Структурный фактор как комплексное число

Здесь р хуг) —электронная плотность в точке (х,у,г). Структурный фактор обычно является комплексным числом и может быть записан в виде [c.178]

Легко показать, что если кристаллическая структура имеет центр инверсии, структурный фактор является уже не комплексным, а действительным числом, а фаза ср равна О или л и [c.243]

Структурный фактор можно также выразить в виде обычного комплексного числа [1011 [c.195]

А , А и т.д. Результирующую волну также удобно описать комплексным числом которое обычно называется структурным фактором отражения от плоскости hkl)( M. [11], стр. 108) [c.208]

Структурный фактор может быть комплексным числом. Важны нулевые значения Ф кк1). Отсутствие отражения для определенных значений индексов /г, к, I называется законом погасания. В этих случаях интенсивность отражения, разрешенного пространственной решеткой, равна нулю. Структурный фактор базиса может уничтожать некоторые отражения, разрешенные пространственной решеткой, и эти недостаюшие отражения помогают в определении структуры. [c.56]

Закон Фриделя справедлив в том нормальном случае, когда атомные факторы рассеяния / — действительные числа. Тогда структурные факторы — сопряженные комплексные числа и — Ртй. В этом случае фазовые углы щй = —Но если атомные факторы рассеяния / — комплексные величины, то hkl Рш и закон Фриделя нарушается. [c.399]

Основным ставшим уже обычным математическим приемом формулировки законов интенсивности излучения является изображение периодических функций — электромагнитных волн — при помощи комплексных выражений. В форме комплексной величины дается обычно и структурный фактор. Однако опыт показывает, что у неискушенного читателя переход к комплексным числам часто вызывает ряд недоразумений. Поэтому мы позволили себе выделить рассмотрение этой математической стороны вопроса в особый раздел с тем, чтобы, с одной стороны, не затруднять восприятия физической сущности процессов, а с другой — иметь возможность рассмотреть отдельно преобразования основных формул, связанные с чисто кристаллографическими свойствами — свойствами симметрии твердого тела. Эти вопросы излагаются в третьей и четвертой главах. [c.9]

Два фактора снижают минимальное число дифракционных пятен, или узлов обратной решетки, необходимых для получения всей структурной информации при данном разрешении. Как показано в уравнении (13.18), из действительности электронной плотности вытекает, что картина дифракции обладает центром симметрии, т.е. F(h, к,1) = F (—h, — к, —/) (звездочкой обозначена комплексно-сопряженная величина). Таким образом, для измерений нужна лишь половина сферы ограничения. Далее, для большинства кристаллических классов характерна дополнительная симметрия картины дифракции в обратном пространстве (см. табл. 13.1) [c.369]

В общем случае структурный фактор представляет собой комплексное число, определяемое модулем Рнк1 и фазой нк1 (рис. 6.6). Интенсивность дифрагированного излучения определяется квадратом амплитуды [c.242]

Аналогичное изменение длин связей металл-лиганд параллельно с уменьшением ЭО атома или радикала, находящегося в транс-положении, наблюдались и у комплексных соединений другиу элементов 8а-под-группы. Вместе с те.м, хотя отмеченные закономерности проверены на большом числе примеров, нужно помнить, что структурное проявление трансвлияния является весьма тонким эффектом, зависящим от совокупности многих факторов, например л-взаимодействия [113]. [c.93]