Фотоэлектронная спектроскопия плотность состояний

Следует отметить, что теория электронного строения кристаллического графика достигла довольно высокого уровня. Детальный обзор электронных свойств графита на основе зонной теории дан в работе [5]. Результаты расчетов плотности состояний в валентной зоне [9] хорошо коррелируют с данными рентгеновской фотоэмиссионной [10—12] и оже-спектроскопии [13] графита. Рентгеновский фотоэлектронный спектр валентных электронов [c.22]

Методом фотоэлектронной спектроскопии исследована адсорбция кислорода на поликристалличес-ком палладии в пшроком диапазоне экспозиций кислорода и температур, начиная с самых ранних стадий адсорбции и вплоть до образования поверхностного соединения типа Рс10. На основе анализа экспериментальных результатов и расчетов плотности состояний, выполненных методом ТВ-ЬМТО-АЗА, сделана попытка объяснения электронного механизма адсорбции и окислительной способности палладия. [c.93]

Методами термодесорбции и водородного титрования изучено влияние добавок палладия и хлора к поверхности А на состояние сорбированного кислорода. Методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии установлено распределение Рс1 в приповерхностном объеме до 8 нм вглубь и преимущественное концентрирование СГ на поверхности серебра. Отмечено, что после диссоциации первичных кластеров палладия и его равномерного распределения на поверхности А образуется новая подвижная форма 0(2) прочно связанная с поверхностью и обладающая наибольшей реакционной способностью в реакции с водородом модификаторы существенно увеличивают количество формы 0 и препятствуют образованию формы локализованной на центрг1х выхода на поверхность растворенного кислорода. Действие Рс1° и СГ на состояние адсорбированного кислорода объяснено увеличением поверхностной электронной плотности серебра в окрестности атомов Рс1° и ионов СГ, а также образованием комплексов кислорода с адатомами палладия. [c.155]

Интересно, что атомарно-чистая поверхность следующего элемента IV группы — германия оказалась совершенно инертной к химической адсорбции сверхсухого Оз, что мы связываем с низкой активностью 45р-электронов Ое (эффект Сэдвигжса). Отсутствие количественных данных об относительных поверхностных концентрациях атомов 51 3е) в различных гибридных состояниях и однозначной информации о строении поверхности заставляет критически относиться к результатам многочисленных квантовохимических расчетов на поверхностях 81 и Ое. Благодаря высокой плотности ПС на атомарно-чистых поверхностях 81 и Ое становится практически неприменимым метод эффекта поля, Наиболее информативный метод исследования энергетического спектра ПС и его изменения при адсорбции. Широко используемые для этих целей методы фотоэлектронной и рентгеновской спектроскопии имеют свои ограничения. Благодаря использованию в них жесткого электромагнитного излучения на поверхности могут протекать процессы фотоадсорбции и фотодиссоциации адсорбированных молекул, что существенно искажает информацию о механизме адсорбционных взаимодействий. [c.54]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология