Электронная структура полупроводников

Электронная структура полупроводников отличается от структуры металлов наличием энергетического разрыва (запрещенной зоны), отделяющего нижнюю валентную зону, полностью заполненную электронами, от верхней незаполненной зоны проводимости. [c.245]

Кинетика процесса переноса заряженных частиц через границу раздела полупроводник— раствор обладает рядом особенностей, которые определяются электронной структурой полупроводников. [c.292]

Вследствие того, что введение примесей может изменять электронную структуру полупроводника, вытекающее отсюда изменение его адсорбционных свойств может вести и к изменению каталитической активности и скорости реакции. Анализ этого вопроса с точки зрения электронных представлений для некоторых конкретных случаев и в общем виде дан Ф. Ф. Волькенштейном [159]. [c.70]

Электронная структура металлов зависит главным образом только от их химической природы. Структура полупроводников зависит также и от других факторов от наличия акцепторных или донорных примесей в объеме, от характера поверхностных состояний (который, в свою очередь, во многом определяется способом предварительной обработки поверхности), от воздействия светового излучения и др. Таким образом, электронная структура полупроводников определенного химического состава может колебаться в широких пределах. Этим объясняется, в частности значительный разброс экспериментальных данных у разных авторов. Для получения воспроизводимых результатов необходимо четко фиксировать все факторы, которые могут влиять на состояние полупроводника. [c.294]

Такое перемещение электронов, следуя Шокли, можно уподобить движению автомашин в гараже. На этаже, полностью заполненном машинами, они не могут двигаться. В наполовину заполненном этаже число машин, способных двигаться в заданном направлении, максимально. Наличие одной или двух машин на этаже или, наоборот, наличие лишь нескольких свободных мест не может привести к сколь-ко-нибудь значительному потоку автомобилей в заданном направлении. Полупроводники с небольшим числом электронов в зоне относят к п-типу, а полупроводники с небольшим числом вакансии в зоне (их называют дырками) —кр-типу, позднее мы обсудим это подробнее. Незначительное различие в электронной структуре полупроводников и диэлектриков приводит, однако, к значительному-различию в их электрических свойствах. [c.44]

С другой стороны, так как хемосорбция, влияющая на работу выхода, зависит от электронного состояния поверхности, а величины, характеризующие фотопроводимость и ее кинетику, также зависят от электронной структуры полупроводника, должна существовать взаимосвязь между этими величинами и изменениями работы выхода при адсорбции. Следует указать, что в [4] установлена корреляция между каталитической активностью и временами релаксации фотопроводимости. [c.101]

Многие процессы хемосорбции на катализаторах полупроводниковой природы сопровождаются электронными переходами и изменением электропроводности. Участие заряженных адсорбированных молекул в каталитическом процессе должно приводить к зависимости каталитических свойств от электронной структуры полупроводника, т. е. от коллективных свойств твердого тела, поверхностные электрические свойства которого описываются положением уровня Ферми на поверхности. [c.133]

В твердотельном детекторе используется процесс образования в полупроводнике электронно-дырочных пар при попадании в него электронов с высокой энергией. Электронная структура полупроводника включает незаполненную зону проводимости, разделенную запрещенной зоной от полностью заполненной валентной зоны. Когда электроны с высокой энергией испытывают неупругое соударение, электроны переходят в зону проводимости, где они могут свободно перемещаться, оставляя на ста-)ых местах в валентной зоне дырки, которые также могут пе-земещаться под действием приложенного поля (рис. 4.20) 85, 86]. Предоставленные сами себе свободный электрон и дырка в конечном итоге рекомбинируют. Приложенным полем электрон и дырка могут быть разделены. Это поле может быть [c.129]

Электронная структура полупроводников также раосматривается зонной теорией [114, 194, 239—241]. [c.62]

Таким образом, специфика электронных свойств полупроводников приводит к определенным закономерностям адсорбции на этих веществах. Избирательность и скороеть адсорбции, заряжение адсорбционного слоя, прочность адсорбционной связи-зависят от электронной структуры полупроводника и могут регулироваться соответствующими ее изменения ми. Такие изменения могут быть осуществлены введением определенных [c.67]

Электронная структура полупроводника отличается от структуры металла. В полупроводниках энергетические уровни внешних электронов атомов образуют почти полностью заполненную валентную зону (рис. 4). Выше этой зоны располагается зона проводимости, в которой почти нет электронов. Между этими двумя зонами в полупроводнике нет энергетических уровней, которые могли бы занимать электроны, т. е. расположена так называемая запрещенная зона . При достаточно больших тепловых колебаниях электроны из валентной зоны могут перепрыгивать в зону проводимости и участвовать в переносе электрического заряда. По мере увеличения температуры все больше электронов достигают зоны проводимости, поэтому с увеличением температуры электро-проводрюсть полупроводника увеличивается. Электрон, перепрыгивающий из валентной зоны, В1юснт в зону проводимости отрицательный заряд. Согласно закону сохранения заряда, при образовании заряда определенного знака одновременно должен появиться заряд противоположного знака. Таким образом, электрон оставляет в валентной зоне вакантное место — дырку или вакансию — с противоположным зарядом. С химической точки зрения это означает, что от атома германия отделяется электрон, который может свободно передвигаться по кристаллической решетке, в то время как образовав- [c.18]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология