Взаимодействие компонента дисперсии, связанная

Еще большие трудности возникают, когда эти концепции применяются для интерпретации значений наследуемости, получаемых на основе близнецовых данных (приложение 6). Компонента в разложении дисперсии, связанная с взаимодействием, приводит к другой трудности в интерпретации, которая до сих пор еще не преодолена. [c.244]

Менее изучен процесс пленкообразования из смесей растворов и дисперсий полимеров. В случае нереакционноспособных по отнощению друг к другу полимерных компонентов при пленкообразовании из смесей параллельно протекает структурообразование дисперсионного и растворного компонентов, причем первый процесс связан со слипанием частиц, а второй — со взаимодействием макромолекул и образованием студня полимера. Скорость протекания этих процессов во многом определяет структуру и свойства смешанных пленок. Основными факторами, регули- [c.164]

Таким образом, поверхность следует интерпретировать как дву-миогомерную макроскопическую границу разрыва сплошности ионной решетки (фононной подсистемы) с образованием на границе раздела связанных электрон-дислокационных и электрон-дырочных эксито-нов, электрон-электронных иар или двойных слоев, распределенных на границе фаз. Описание сопряжения двух поверхностей (двух и более разнородных электронных континуумов) приводит к необходимости поиска корреляционных функций компонент двух или более (нелиней-но-взаимодействующих) плазменных мод, в которых собственные феноменологические коэффициенты имеют дисперсию ,(ш, к), 1г(оз, к), а (со, к). Коэффициент преломления на границе раздела я (со, к) или характерная длина волны л (со, к) также имеет частотные зависимости (рис. 2.10). [c.79]

Ранее (см. гл. II, 3) уже было дано определение подвижности заряженной частицы, если рассматривать ее как скорость еа единицу приложенного поля, и указано, что электропроводность кристалла пропорциональна концентрации активных точечных дефектов и подвижности нх основных носителей заряда. В то время как границы изменения концентрации дефектов довольно широки, значения электронных подвижностей располагаются в интервале от 10 и до 100 000 см [в-сек и важно их знать для того, чтобы предвидеть поведение данного соединения. Подвижность носителей может быть понижена их взаимодействием с компонентами кристалла вследствие рассеяния (s attering) частиц ( 8], стр. 255). Различают виды рассеяния полярное рассеяние, связанное в ионных кристаллах с тепловыми колебаниями заряженных ионов и периодическими колебаниями, вызванными силами притяжения или отталкивания, которым подвержена частица неполярное рассеяние, вызванное в ковалентных кристаллах тепловыми колебаниями атомов и периодическими колебаниями, зависящими от отношения потенциалов данной точки к потенциалу идеального кристалла. Кроме того, активные центры (вакансии, междоузлия, примеси) вызывают третий важный вид дисперсии рассеяние за счет дефектов. [c.157]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология