Дефекты в алмазе

Часто встречаются твердые растворы, в которых замещается сразу несколько различных ионов. Замещающий атом более высокой валентности в кристаллах с ковалентной связью (например, атом азота в кристалле алмаза) сохраняет одну ненасыщенную связь. В результате этого в кристалл может внедриться атом какого-либо другого вещества, который будет компенсировать эту валентность. Следовательно, один тип дефектов может повлечь за собой появление других. [c.171]

Ввиду большой ценности алмазов их получают искусственным путем из графита. Для этого применяют очень высокое давление (порядка 10 ° Па) и длительный нагрев при температуре около 3000 °С. Нитевидные кристаллы алмаза получают при обычном давлении. Нитевидные кристаллы, или усы , имеют структуру, практически лишенную дефектов, и обладают очень высокой прочностью. [c.406]

К точечным дефектам относятся уже обсуждавшиеся выше дефекты в кристаллах простых веществ чужеродные (примес-ные) атомы, или ионы, которые замещают в кристаллической решетке частицы основного вещества или внедряются в междоузлия (окраска рубина, изумруда, алмаза вызвана примесными атомами) комбинации вакансий с электронами (центры окраски) и др. [c.178]

Механохимия изучает химические превращения, инициированные или ускоренные механическим воздействием. При воздействии механических сил происходит разрыв химических связей, изменение состояния поверхности твердых тел, образование неустойчивых высокоактивных частиц, дефектов в кристаллической решетке. Особенно заметные воздействия оказывают ультразвук на жидкости, сверхвысокое давление на твердые вещества, ударные волны на твердые тела и жидкости. При ультразвуковом облучении в жидкости возникают активные частицы, которые инициируют химические ракции. Ультразвуковая обработка применяется для очистки поверхности металлических предметов от жира и других загрязнений, для специального синтеза (например, приготовление вакцины). С помощью сверхвысоких давлений удалось превратить графит в алмаз, нитрид бора в боразон. Ударные волны, возникающие под воздействием направленного взрыва, на несколько порядков ускоряют химические реакции, например вулканизация каучука проходит за доли секунды. Понимание механохимических реакций очень важно для предупреждения вредных химических последствий механических воздействий на твердые и жидкие вещества. [c.121]

Цвет И прозрачность алмазов различны. Встречаются алмазы от бесцветных до темных (белые, голубые, зеленые, желтоватые, коричневые, красноватые, темно-серые). В зависимости от качества кристаллов (размера, формы, цвета, числа и вида дефектов) и назначения различают два вида алмазов ювелирные и технические. [c.344]

К ювелирным относятся природные алмазы совершенной формы, высокой прозрачности, без трещин, включений и других дефектов. Им придается путем огранки (обработки алмазным порошком) такая форма, чтобы наиболее полно проявлялись оптические свойства алмаза высокий коэффициент преломления и сильное рассеяние света. Ограненные алмазы называются бриллиантами. К техническим относятся все прочие добываемые алмазы вне зависимости от их качества и размеров. [c.344]

Мы разработали [5, 6] способ металлизации алмазных зерен из адгезионно-активного расплава при жидкофазном спекании, позволивший значительно упрочнить зерна, благодаря действию капил-лярно-активного расплава, который, затекая и заполняя мельчайшие поры, трещины и другие дефекты (концентраторы напряжений алмазного зерна), после кристаллизации оказывает цементирующее залечивающее действие. Следует отметить, что на границе алмаз — металлическое покрытие, благодаря хемосорбции адгезионно-активного элемента, формируется тонкий слой соответствующего карбида. В некоторых случаях хемосорбированные пленки на поверхности кристалла увеличивают его предел текучести (эффект Роско [24]) за счет блокирования выхода дислокаций на поверхность (возрастает плотность дислокаций в приповерхностном слое кристалла под пленкой). [c.101]

Поверхность алмаза, как и любого другого твердого вещества, можно рассматривать как один из основных дефектов трехмерной структуры кристалла. Обрыв структуры остова алмаза, приводящий к изменению координационной сферы поверхностных атомов углерода, а также высокая энтальпия образования идеальной поверхности способствуют самопроизвольному протеканию процессов, снижающих энергию системы. Одним из таких процессов может быть образование поверхностных функциональных групп. [c.12]

Расчеты показали , что нанотрубки будут значительно жестче, чем все известные сейчас материалы. Кроме того, они не содержат дефектов и примесей, а значит, могут выдерживать большие механические напряжения. Микротвердость полученных структур (4000 кг/мм ) гораздо выше, чем у твердых сплавов (2500 кг/мм ), и приближается к твердости алмаза. [c.99]

Фактически электрохимия алмаза началась с работы [11], в которой впервые была получена вольт-амперная характеристика и измерена дифференциальная емкость на границе раздела поликристаллический алмаз/раствор электролита также была обнаружена фоточувствительность алмазных электродов, которая была сопоставлена с полупроводниковыми свойствами алмаза. За исследованиями российских авторов вскоре последовали работы электрохимиков из Японии, Израиля, Франции, США, Швейцарии, Германии и других стран. Если в самых первых работах использовались алмазные пленки, хотя и с совершенной кристаллической структурой, но не легированные (их проводимость приписывали [И] неким не идентифицированным примесям или точечным дефектам, введенным специальным тепловым режимом при выращивании пленок), то, начиная с работы [12], в электрохимических исследованиях применялся алмаз, легированный бором. Переход на специально легированные электроды придал дополнительный импульс исследованиям в этой сфере. В последние годы число лабораторий, занятых исследованиями алмазных электродов, и число публикаций по электрохимии алмаза неуклонно возрастает. [c.8]

В то же время на ростовой стороне, где кристаллиты достигают размера 60 мкм, структура алмаза гораздо более совершенная, и концентрация структурных дефектов (связанных, в частности, с межкристаллитными границами) значительно ниже. [c.37]

Электроды из аморфного алмазоподобного углерода могут быть дешевой и потому более доступной альтернативой электродам из кристаллического алмаза. Их проводимость, по всей вероятности, обусловлена не движением свободных носителей в разрешенных энергетических зонах, а перескоками электронов между локализованными точечными дефектами. [c.74]

Впервые получены выражения для вероятностей возбуждения механически индуцированных колебаний кристаллических веществ посредством ударных воздействий в дезинтеграторе. Установленные соотношения для критических скоростей соударений позволяют связать скорость соударений с молекулярными характеристиками (масса атомов и межатомные расстояния) кристаллов. На основании полученных результатов определены режимы механической обработки, приводящие к появлению в процессе удара дефектов - смещенных относительно узлов кристаллической решетки атомов. Получено выражение для критической частоты - характеристики, определяющей устойчивость кристаллической решетки к ударным воздействиям. Проведены расчеты для изоструктурных кристаллов алмаза, кремния, германия и ряда щелочно-галоидных кристаллов и установлена корреляция критических частот и скоростей соударений с энергетическими (энергия связи, температура плавления) и механическими (упругие константы, сжимаемость) характеристиками веществ. [c.7]

Если теперь обратиться к представлениям о мерности, то по достаточно очевидным причинам с увеличением мерности макромолекул от 1 до 3 (переход от линейных к сетчатым полимерам), всякая анизотропия исчезает, и такой ковалентный кристалл отличается от обычного только значительной затрудненностью образования дефектов по Френкелю. Напомним также, что поскольку равновесное состояние реального кристалла обязательно предполагает наличие мигрирующих дефектов, а ликвидированы они могут быть лишь приложением очень высоких давлений, то своеобразным выходом из конфликта являются всегда относительно малые размеры или мозаичная структура ковалентных кристаллов. Это одна из причин — хотя далеко не единственная,— по которой искусственные алмазы получают при сверхвысоких давлениях, а сами они — как и другие искусственные драгоценные камни — очень малы. [c.92]

II. С переходом от линейных к трехмерным полимерам нивелируется значимость особого направления, хотя ковалентные связи в плоскости или объеме продолжают вносить свой вклад в ряд свойств. Опять сошлемся на алмаз это совершенный ковалентный кристалл и именно поэтому он обладает рекордной твердостью. Но физически он неинтересен , так как все его связи равноценны и в этом плане он мало чем отличается от обычного кристалла (разве, что образование мигрирующих дефектов по Френкелю в нем затруднено, но это плохо, [c.324]

Все приведенное выше относится к чистой поверхности идеального кристалла алмаза. В действительности, изучая кинетику роста алмазных порошков, следует иметь в виду, что вклад ребер и вершин отдельных кристаллитов в общую поверхностную энергию-может быть весьма значительным, особенно у высокодисперсных порошков. Наличие различных дефектов на поверхности реального кристалла должно сказаться на кинетике нуклеации. В связи с этим рассмотрим влияние дефектов, вызванных облучением, на рост алмаза и графита из метана, следуя работе [69]. [c.80]

Что касается дефектов на поверхности граней кристаллов алмаза, то, как установлено, основное влияние на эту морфологическую характеристику оказывает величина скорости роста. Монокристаллы, скорость роста которых не превышает 8-10" м/с, при оптимальной концентрации использованных примесей практически всегда имеют хорошо выраженный микрорельеф граней. При прочих равных условиях совершенство граней (III) выше, чем (100), на которых визуально наблюдаются в этом случае 396 [c.396]

Были также исследованы методом дифракционной электронной микроскопии дефекты синтетического алмаза. Образцы изучались на просвет в электронном микроскопе 1ЕМ-6А при ускоряющем напряжении 100 кВ. Кристаллы алмаза дробили механическим путем, и с целью дальнейшего уменьшения толщины частиц порошок нагревали до 1020 К. [c.410]

Из-за отсутствия гониометрического столика электронно-микроскопическая картина дефектов имела несколько случайный характер, однако окончательный ее вид был скорректирован на основании многих наблюдений. Трудность, возникавшая при непосредственном исследовании алмаза в электронном микроскопе, заключалось в том, что наблюдавшаяся картина исчезала под пучком электронов через 2—5 с. Непосредственная дифракционная картина дефекта зависела от ориентации образца по отношению к электронному лучу. Контраст на изображении по этой причине является функцией толщины образца и глубины залегания дефекта. Для дефекта, расположенного наклонно к плоскости образца, периодичность чередования светлых и темных участков, отражающая глубину залегания дефекта, выявится в виде ряда контуров, параллельных линии пересечения плоскости дефекта с поверхностью образца. [c.410]

Природные и синтетические алмазы содержат разнообразные несовершенства кристаллического строения, влияющие на механические, электрофизические, оптические и физико-химические свойства кристаллов [184]. Ос оппь ми дефектами алмаза являются вакансии, гетероято гы, сегрегации примесей, дислокации, дефекты упаковки, границы блоков, зерен, зон роста и Др. [c.54]

В обычных условиях (соответствующих низким гомологическим температурам Т Т , где — температура плавления) все точечные дефекты алмаза практически неподвижны. Диффузионная подвижность reTepoaTONroe интенсифицируется лишь в области, приближающейся к тройной точке диаграммы фазового равновесия углерода [282]. Наиболее подвижными дефектами алмаза при низких температурах являются трещины и микротрещины, а также частичные и 60-градусные дислокации [45. Линейные дефекты типа дислокаций характеризуются различными параметрами, основной из них — вектор Бюргерса Ь. Для ковалентных кристаллов группы 43от Ь епр(Ш) [c.54]

Ввиду большой ценности алмазов было предпринято много попыток получить их нскусственным путем пз графита. Однако доЛ гое время эти попытки кончались неудачей. Только в 1955 г., применив очень высокое давление (порядка 10 Па) и длительный нагрев нри температуре около 3000 С, американским, а одновременно н шведским ученым удалось получить синтетические алмазы. В Советском Союзе также разработан метод получения син-тетическик алмазов, а в 1961 г. начато их П()омышленное произ- водство Кроме того, в 1969 г, в СССР синтезированы нитевидные кристаллы алмаза, причем их получают при обычном давлении. Нитевидные кристаллы илн усы нмеют структуру, практически лишенную дефектов, и обладают очень высокой прочностью. [c.433]

При очистке верхний слой металла с поверхности снимают с помощью абразивных материалов определенной зернистости или вращающихся проволочных щеток. Зерна абразива, прикрепляемые к полосе бумаги, материи или металла, к ленте или диску, обычно изготовляют из карбида вольфрама, окиси алюминия, алмаза или силикатного материала при условии тщательного контроля за степенью зернистости. Шлифование можно проводить вручную или механически, методом сухой обработки или при смачивании (например, водой). При этом достигается некоторое макровыравнивание поверхности или микрошлифовка, направление которой может быть целенаправленным или случайным в зависимости от применяемого способа. Давление при шлифовании абразивом, а также вид и степень смазки следует тщательно контролировать во избежание налипания частиц металлических осадков на поверхность, присутствие которых могло бы вызвать дефекты при нанесении металлических покрытий. [c.62]

При электрической Д. фиксируют параметры электрич. поля, взаимодействующего с объектом контроля. Наиб, распространен метод, позволяющий обнаруживать дефекты диэлектриков (алмаза, кварца, слюд, полистирола и др.) по изменению электрич. емкости при введении в него объекта. С помощью термоэлектрич. метода измеряют эдс, возникающую в замкнутом контуре при нагр. мест контакта двух разнородных материалов если один из материалов принять за эталон, то при заданной разности т-р горячего и холодного контактов величина и знак эдс будут характеризовать неоднородность и хим. состав др. материала. Метод применяют для определения толщины защитных покрьггий, оценки качества биметаллич. материалов, сортировки изделий. При электростатич. методе в поле помещают изделия из диэлектриков (фарфора, стекла, пластмасс) или металлов, покрытых диэлектриками. Изделия с помощью пульверизатора опыляют высокодисперсным порошком мела, частицы к-рого вследствие трения об эбонитовый наконечник пульверизатора имеют положит, заряд и из-за разницы в диэлектрич. проницаемости неповрежденного и дефектного участков скапливаются у краев поверхностных трещин. Электропотенциальный метод используют для определения глубины ( 5 мм) трещин в электропроводных материалах по искажению электрич. поля при обтекании дефекта током. Электроискровой метод, основанный на возникновении разряда в местах нарушения сплошности, позволяет контролировать качество неэлектропроводных (лакокрасочных, эмалевых и др.) покрытий с макс. толщиной 10 мм на металлич. деталях. Напряжение между электродами щупа, устанавливаемого на цокрьггие, и пов-стью металла составляет порядка 40 кВ. [c.28]

Оптич. св-ва М. включают преломление, отражение и поглощение света, блеск, цвет, люминесценцию. Они также связаны с составом и структурой М. Преломление света наблюдается у прозрачных М. (кислородные и галогенные соед.) и характеризуется показателем преломления п. Отражение света наблюдается в большей степени у непрозрачных и полупрозрачных М. (металлы, интерметаллиды, халькогениды, оксиды и гидроксиды) н характеризуется коэф. отражения R. По величинам и и Л диагностируют М. под микроскопом в проходящем или отраженном свете. Свето-поглощение (оптич. плотность) характеризует как прозрачные (алмаз, горный хрусталь), так и полупрозрачные (сфалерит, сера) и непрозрачные (магнетит, золото) М. Блеск М., наблюдаемый визуально,-одна из форм светоот-ражения. Он бывает металлическим, полуметаллическим, алмазным, стеклянным, жирным, матовым и др. Цвет М. объясняется частичным поглощением видимого света и обусловлеи присутствием в структуре ионов-хромофоров в качестве видообразующих элементов или изоморфных примесей, а также структурными дефектами, газово-жидкими включениями и микроскопич. включениями окрашенных М. Нек-рые М. способны люминесцировать при облучении, нагревании, раскалывании, в результате трения. [c.88]

Основные свойства фафита и алмаза к настоящему времени нашли адекватное теоретическое описание в литературе, поэтому основные усилия в этой области направлены сейчас на изучение алмазоподобных и фафитоподобных систем с менее совершенной и более неопределенной структурой (влияние дефектов, получение слоистых соединений фафита с различными металлами. описание зонной структуры и свойств нефафитированного углерода и т.д.), а также процессов взаимных превращений углеродных модификаций и условий их образования. [c.7]

Существует некоторое расхонадение между значениями чпсла Авогадро, полученными различными методами. Первые три метода представляют только исторический интерес, а четвертый сейчас считается напболее точным. Его можно считать абсолютным методом, поскольку длину волны рентгеновских лучей можно пайти, измеряя углы отражения от кристаллов. Неполное соответствие между данными, приведенными для в табл. 2 и 3, связано с наличием дефектов кристаллических решеток. Решетки кальцита и алмаза содержат относительно немного дефектов, и поэтому сейчас в качестве наиболее достоверного используется значение ТУд, вычисленное из данных рентгеновского анализа этих кристаллов (Дю Монд и Ботман, 1936) [c.28]

Молекулярный вес М, плотность д и межъядерное расстояние можно измерить с точностью до 0,0001. Тем не менее значения/Уц = V Jv, найденные для криста лло15 различных чистых веществ, не согласуются друг с другом (за исключением кальцита и алмаза) и превышают достоверное значение Ng, установленное другими способами. Эти факты молшо объяснить так, что если решетки кальцита и алмаза правильны, то большинство других кристаллов содержат нарушения, дефекты (а именно некоторые из узлов репгеткп остаются незанятыми). Эта точка зрения подтверждается большим число.м данных. Нанрнмер, без некоторого числа пустых ячеек в остальном правильно образованного кристалла было бы трудно объяснить диффузию в дгеталлах н относительно г ЫСОкую электропроводность кристаллических солей. [c.507]

Неалмазную фазу в поликристаллических алмазных пленках часто называют графитом, но это утверждение не совсем точно. Неалмазная фаза — это прежде всего разупорядоченный углерод межкристаллитных границ. Его удается непосредственно наблюдать на поверхности алмаза с помощью электронного микроскопа с высоким разрешением [41] или рамановского микрозонда [42] толщина межкристаллитных границ в алма,зных пленках достигает нескольких нанометров. Помимо этого, в алмазных пленках присутствуют различные дефекты кристаллической решетки. В ряде случаев поверхность алмазной пленки покрыта тонким (порядка нескольких нанометров) слоем неалмазного углерода, кото- [c.18]

Удельное сопротивление пленок алмаза определяется не только концентрацией носителей заряда (свободных дырок), но и их подвижностью. Из-за рассеяния носителей заряда на межкристаллитных гранргцах и других структурных дефектах подвижность дырок в поликристаллических пленках обычно невелика, гораздо ниже, чем приведенная в табл. 1 для монокристаллов. Обычно эта подвижность — порядка 1 см /(В с) [44-46], хотя в некоторых случаях она в десятки и сотни раз выще (см., например, работы [47, 48]). Подвижность в монокристаллических (гомоэпитаксиаль-ных) пленках на 1-2 порядка величины выще, чем в поликристаллических, выращенных в тех же условиях [41]. Следует отметить, что некоторое нарушение кристаллической решетки алмаза при его легировании, обусловленное введением бора, может отрицателыго сказаться на величине подвижности. В пленках аморфного алмазоподобного углерода величина подвижности на несколько порядков ниже, чем в кристаллическом алмазе [44]. [c.19]

Хорошо известно, что приготовление полупроводниковых электродов не обходится без химического или электрохимического травления [6]. Его основная цель удалить с полупроводника поверхностные загрязнения и дефекты и в первую очередь — так называемый нарушенный слой, возникающий на образце в результате его механической обработки (резка, шлифовка, полирование) и содержащий множество структурньгх макро-и микродефектов, искажающих присущие данному полупроводнику электрические свойства. К сожалению, для алмаза не существует удобного способа химического травления. (Правда, в нем обычно не возникает особой нужды, потому что полировка алмаза может проводиться без применения абразива и, по-видимому, не сопровождается образованием нарушенного слоя и ухудшением полупроводниковых характеристик поверхности алмаза. Алмаз полируют на чугунном круге под действием развивающегося нагрева поверхность алмаза графитизируется, а графит испаряется.) [c.26]

В то же время у относительно толстой ( 0,4 мм) пленки наблюдается значительное, на порядок величины, различие в концентрации акцепторов в ростовой и нуклеативной областях, причем это различие лишь отчасти объясняется различием в концентрации бора. По всей вероятности, оно связано с кристаллическим несовершенством тонкого слоя алмаза, образующегося на начальной стадии роста многочисленные дефекты структуры могут, наряду с примесными атомами бора, играть роль акцепторов. [c.37]

Можно предположить, что на начальной стадии процесса имеет место декорирование дефектов поверхности графитом, подобно автодекорированию поверхности алмаза алмазохм [70] или декорированию вольфрамом при осаждении последнего из газовой фазы [71]. Действительно, из данных табл. 3 видно, что при наращивании на облученном порошке по сравнению с исходным при 950° С проводимость вырастает до значительно большей величины, тогда как общий привес новой фазы уменьшается. В то же время при 1000° С различие заметно меньше, что, вероятно, связано с отжигом дефектов при повышенной температуре. Так, при 950 С относительная проводимость облученного порошка в среднем в 5 раз больше, чем у исходного, тогда как при 1000° С это отношение равно всего 1,6. [c.82]

Обобщая приведенные выше результаты, можно заключить, что этап зарождения алмазной фазы завершается образованием микрокристалла, октаэдрическую форму которого определяет и стабилизирует кристаллографический фактор в течение всего периода его роста до размера, при котором нарушается когерентность поверхности раздела фаз. Причем на данном этапе скорость роста алмаза лимитируется кинетикой поверхностных процессов, что продолжает обеспечивать образовавшуюся гранную форму кристалла вплоть до его размера порядка м, когда происходит смена механизма, лимитирующего скорость роста алмаза. В условиях диффузионного механизма переноса вещества в растворе и относительно низкой скорости роста кристаллов дестабилизирующими их исходную гранную форму роста факторами могут быть анизотропия адсорбции примесей и других структурных дефектов различными гранями, а также химизм и симметрия питающей среды. Наблюдаемое экспериментально резкое падение величины коэффициента а при увеличении размера кристаллов от минимального до 10 м и является следст- [c.373]

Для получения достаточно крупных монокристаллов с минимальным количеством ростовых дефектов стадия зарождения должна быть существенно короче стадии роста. С другой стороны, сильное ограничение (сверху) длительности первой стадии может снизить воспроизводимость вероятностного по своему характеру процесса образования центров кристаллизации. Практически целесообразным можно считать случай, когда длительность стадии зарождения соизмерима с тепловой инерционностью реакционного объема. Что касается длительности второй стадии, то она для системы графит—металл может ограничиваться в интервале от десятка секунд до десятка минут такими условиями процесса, как соотношением металла и графита, неконтролируемыми изменениями р-Т-параметров и т. д. В случае послойной загрузки реакционного объема, когда графит в зоне алмазообразования содержится в большом избытке, ограничение эффективной длительности процесса роста алмаза происходит прежде всего из-за образования в реакционной зоне монокристаллического графита, а также возможного необратимого изменения параметров и химизма среды кристаллизации, например, появления карбидных или других фаз. [c.381]

Так, в присутствии Т и 2г с оптимальным их содержанием в шихте соответственно 1 и 3 % образуются совершенные монокристаллы, имеющие большое число различных по размеру граней куба, октаэдра, ромбододекаэдра и тетрагонтриоктаэдра, общее число которых достигает 48 и выше. Такие алмазы бесцветны, прозрачны, содержат минимальное число дефектов (см. рис. 142, б). [c.396]

Изучение ориентации, формы и состав нитевидных включений и диагональных прослоев в большом количестве (до 5000) кристаллов показало, что эти включения располагаются по следам нарастания только октаэдрических и комбинационных вершин и соответствующих ребер кристаллов. При этом точка пересечения трасс нитевидных включений и диагональных прослоев является центром роста данного кристалла, который редко совпадает с центром объема (т. е. имеет место искажение облика). Характерно, что включения присутствуют только в части объема алмаза, росшей в сторону графита, и всегда связаны с направлением удлинения, т. е. с направлением наибольшей нормальной скорости роста граней кристалла. Указанные особенности морфологии включений третьего типа позволяют предположить, что частицы жидкого металла захватываются растущим кристаллом по механизму внутренней адсорбции на дефектах, образующихся при взаимодействии слоев роста смежных граней, т. е. вблизи ребер и вершин (эффект адлинеации), на фоне сравнительно большой, порядка 8- 10 м/с, скорости роста алмаза. При этом, как и в случае образования включений подтипа 1а, при затвердевании жидкого металла происходит образование границы раздела фаз без заметного напряжения кристаллической решетки алмаза. [c.403]

Наиболее совершенные по своему внутреннему строению алмазы образуются при одновременном введении в шихту или 2г и 2п, Оа, 5Ь или Си. В таких монокристаллах, средняя скорость роста которых не превышала 1,7-10 м/с, сравнительно редко наблюдаются нитевидные, хлопьевидные и макровключения металла. Кристаллы размером до 5-10- м часто вообще свободны от видимых дефектов (см. рис. 142, в). [c.404]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология