Вторичная фосфоресценция

Перейдём к рассмотрению оптического высвечивания возбуждённых фосфоров с глубокими уровнями локализации. Будем считать, что первичное действие высвечивающих длинноволновых лучей пропорционально числу локализованных электронов ). Если отвлечься от энергетически слабого явления вторичной фосфоресценции, то дифференциальное уравнение процесса будет [c.346]

Вторичные фосфоресценции и число повторных локализаций у щёлочноземельных фосфоров [c.404]

ВТОРИЧНЫЕ ФОСФОРЕСЦЕНЦИИ У ЩЁЛОЧНОЗЕМЕЛЬНЫХ ФОСФОРОВ [c.405]

Затухание каждой новой фосфоресценции протекает по гиперболическому закону. Показатель затухания а очень мал для затухания вторичной фосфоресценции первых вспышек а 0,7. Затухание фосфоресценции дальнейших вспышек идёт ещё медленнее а 0,5. 3) Отношение световой суммы вторичной фосфоресценции к световой сумме соответствующей вспышки несколько возрастает с номером вспышки. 4) Общая площадь кривых всех вторичных фосфоресценций приблизительно равна площади кривой основной фосфоресценции, высвечивающейся после возбуждения фосфора. Эта последняя у Са8-8г8-Се,5т,Ьа-фосфоров сама представляет лишь небольшой процент от общей площади излучения вспышки ( 5 % по визуальным измерениям без учёта различия спектрального состава). Так как у данного класса фосфоров энергия вторичных фосфоресценций мала по сравнению с энергией вспышки, то количество электронов, вторично локализующихся на мелких уровнях фосфоресценции, невелико. Значительно больше в 20 раз) может быть число электро сов, вторично попадающих на глубокие уровни, однако в среднем каждый из электронов, освобождённый с уровней, вспышки, претерпевает всё же не более одной повторной локализации. [c.406]

Зависимость световых сумм Л ф вторичной фосфоресценции от световых сумм Л вспышек [c.407]

Рис. 272. Величины световых сумм 15 ф вторичных фосфоресценций у Са8(1)-8гЗ(2)-Сс,Зт,Ьа-фосфора с различным первоначальным возбуждением в функции остающихся в фосфоре аккумулированных световых сумм вспышки.

Основным выводом из описанной серии опытов с вторичной фосфоресценцией, помимо доказательства раздельного существования уровней вспышки и уровней фосфоресценции, является также вывод о малом влия-Еви повторных локализаций иа высвечивание Са8-8г8-Се, 8ш, Ва-фосфора и относительно малом числе таких локализаций у. отого типа фосфоров. [c.407]

Итак, после затухания естественной фосфоресценции кристалл обесцвечивается на 5—9%. После освещения такого кристалла светом в области F-полосы наблюдается вторичная фосфоресценция, которая может быть многократно воспроизведена действием света вплоть до полного обесцвечивания кристалла. Но при этом интегральная световая сумма не превышает при данной концентрации Р-центров общего числа квантов, излучаемых кристаллом при непрерывном действии видимого света (вспьшхки) до полного обесцвечивания кристалла. [c.59]

Вторичная фосфоресценция, наблюдаемая после кратковременного облучения окрашенного кристалла F-светом, может быть вызвана либо преобразованием устойчивых центров в малоустойчивые центры окраски, либо вследствие вторичной локализации высвобождаемых действием света F-электронов на мелких уровнях захвата, для последующего освобождения с которых при комнатной температуре достаточны тепловые флуктуации решетки. Преобразование одних цен1ров в другие возможно вследствие вторичного захвата электронов галоидными вакансиями, расположенными вблизи центров свечения Скорее всего под действием высвечивающего света оба указанных процесса протекают одновременно, [c.60]

Существование отдельных глубоких п мелких уровней локализации доказывается также явлением вторичных фосфоресценций предварительновозбуждённого вспышечного фосфора, кратко описанным в 59. Вторичная фосфоресценция, наблюдающаяся более или менее продолжительное время после прекращения действия на вспышечны фосфор инфракрасных лучей, т. е. после прекращения безинерционной оптической вспышки, объясняется наличием двух сортов уровней. Под действием инфракрасных лучей электроны с глубоких уровней локализации поднимаются в полосу проводимости, однако лишь часть из них претерпевает непосредственную рекомбинацию, давая вспыншу, другая же часть электронов повторно локализуется. Электроны, повторно локализовавшиеся на неглубоких уровнях, и дают вторичную фосфоресценцию. Таким образом, при импульсном действии инфракрасных лучей происходит перемещение части электронов с глубоких уровней локализации на мелкие. Подробное описание вторичной фосфоресценции Са5-8г8 Се,8ш,Ъа-фосфо-ров см. 77. [c.335]

Свечение при действии длинноволновых лучей состоит из двух частей свечения, возникающего при рекомбинации электронов, поднятых с глубоких уровней действием длинноволновой радиации, и из вторичной фосфоресценции, происхождение которой было описано выше. Оба свечения связаны друг с другом, вследствие чего вспышка не сразу достигает своей полной силы, так как в первые моменты возбу-и деиия часть электронов, освобождённых с глубоких уровней, претерпевает повторные локализации на мелких уровнях. Свечение достигает своей полной силы лишь после того, как повторные локализапии компенсируются вторичной фосфоресценцией. Б дальнейшем свечение затухает по мере уменьшения числа электронов на глубоких уровнях. При прекращении действия высвечивающих лучей свечение вспышки прекращается мгновенно, но остаётся длительная вторичная фосфоресценция. [c.339]

Рис. 271 (правая часть), взятый из работы автора [314], описывает явление вторичных фосфоресценций у Са8 8rS- ,Sm,La-фосфора ( 59). Слева дано естественное затухание фосфоресценции, 7ф и в масштабе 0,1 вспышки О в при неарерывном высвечивании. При импульсном воздей [c.404]

Как указывалось, механизм вторичной фосфоресценции состоит в том, что при поднятии в полосу проводимости электронов, локализованных на уровнях вспышки, часть из них не рекомбинирует, а претерпевает повторную локализацию на мелких уровнях фосфоресценции, с которых в дальнейшем освобождается термическим путём, создавая свечение вторичной фосфоресценции. Энергия повторных фосфоресценций черпается из энергии соответствующей вспышки и определяется её величиной. Так как яркость вспышки зависит от величины аккумулированной световой суммы и от распределения электронов по уровням локализации, то и вторичные фосфоресценции будут зависеть от этих величин. В частности, величины световых сумм вторичных фосфоресценций, возникающих при повторных вспышках (рис. 186), должны дать в зависимости от аккумулировапных фосфором световых сумм такой же ряд кривых, какой получается для самих интенсивностей вспышек. [c.406]

Возбуждённые щёлочногалоидные фосфоры, активированные таллием, при облучении их инфракрасными лучами дают оптическую вспышку, обладающую инерционностью, последняя вызвана развитием вторичной фосфоресценции ). Носле прекращения действия инфракрасных лучей и окончания вторичной фосфоресценции интенсивность свечения нри затухании становится меньше, чем у фосфора, не подвергавшегося действию инфракрасных лучей. Общая длительность высвечивания КС1, ТК"1-фосфоров продолжается несколько часов. [c.424]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология