Формирование слоя резиста

ФОРМИРОВАНИЕ СЛОЯ РЕЗИСТА [c.15]

Дозирование раствора резиста сопряжено с рядом сложностей, которые могут привести к образованию дефектов. Так как изготовитель обычно поставляет растворы резиста профильтрованными через фторопластовый фильтр с порами 0,2 мкм, перед использованием раствора фильтрование не является необходимым. Гидродинамический объем клубков макромолекул ц/Мт) может достигать размера пор фильтров, в результате чего с ростом давления при фильтрации может происходить механическая деструкция высокомолекулярных фракций полимера. Раствор резиста не должен содержать пузырьков газов растворенный воздух и другие газы после фильтрования обычно удаляются отстаиванием раствора в течение нескольких дней. Рекомендуется после формирования слоя резиста как можно скорее проводить сушку, чтобы исключить загрязнение посторонними частицами [16]. Нанесение в виде готовых пленок см. разд. II. 1.1.4. [c.21]

Предложена новая математическая модель для оценки основных факторов, влияющих на образование пленки резиста. В частности, оказалось, что толщина слоя определяется конвективным радиальным током раствора резиста (ранние стадии) и испарением растворителя (поздние стадии формирования слоя) [12]. [c.20]

Еще одним явлением, ограничивающим возможности фотолитографии, является образование стоячей волны в толще слоя фоторезиста — приемника излучения, который стоит последним в совокупной цепи формирования микроизображений свойства резиста должны отвечать особенностям результирующей структуры скрытого изображения. На рис. I. 10 представлен ряд эффектов, которые ограничивают возможности фотолитографии а —апертура светового пучка б — многократное отражение, в —дифракция, г —рассеяние в толще светочувствительного материала, д — стоячие волны. Стоячие волны возникают в толще фоторезиста в результате взаимодействия падающей и отраженной от подложки световых волн. Можно показать, что интенсивность стоячей волны /с определяется выражением [c.31]

Поверхность 5102 имеет V" 32—43 кН/м (в зависимости от степени послеокислительной плазменной очистки). Таким образом, для улучшения адгезии целесообразно повысить гидрофобность поверхности 810о для снижения значения Для этой целг используются так называемые промоторы адгезии, или адгезивы, действие которых основано на гидрофобизации поверхности 8162. Среди них чаще всего применяются силазаны. Растворы этих веществ обычно в галогенированных растворителях наносят на поверхность 3102 непосредственно перед формированием слоя резиста. Силазаны содержат реакционноспособные функциональные группы 81—НН—5., которые реагируют с поверхностными молекулами [c.64]

В системе А2/ПММА возникновение межфазного подслоя является диффузионным процессом, который усиливается с повышением температуры предэкспозиционной термообработки и концентрации резиста при постоянной частоте вращения центрифуги в операции формирования слоев. С ростом скорости центрифугирования толщина межфазного слоя уменьшается. Опытным путем сначала выбирают оптимальную температуру предэкспозиционной термообработки, а потом концентрацию резиста и частоту вращения центрифуги. Оптимизация проявителя состоит в использовании растворителя, который при проявлении планаризационного слоя одновременно немного растворяет и рельефный слой. При этом может быть обеспечено удаление межфазного подслоя. Планаризационный слой должен быть перед нанесением полисилоксана предварительно отвержден при 200°С так же, как и полисилоксановый слой [c.276]

Формирование рисунка в слое резиста с помощью экспонирования электронным лучом иожет быть выполнено тремя различными путями. Рисунок может быть создан при фиксированном положении луча и перемещении подложки вместе с координатным столиком подложка может оставагпся в фиксированном положении, луч перемещается за счет его отклонения системой управления. В этом случае для проектирования рисунка используется элеетронный луч большого диаметра, который в течение операции одного экспонирования покрывает всю поверхность подложки или ее большую часть. [c.642]

Использование пленочных фоторезистов. В производстве печатных плат, некоторых толсто- и тонкопленочных схем формирование сплошных пленок резистов вызывает затруднение. Поэтому с начала 1970 г. с этой целью применяют пленочные фоторезисты, впервые выпущенные фирмой Dupont (США) под маркой Riston. Для их производства на полиэтилентерефталатную пленку наносят слон резиста толщиной более 20 мкм, высушивают и прикатывают сверху пленку полиэфира. Перед употреблением резиста пленку снимают, резист прикатывают к подложке нагретым валком, дают небольшую релаксационную выдержку, экспонируют через слой терефталата, кратковременно нагревают, снимают полиэтилеитерефталат, проявляют н проводят термоотверждение рельефа. В зависимости от типа резиста его проявляют водой или органическим растворителем. Очевидно, резистный слой такого материала должен быть гибким, эластичным, олеофильным, термостойким, обладать хорошей адгезией. Пленочные резисты чаще всего относятся к фотополимерным негативным материалам, разрешение при их использовании составляет десятки микрометров. Однако разработаны и позитивные резисты. Для получения такого материала [c.85]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология