Локализации повторные, число

Справедливость этих предположений подтверждена рядом опытов, в том числе упоминавшимися выше опытами по предварительному подтягиванию образцов статической нагрузкой перед циклическими испытаниями. Данные о температурной и частотной зависимости расхождений между тц и Тст, частично упоминавшиеся выше, также косвенно свидетельствуют о разЛичии релаксационных процессов рассасывания локальных перенапряжений при разных режимах нагружения. Об этом свидетельствуют и другие опыты подобного рода опыты в два приема , опыты с изменением времени отдыха в промежутках между нагружениями [713, 714, 724] и другие феноменологические исследования долговечности твердых тел при повторных нагружениях, описанные в обзоре [736] и в серии последующих работ этого направления [748—752]. Здесь мы не будем их подробно анализировать и укажем лишь, что наряду с этими исследованиями определенную ясность в указанную проблему вносят эксперименты, в которых изучается особенность развития магистральных трещин при циклическом нагружении по сравнению со статическим [558, 624—631]. Именно эти эксперименты позволяют судить об изменениях в локализации процесса разрушения при изменении режима нагружения и о роли релаксационных процессов в изменениях кинетики роста трещин при переходе от статического нагружения к циклическому. Анализ соответствующих экспериментальных данных позволяет выделить долю изменений в долговечности при циклическом нагружении по сравнению со статическим за счет изменения коэффициента перенапряжения в вершине трещины, т. е. отделить ее от доли, определяемой эффектами разогрева. Большая чувствительность скорости роста трещин к структурным изменениям и релаксационным процессам, развивающимся в их вершине, демонстрируется рис. 199, на котором показано, как сильно изменяется скорость роста трещины при разгрузках и повторных нагрузках образца [628]. [c.406]

До момента рекомбинации в среднем происходит лишь незначительное число локализаций электрона. Повторные локализации встречаются в ограниченном количестве. [c.340]

Вторичные фосфоресценции и число повторных локализаций у щёлочноземельных фосфоров [c.404]

Затухание каждой новой фосфоресценции протекает по гиперболическому закону. Показатель затухания а очень мал для затухания вторичной фосфоресценции первых вспышек а 0,7. Затухание фосфоресценции дальнейших вспышек идёт ещё медленнее а 0,5. 3) Отношение световой суммы вторичной фосфоресценции к световой сумме соответствующей вспышки несколько возрастает с номером вспышки. 4) Общая площадь кривых всех вторичных фосфоресценций приблизительно равна площади кривой основной фосфоресценции, высвечивающейся после возбуждения фосфора. Эта последняя у Са8-8г8-Се,5т,Ьа-фосфоров сама представляет лишь небольшой процент от общей площади излучения вспышки ( 5 % по визуальным измерениям без учёта различия спектрального состава). Так как у данного класса фосфоров энергия вторичных фосфоресценций мала по сравнению с энергией вспышки, то количество электронов, вторично локализующихся на мелких уровнях фосфоресценции, невелико. Значительно больше в 20 раз) может быть число электро сов, вторично попадающих на глубокие уровни, однако в среднем каждый из электронов, освобождённый с уровней, вспышки, претерпевает всё же не более одной повторной локализации. [c.406]

Основным выводом из описанной серии опытов с вторичной фосфоресценцией, помимо доказательства раздельного существования уровней вспышки и уровней фосфоресценции, является также вывод о малом влия-Еви повторных локализаций иа высвечивание Са8-8г8-Се, 8ш, Ва-фосфора и относительно малом числе таких локализаций у. отого типа фосфоров. [c.407]

Большие усилия направляются на поиск нуклеаций — зародышей процесса свертывания, которые, как предполагают, служат основой дальнейшего свертывания. Такие зародышевые образования должны иметь исключительно стабильную структуру. Возможно, что их можно будет обнаружить с помощью антител или экспериментов с повторным свертыванием модифицированных белков. Локализация зародышей должна в большой мере ойаегчить моделирование свертывания. В любом случае очевидно, что понадобится еще очень большое число экспериментов, прежде чем загадка процесса свертывания будет разрешена. [c.196]

Препараты повторного действия выпускаются обычно в виде таблеток и драже. В этих лекарственных формах одна доза лекарственного вещества, как правило, отделяется от другой барьерным слоем, который может быть пленочным, прессованным или дражированным. В зависимости от его состава доза лекарственного вещества может освобождаться через заданное время независимо от локализации препарата в желудочно-кишечном тракте или же в определенное время в нужном отделе последнего. Так, при использовании кислотоустойчивых покрытий одна часть лекарственного вещества освобождается в желудке, а другая — в кишечнике. Период общего действия препарата при этом продлевается в зависимости от числа доз находящегося в ней лекарственного вещества (т. е. от числа слоев таблетки или драже). [c.377]

Приведенные выше соотношения получены в предположении, что процессы повторной локализации совершенно отсутствуют или ими можно пренебречь. Подобное допущение однако справедливо только для некоторых частных случаев. В общем случае вероятность процессов повторной локализации зависит от относительных концентраций незаполненных акцепторных уровней и ионизованных центров свечения, а также от их относительных эффективных сечений захвата. В определенных условиях вероятность повторной локализации должна быть большой. Подобные условия, оче-видцо, имеют место при слабом возбуждении и в заключительных стадиях затухания, когда число незаполненных уровней захвата велико по сравнению с числом ионизованных центров свечения. [c.78]

Свечение при действии длинноволновых лучей состоит из двух частей свечения, возникающего при рекомбинации электронов, поднятых с глубоких уровней действием длинноволновой радиации, и из вторичной фосфоресценции, происхождение которой было описано выше. Оба свечения связаны друг с другом, вследствие чего вспышка не сразу достигает своей полной силы, так как в первые моменты возбу-и деиия часть электронов, освобождённых с глубоких уровней, претерпевает повторные локализации на мелких уровнях. Свечение достигает своей полной силы лишь после того, как повторные локализапии компенсируются вторичной фосфоресценцией. Б дальнейшем свечение затухает по мере уменьшения числа электронов на глубоких уровнях. При прекращении действия высвечивающих лучей свечение вспышки прекращается мгновенно, но остаётся длительная вторичная фосфоресценция. [c.339]

Пе выяснен и чрезвычайно ваноный вопрос о числе повторных локали-заци , нрете )неваемых электроном, попавшим в полосу проводимости до момента рекомбинации. По взгляду одних авторов, это число должно быть незначительным—па начальных стадиях затухания в среднем 1—2 локализации [311], но взглядам других авторов—весьма большим [23]. [c.339]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология