Электрофизические свойства алмаза

С точки зрения практических применений синтетического алмаза особый интерес представляет изучение диэлектрических свойств кристаллов в зависимости от условий термообработки, так как позволяет выявить границы термической устойчивости механических и электрофизических свойств алмаза. [c.453]

VII. ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА АЛМАЗА [c.82]

Кристаллы алмаза в основном являются хорошими диэлектриками. Проводимость кристаллов алмаза, содержащих определенное количество примесей и дефектов структуры, может изменяться в широких пределах. Для беспримесных кристаллов, как следует из теоретического расчета [280], удельное сопротивление составляет 10 Ом см. В кристаллах со значительным количеством примесей удельное сопротивление может понизиться до 10 Ом см. Примеси и дефекты создают в запрещенной зоне целый спектр локальных энергетических состояний. Уровни некоторых из них приведены в табл. 39. Наличие этих примесей оказывает существенное влияние на электрофизические свойства алмаза. [c.82]

Такое изменение электрофизических свойств включений в алмазах с ростом Т, возможно, связано с активизацией диффузионных процессов в объеме включений и перераспределением компонентов в них. [c.453]

Электрофизические свойства полупроводникового алмаза [c.454]

Рассмотрим основные из этих результатов. На основе данных по изучению процессов кристаллизации алмаза в присутствии различных примесей были получены образцы легированных монокристаллов. Размеры кристаллов, состояние поверхности и совершенство внутреннего строения обеспечивают возможность изучения комплекса их электрофизических свойств в связи с условиями роста, Оценить перспективу использования алмаза в электронной технике. [c.455]

Рассмотрим, наконец, вопрос об электрофизических свойствах кристаллов элементов IV группы, обладающих структурой алмаза. [c.120]

Карбид кремния представляет собой единственное соединение с тетраэдрической координацией, компонентами которого являются элементы подгруппы алмаза. По своим основным электрофизическим (ширина запрещенной зоны 2,86— 3,20 эв), механическим и тепловым свойствам карбид кремния может быть отнесен к числу весьма перспективных в практическом отношении и широко применяемых в настоящее время полупроводниковых материалов [1]. Однако как известно. из работ, посвященных изучению свойств карбида кремния (см., например, [2, 3]), такие параметры кристаллов, как электропроводность и подвижность носителей тока существенно зависят от вида и концентрации примесей в кристаллах. [c.247]

Присутствие в объеме кристаллов металлических, изолированных от внешней по отношению к алмазу среды включений искажает внутрикристаллнческое поле, возбуждаемое в алмазе внешним электромагнитным полем резонатора. Причем величина и степень искаженности поля в локальных участках алмазной матрицы, прилегающих к дефектам, обусловлены и эффектами поляризации, связанными со скоплением заряда на границах включений и других структурных неоднородностях. Поэтому в переменном электрическом поле во включениях происходят процессы перераспределения этих зарядов, вызывающие появление дипольных моментов у электропроводящих частиц и их осиляции, совпадающие с частотой приложенного к алмазу внешнего электрического поля. Величина дипольного момента частицы определяется не только размерами и формой, но и электрофизическими свойствами вещества частицы, в частности, электропроводностью. Поэтому такого типа включения на алмазах в первом приближении можно рассматривать как квазиупругие диполи, релаксационные процессы, в которых (отражая степень совершенства структуры частиц) изменяют однородность внутрикристаллического поля в алмазах. [c.452]

Из элементов IV группы, помимо кремния, к типичным полупроводникам относится германий. Углерод, его аллотропические видоизменения — алмаз и графит — также проявляют полупроводниковые свойства, хотя первый стоит ближе к изоляторам, а второй — к металлам. Электрофизические свойства третьей полиморфной модификации углерода — карбина — еще не изучены из-за очень малых размеров кристаллов. Из двух модификаций олова белое олово — металл, а серое олово — полупроводник. Свинец — только металл. Среди элементов V—VII групп полупроводниковые свойства проявляют некоторые модификации фосфора, мышьяка и сурьмы, а также сера, селен, теллур. [c.91]

Природные и синтетические алмазы содержат разнообразные несовершенства кристаллического строения, влияющие на механические, электрофизические, оптические и физико-химические свойства кристаллов [184]. Ос оппь ми дефектами алмаза являются вакансии, гетероято гы, сегрегации примесей, дислокации, дефекты упаковки, границы блоков, зерен, зон роста и Др. [c.54]