рост и слияние в сплошной слой твердого продукта. При этом образуются двумерные поверхностные фазы, .толщина которых может не превышать размеров элементарной ячейки. [c.286]

Преимуществом вулканизации в среде горячего воздуха является то, что при этом способе можно осмотреть поверхность обкладки для обнаружения дефектов (образование воздушных пузырей и вздутий, расслоение швов, отслоение резины от металла и пр.). Вследствие этого всегда имеется возможность быстро ликвидировать дефекты еще в сырой обкладке. [c.177]

Ремонт корпуса. В зависимости от условий работы корпуса турбокомпрессоров изготовляют литыми из чугуна и стали различных марок, а также из стальных поковок (для высокого давления). Основные дефекты образование трещин в ребрах, перего-138 [c.138]

Дефект Образование пузырей и растре- [c.210]

В заключение отметим, что имеется ряд равноправно существующих моделей, описывающих взаимодействие точечных дефектов, образование ассоциатов, сверхструктур, упорядочение и аннигиляцию дефектов путем перегруппировки координационных полиэдров. Некоторые типы дефектов в кристаллах ферритов и их влияние на физические свойства будут рассмотрены в главах 4 и 5. [c.41]

Межузельный атом представляет собой дефект, образованный перемещением атома из среднего положения на поверхности кристалла в междоузлие (в идеальном кристалле оно свободно). Если же межузельный атом образуется путем переноса атома из нормального узла (где возникает вакансия) в достаточно удаленное междоузлие, то этот парный дефект называют дефектом Френкеля. [c.162]

Исследования М. С. Аслановой с сотрудниками показали [197—200], что высокая скорость охлаждения при формовании способствует фиксации в тонких стеклянных волокнах структуры высокотемпературного, однородного жидкого расплава, что и определяет их высокую прочность. Далее, высокая прочность волокон по сравнению с массивным стеклом вызвана уменьшением величины н числа опасных поверхностных дефектов, образование которых зависит от метода и условий производства волокон, их химического состава, а также от физикохимического взаимодействия поверхностных дефектов с окружающей средой. [c.127]

IX.2.4. Ассоциация нейтральных дефектов образование пар [c.212]

Ассоциация нейтральных дефектов. Образование кластеров 269 [c.269]

Рассмотрим сначала атомные дефекты. Образование и исчезновение этих дефектов связано с миграцией атомов. Как правило, такие процессы имеют весьма высокую энергию активации. Охлаждение замедляет эти процессы, хотя и не всегда в достаточной степени, чтобы полностью заморозить высокотемпературное состояние. При данной скорости охлаждения эффективность [c.339]

Все эти перечисленные свойства характерны для наноструктур с относительно крупными нанокластерами, которые должны сохранять также большую плотность дефектов, образованных действием высокого давления со сдвигом. [c.576]

Полупроводниковые материалы на базе оксидов переходных металлов должны иметь вполне определенную концентрацию вакансий, что достигается одним из способов управления дефекто-образованием. Например, в оксид никеля N10 вводится добавка оксида лития Li20. Разница зарядов N1 + и в структуре мате-)иала компенсируется за счет образования из ионов N 2+ ионов в количестве, равном количеству примесных ионов [c.50]

При контроле методом цветной дефектоскопии поверхности детали качество оценивается по показаниям дефекта. Показания дефекта — это след от дефекта, образованный индикаторным пе-нетрантом на слое проявителя. [c.121]

Количественно денлетивная адсорбция ионогенных веществ на полупроводниках описывается теорией граничного слоя [11, 59]. Согласно этой теории, в результате адсорбции образуется заряженный слой глубиной I, в пределах которого все дефекты, образованные заряженными частицами, могут нейтрализоваться адсорбирующимися частицами. В результате при плотности дефектов, равной о (число избыточных атомов цинка на 1 ом 2пО), концентрация адсорбата на поверхности равна Па1 или [c.527]

При исправлении дефектов, образованных общей коррозией, чрезвычайно важно обеспечить соответствие химического состава шва и основного металла. Поэтому наиболее желательна аргоно-дуговая сварка. Если материал шва существенно отличается по составу от основного металла и развилась общая коррозия, необходимо перекрыть прежний сварной шов не только на прокорроди-ровавших участках, но и на всем его протяжении, предварительно углубив его на здоровых участках на 3—4 мм. [c.367]

Последний из перечисленных дефектов — образование петель — должен быть устранен во всех случаях. Появление петель может быть вызвано различными причинами, например неправильным увлажнением, неправильным подбором состава препарации или неверной ее дозировкой, неправильным подбором климатических условий, неточной установкой и неправильной работой нитеводителей, перекосом бобины, установленной на фрикционном валу, наконец, неправильной регулировкой прижимного устройства. Регулировке усилия, прижимающего бобину к ведущему фрикционному валу, должно быть уделено особое внимание. Необходимо, чтобы противовес, установленный на перекидном рычаге прижимного цилиндра (см. рис. 127,6), был тогао отрегулирован можно осуществлять прижим и за счет груза, подвешенного на канатике (см. рис. 144). Особенно отрицательно на качество шелка влияет неравномерное вращение бобины, так называемое биение на фрикционном валу, явление, которое объясняется неправильной установкой противовеса. [c.346]

В стехиометрическом соединении МаХь, где а/6 = onst, между концентрациями точечных дефектов, образованных на обеих под-решетках должны существовать такие соотношения, которые обеспечивали бы постоянство числа а/Ь и, следовательно, различные точечные дефекты не могут вводиться или исчезать независимо друг от друга. Поэтому в данном случае нельзя приписать отдельным дефектам определенные значения химического потенциала. [c.198]

С ростом температуры наблюдается также ослабление влияния облучения на самодиффузию анионов, что может быть следствием убыдающей с ростом температуры устойчивостью первичных радиационных дефектов, образование которых предшествует как появлению молекулярного галогена, так и нейтральных атомов металла в решетке кристалла при ионизации. Сюда следует отнести центры окрашивания типа F, V, М и т. д. Когда время жизни таких дефектов становится близким ко времени ожидания элементарного акта диффузии, описываемое влияние рентгеновского облучения па диффузию не должно наблюдаться. [c.110]

В II. 1—II.2 мы познакомились с дефектами кристаллов, образованными атомами (точечные) и группами атомов (протяженные). Они, как известно, подчиняются статистике Больцмана. Но в физике полупроводников рассматриваются дополнительные дефекты , образованные микрочастицами электронами, дырками, фотонами, фснонами, экси-тонами и др. Дефекты такого рода оказывают ренаюдее влияние на поведение полупроводников. Хотя в определенных случаях равновесие электронов и дырок, как мы видели в VIII.1, может рассматриваться с тех же позиций, как, например, ионное произведение воды. [c.525]

Уитвом и Эванс [12] провели двустадийное испытание. Исследовали коррозионную усталость образцов стальной проволоки, которые предварительно были испытаны на усталость в воздушной среде для выяснения предположения о преимущественной коррозии точечных дефектов, образованных на воздухе. Был использован водный 0,1 М раствор КС1, который предварительно был аэрирован. Однако общее время до разрушения образцов при двустадийном испытании значительно не отличалось от времени до разрушения образцов, испытанных непосредственно на коррозионную усталость, что указывает на отсутствие какой-либо связи между действием коррозии и циклического нагружения, если они действуют раздельно. Химическая активность стали увеличиваться только тогда, когда коррозия действует одновременно с циклическими напряжениями. Дальнейшая работа Эванса [c.286]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология