Световая сумма

Представление о локальных уровнях захвата электронов лежит в основе современной теории люминесценции кристаллофосфоров. Ими прежде всего объясняется возможность накопления фосфором световой суммы, т. е. сам факт фосфоресценции, а также все явления,относящиеся к кинетике послесвечения. Электрон может быть освобожден с локального уровня тепловыми колебаниями решетки, если его глубина не слишком велика, либо действием света. Поэтому ряд явлений, связанных с действием света на возбужденный фосфор, обусловлен электронами, локализованными на локальных уровнях захвата. Несмотря на фундаментальную роль понятий об электронных уровнях в современной теории люминесценции, представление о причинах их возникновения в кристалле страдает крайней общностью, приводит к чисто феноменологическому описанию их константами вероятностей захвата и высвобождения электронов. [c.46]

ЗАВИСИМОСТЬ МЕЖДУ СВЕТОВОЙ СУММОЙ УЛЬТРАФИОЛЕТОВОЙ ЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ И КОНЦЕНТРАЦИЕЙ F-ЦЕНТРОВ [c.51]

Для измерения световой суммы люминесценции кристаллы ставились на расстоянии 20 см от счетчика, перед фотокатодом которого помещалась диафрагма с диаметром отверстия 0,4 см. Так как световой поток люминесценции кристалла изотропен, то, считая расстояние межд/ кристаллом и счетчиком достато -нэ большим по сравнению с размерами кристалла, можно по числу фотоэлектронов, регистрируемых счетчиком, определить полное число световых квантов, излучаемых кристаллом по всем направлениям, пользуясь формулой [c.52]

Зависимость световых сумм от концентрации Р -центров определялась для вспышки и фосфоресценции. [c.54]

Рис. 21. Зависимость между световой суммой вспышки ультрафиолетовой люминесценции окрашенных кристаллов Na и КС1 и коэффициентом поглощения в максимуме F-полосы.

Зависимость световой суммы ультрафиолетовой вспышки КС1 от конценграции f-центров в кристалле (объем кристалла 1 см [c.56]

Зависимость световой суммы ультрафиолетовой вспышки Na ) от концентрации / -центров в кристалле (Объем кристалла 1 см площадь отверстия диафрагмы перед фотокатодом 5 = 0.1256 см расстояние кристалла от счетчика 20 см. полуширина f-полосы 0,47 эв.) [c.57]

Второй способ основан на том, что для начальной стадии термического высвечивания, когда запасенная световая сумма не успела заметным образом высветиться, справедливо неравенство [c.87]

Таким образом, выдержка кристалла в темноте после рентгенизации приводит к существенному изменению интенсивности и запасенной световой суммы свечения в первом пике. При указанной продолжительности выдержки интенсивность и световая сумма во втором пике остаются почти неизменными. Наряду с уменьшением световой суммы свечения происходит также смещение первого максимума интенсивности в сторону более высоких температур, что означает снижение центра тяжести данной группы уровней. Оно происходит в связи с тем, что в каждой группе существует некоторое распределение уровней по глубине, вследствие чего вероятность освобождения электронов под действием тепловых колебаний решетки неодинакова для различных уровней данной группы. [c.98]

Особенно резкая зависимость световых сумм от скорости охлаждения наблюдается в том случае, когда прогрев кристалла производится при температуре, близкой к его точке плавления. Если принять световую сумму термовысвечивания необработанного кристалла каменной соли в видимой области во втором интервале температур за единицу, то при большой скорости охлаждения она при одинаковых условиях рентгенизации возрастает более чем в 600 раз. [c.105]

Продолжительность термической обработки Световая сумма свечения [c.106]

Если прогретый и быстро охлажденный кристалл (закалка) опять подвергнуть прогреву при высокой температуре, но затем медленно охладить (отжиг), то интенсивность свечения и световая сумма уменьшаются по сравнению с их первоначальными значениями в закаленных кристаллах, хотя и сохраняются выше, чем в необработанных кристаллах. Изменяется при этом также соотно- [c.107]

В чем же причина столь значительного возрастания интенсивности и световых сумм термовысвечивания под действием термической обработки кристалла С первого взгляда напрашивается вывод о том, что свечение обусловлено какими-то примесями, проникающими в кристалл извне во время его обработки при высоких температурах. [c.109]

Такие меры были предприняты впервые автором в 1952 году [128], и они заключались в том, что термическая обработка кристалла каменной соли производилась в кварцевом сосуде в условиях высокого вакуума, исключивших возможность проникновения в кристалл каких-либо примесей извне. Оказалось, что интенсивность и световая сумма свечения таким образом обработанных кристаллов также во много раз возрастают по сравнению с необработанными кристаллами. Следовательно, было доказано, что возрастание интенсивности и световой суммы свечения не связано с проникновением в кристалл каких-либо посторонних примесей, хотя в иных условиях опыта возможность такого проникновения, конечно, не исключается. [c.110]

Таким образом, эффект термической обработки не связан с проникновением внутрь кристалла чужеродных примесей, а обусловлен какими-то иными процессами, благоприятствующими увеличению интенсивности и световой суммы люминесценции кристалла. [c.110]

На рис. 37 представлены две кривые термического высвечивания в видимой области для каменной соли в виде монокристалла (а) и порошка (б), полученного после измельчения монокристалла. Из сравнения кривых видно, что запасенная световая сумма порошка больше, чем у монокристалла. При сравнении этих кривых [c.110]

Темпера- тура прогрева Т=К Максимум 1-го пика т°к Интенсивность свечения в произвольных единицах Общая световая сумма [c.115]

При сравнении кривых термического высвечивания во втором интервале с кривыми спектрального распределения вспышечного действия видимого света (рис. 26) и поглощения окрашенных кристаллов обращает на себя внимание следующее несоответствие отношение интенсивностей свечения и световых сумм в первом и втором пиках кривой термического высвечивания всегда больше отношения коэффициентов поглощения в максимумах М- и f-полос, т. е. [c.119]

Во второй главе описывеются применявшиеся нами способы очистки исходных материалов от посторонних примесей и методы контроля степени чистоты выращенных монокристаллов. В этой же главе рассматривается зависимость между световой суммой ультрафиолетовой люминесценции неактивированных фотохимически окрашенных кристаллов щелочно-галоидных соединений и концентрацией центров окраски, а также связь между спектрами поглощения центров окраски и спектральным распределением стимулирующего действия видимого света на ультрафиолетовое свечение. [c.6]

Для выяснения роли центров окраски в явлениях люминесценции окрашенных кристаллов щелочно-галоидных соединений автором была исследована [73, 1201 зависимость световых сумм ультрафиолетовой люминесценции фотохимически окрашенных кристаллов Na l и КС1 от концентрации F-центров. Измерения были произведены при помощи счетчика фотонов. Из больших монокристаллов были выколоты образцы кубической формы объемом в 1 см . Окрашивание образцов производилось либо светом конденсированной А1-искры, либо рентгеновыми лучами при помощи технической трубки с вольфрамовым антикатодом при напряжении 60—80 kV и токе 4 мА. В том и другом,случае для образования равномерной окраски кристалл медленно вращался во время облучения при помощи специального механизма. [c.52]

Рис. 20. Схема установки для измерения зависимости световых сумм ультрафиолетовой люминесценции окрашенных щёлочно-галоидных кристаллов от концентрации Р-центров в кристалле.

Зависимость световой суммы ультрафиолетовой фосфоресценции КС1 от концентрации / -ценгров в кристалле (объем кристалла 1 см R = 20 см, S = 0,1256 mS полуширина F-полосы 0,46 эв.) [c.58]

Зависимость световой суммы ультрафиолетовой фосфоресценции Na l от концентрации Р-центров в кристалле (объем крнсталла 1 м R = 20 см, 5 = 0,1256 см полуширина F-полосы—0,47 эв.) [c.59]

Итак, после затухания естественной фосфоресценции кристалл обесцвечивается на 5—9%. После освещения такого кристалла светом в области F-полосы наблюдается вторичная фосфоресценция, которая может быть многократно воспроизведена действием света вплоть до полного обесцвечивания кристалла. Но при этом интегральная световая сумма не превышает при данной концентрации Р-центров общего числа квантов, излучаемых кристаллом при непрерывном действии видимого света (вспьшхки) до полного обесцвечивания кристалла. [c.59]

Световая сумма первичной ультрафиолетовой фосфоресценции Na l и КС1 так же линейно зависит от концентрации Р-центров, как и в случае вспышки, но с другим численным значением коэффициента высвечивания, который в случае фосфоресценции составляет 1,04 10 для КС1 и 6,2 10- для Na l, т. е. в 14—-18 раз меньше, чем при вспышке. [c.59]

На рис. 37 представлена кривая а термического высвечивания в видимой области кристалла Na l, не подвергшегося термической обработке. Эта кривая состоит из двух хорошо разграниченных пиков с почти одинаковыми по величине максимумами интенсивности свечения. Аналогичные измерения на кристаллах Na l, подвергнутых до рентгенизации термической обработке, показали, что прогревание кристалла вызывает резкое возрастание интенсивности и световой суммы свечения, которые зависят как от температуры, при которой производится термическая обработка, так и в определенных пределах от ее продолжительности. [c.104]

Возрастая во всех случаях термической обработки, интенсивность и световая сумма свечения при прочих равных условиях зависят от скорости, с которой производится охлаждение кристалла после его прогрева при высокой температуре. На рис. 43 представлены кривые термического высвечивания в видимой области во втором интервале температур для двух образцов Na l, прогретых в одинаковых условиях и охлажденных с небольшой, но различной для обоих образцов скоростью 6° в минуту (кривая 1) и 11° в минуту (кривая 2). [c.105]

В таблице 13 приведены данные для одной серии кристаллов каменной соли, которые были прогреты в течение 5 часов при 725после чего охлаждались с раз.личной скоростью, начиная от 0,25° до 206° в минуту. Из таблицы видно, что чем больше скорость охлаждения кристалла, тем больше световая сумма термовысвечивания. [c.106]

Действие длительности термической обработки Na l на световую сумму свечения в видимой области (обработка яри 500° С) [c.106]

Рис. 42. Зависимость световой суммы свечения Na l от продолжительности термической обработки (500° С).

Действие термической обработки на интенсивность и световую сумму свечения в видимой области рентгенизованных кристаллов каменной соли. (Измерения начинались после некоторой выдержки кристалла в темноте после рентгенизации). [c.107]

Влияние скорости охлаждения кристалла каменной соли после термической обработки при 725Х на световую сумму термовысвечивания в ультрафиолетовой области. [c.108]

Скорость охлаждения 1 Общая световая сумма ви-1 ДИМОЙ термолюмин. во ( втором интервале темпер. 1 [c.108]

С этой точки зрения казалось бы легко понять наблюдающуюся зависимость световых сумм свечения от температуры и длительности прогре- Рис. 44. Действие отжига на термическое вы-ва а также явление на- свечивание в ультрафиолетовой области / tniiou гг — неотожженный кристалл каменной соли, [c.109]

На рисунках 46 и 47 приведены кривые термического высвечивания для незасвеченных (кривые (а) и засвеченных (кривые (в)) кристаллов Na l, подвергнутых термической обработке при 600 й 700°. Из рисунков видно, что видимый свет вызывает уменьшение интенсивности свечения во втором пике и параллельное ее увеличение в первом. Если засвечивание производится светом небольшой интенсивности, то световая сумма свечения сохраняется почти неизменной (табл. 14). Таким образом под действием света в области f-полосы происходит превращение одних центров с большей энергией локализации электрона в другие центры с меньшей энергией локализации электрона. Иными словами, под действием света происходит перераспределение электронов по локальным уровням путем их пересадки через зону проводимости с более глубоких f-уровней на более мелкие [c.114]

Наиболее прямые и убедительные доказательства того, что первый пик во втором интервале обусловлен М-центрами, дают опыты по параллельному изучению поведения этого пика и соответствующей ему М-полосы под действием красного света, т. е. света, соответствующего М-полосе поглощения. Уже отмечалось, что красный свет действует на первый пик, как продолжительная выдержка кристалла в темноте (рис. 49). Интенсивность и световая сумма свечения в первом пике падают в обоих случаях. Аналогичное действие оказывает красный свет также на Ai-полосу поглощения. При продолжительном облучении рентгенизованного кристалла Na l красным светом М-полоса поглощения совсем исчезает. С другой стороны, в кривой термического высвечивания такого кристалла, в котором М-полоса уничтожена красным светом, отсутствует также первый пик при 60—70°С, и кривая состоит в этом случае только из одного пика, обусловленного f-центрами. [c.119]

Подобное несоответствие может возникнуть также и в том случае, когда концентрация центров свечения мала по сравнению с концентрацией электронов на локальных уровнях. В последнем случае световая сумма, обусловленная М-центрами, может равняться или даже быть болыше световой суммы, обусловленной / -цент- [c.120]

Для изучения зависимости световых сумм ультрафиолетовой люминесценции от температуры, при которой производится рентгенизация, кристаллы Na l, [c.143]

K l и КВг окрашивались при —180, — 72 и -Ь 20°С рентгеновыми лучами до одинаковой концентрации F-центров. Затем кристаллы нагревались до -Ь 20 С и определялась световая сумма, запасенная кристаллом во время рентгенизации при низкой температуре. [c.143]

Таким образом, при одинаковой концентрации F-центров световые суммы люминесценции кристалла зависят от температуры, при которой производится облучение кристалла рентгеновыми лучами. При этом чем ниже температура, при которой производится рентгенизация, тем больше световая сумма люминесценции. [c.143]

Рис. 59. Световые суммы ультрафиолетовой люминесиениии Na l в зависимости от температуры кристалла при рентгенизации до одинаковой концентрации-F-центров.

Рис. 60. Световые суммы вспышки ультрафиолетовой лю-минесценции Na l в зависимости от продолжительности выдержки кристалла после рентгенизации а — выдержка при комнатной температуре, 6 — выдержка при температуре жидкого кислорода.

Последняя возникает также при комнатной температуре, но она значительно менее интенсивна. Полосы 1. , и У образуются преимущественно в интервале— 10()°С—50°С. Из перечисленных полос 1 3 наиболее стабильна, а 1 4 наименее стабильна. При нагревании до -1-20°С полоса У полностью исчезает, хотя в процессе нагревания несколько возрастает, по-видимому за счет У, -центров, исчезающих при более низких темгературах. Полоса У также легче возникает при низкой температуре, хотя и существует пр 1 комнатной. Полоса Уобразуется также при комнатной темпер-туре. В общем, чем ниже температура, при которой образуется тот или иной вид У-центров, тем меньше их термическая устойчивость. Этим и объясняется зависимость запасаемых световых сумм от температуры кристалла, при которой производится рентгенизация. [c.144]

Несколько образцов Na l были рентгенизованы при комнатной температуре до одинаковой концентрации F-центров. Затем они сохранялись в темноте различные промежутки времени, после чего измерялась световая сумма вспыщки при 10-минутном облучении крнсталла видимым светом. Световая сумма вспыщки первого кристалла была измерена по истечении 30 минут после рентгенизации, а последнего — по истечении 95 часов (кривая ). Если же образцы после рентгенизации при комнатной температуре выдержать в темноте, но при температуре жидкого воздуха, то уменьшение световых сумм (кривая б) значительно меньше. Следовательно, после рентгенизации в кристалле происходят зависящие от температуры и времени процессы превращения центров, снижающие световые суммы свечения, [c.145]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология