Справочник химика 21

Химия и химическая технология

Статьи Рисунки Таблицы О сайте English

Ненулевые слоевые линии

    Первоначальные схемы рентгеносъемок по методу Вайсенберга предполагали строго фиксированное расположение первичного пучка по отношению к оси вращения кристалла и составлявшее угол 90°. В результате этого при рентгеносъемке ненулевой слоевой линии с большими значениями п существует слепая область, точки которой не отображаются на рентгенограмме. [c.117]

Рис. 214. Приспособление для индицирования ненулевых слоевых линий а —прозрачный круг со значениями б — тот же круг с наклеенным на него бу- Рис. 214. Приспособление для индицирования ненулевых слоевых линий а —прозрачный круг со значениями б — тот же круг с наклеенным на него бу-

    Пользоваться картонными кругами при индицировании ненулевых слоевых линий неудобно. Так как радиус круга зависит от периода идентичности в кристалле вдоль оси вращения, пришлось бы в каждом отдельном случае создавать специальный круг с делениями, отсчитывающими значения хН . Кроме того, возникли бы затруднения и при вращении круга вокруг точки, лежащей вне его. [c.347]

    Ненулевые слоевые линии [c.376]

Рис. 239. Схема движений кристалла и кассеты в прецессионной камере при съемке ненулевой слоевой линии а — расположение га-ной сетки обратной решетки б — расположение кристалла, ширмы и кассеты в — область сетки обратной решетки, пересекающая сферу отражения Рис. 239. <a href="/info/199469">Схема движений</a> кристалла и кассеты в <a href="/info/195596">прецессионной камере</a> при съемке ненулевой слоевой линии а — расположение га-ной сетки <a href="/info/19576">обратной решетки</a> б — <a href="/info/70751">расположение кристалла</a>, ширмы и кассеты в — область сетки <a href="/info/19576">обратной решетки</a>, пересекающая сферу отражения
    В отличие от нулевых слоевых линий при съемке рентгенограмм ненулевых слоевых линий камеру необходимо повернуть на угол ц так, чтобы рентгеновский пу- [c.73]

    И т. Д. И по оси с —001, 002, 003 и т. д. Индексы пятен, лежащих на осях, будут иными, если снималась ненулевая слоевая линия. Например, для первой [c.91]

    Влияние поглощения на интенсивность отражений можно проиллюстрировать на примере пластинчатого кристалла (рис. 55). Отраженные лучи для нулевой слоевой линии проходят через всю пластину. Однако для ненулевых слоевых линий они проходят через меньшую толщу кристалла, при этом чем больше номер слоевой линии, тем меньше ослабляются дифракционные лучи. Эффект будет более заметным для сильно поглощающих соединений, и поэтому введение поправок на поглощение важнее для соединений, содержащих металлы, чем для органических соединений. [c.146]

    Сложнее обстоит дело с учетом поляризационного фактора для пятен ненулевых слоевых линий. В этом случае составляющие вектора Ем е / 1 и требуется разложить на дальнейшие части — составляющие, перпендикулярные и параллельные направлению дифракционного луча. Допустим сначала, что угол fj, равен нулю (случай ненулевых слоевых линий в схеме перпендикулярного падения первичного луча). [c.17]

    Расположение пятен на вейсенбергограммах ненулевых слоевых линий, полученных по схеме перпендикулярного пучка [c.354]

    По симметрии рентгенограмма Вейсенберга ненулевой слоевой линии может принадлежать к любому из десяти типов соответствующая ей сетка обратной решетки пересекает ось вращения не в начале координат— центр инверсии не обязателен,. [c.355]

    При развертке ненулевой слоевой линии поворота кристалла на 180° недостаточно для получения полного изображения соответствующей сетки. Рис. 224 иллюстрирует это положение. В средней части заштрихованной области показана зигзагообразная кривая roqapqr, верхняя и нижняя ветви которой, обращенные в противоположные стороны, эквивалентны друг другу. Прямой Во оО, расположенной по правому краю нижней половинки рентгенограммы, соответствует кривая ОАВ верхней половинки (очевидно, еще более выгнутая, чем pqr). Аналогично прямой Bo Aq O, расположенной вдоль левого края нижней половинки, отвечает кривая О А В — на верхней. Следовательно, весь прямоугольник ОВаВо О равноценен участку ОАВВ А О верхней половины. Реальные края рентгенограммы (отвечающие повороту на 180— 190°) показаны пунктирной линией. Очевидно, что нижняя половина добавляет к верхней самостоятельный участок 4. Незаштрихованная область 5 верхней половины рентгенограммой не охватывается. [c.357]


    При съемке ненулевых слоевых линий методом перпендикулярного пучка ни этой, ни какой-либо другой сеткой воспользоваться невозможно, так как вид кривых зависит от угла Vи ( деформация неоднородного сдвига различна для разных слоевых линий). Легкость расшифровки на глазок в простых случаях и возможность применения сеток— в сложных является существенным преимуществом равнонаклонного метода. [c.362]

    Операции определения установочных углов т и ф (поворота счетчика и кристалла вокруг вертикальной оси) аналогичны операциям индицирования ненулевой слоевой линии рентгенограммы качания на целлулоидовый круг наклеивается бумажный с радиусом, соответст-вуюшим размеру сечения сферы отражения п-ной сеткой (см. стр. 347), целлулоидовый круг поворачивается вокруг точки О до тех пор, пока [c.380]

    На схеме 31, в линия А В — след круга, соответствующего ненулевой слоевой линии обратной решетки. Радиус сферы отражения равен единице, СО = С/2, отсюда радиус круга АВ равен Y1 — С /4, а не единице, как для нулевой слоевой линии в рассмотренном выше случае перпендикулярной съемки [281 С — координата сечения АВ вдоль направления, параллельного оси вращения. На рис. 31, г показано расстояние 5, на которое нужно переместить зкран из положения, соответствующего нулевой слоевой линии, в положение, обеспечивающее попадание на фотопленку дифракционных лучей для ненулевых слоевйх линий. [c.74]

    При индицировании отражений ненулевых слоевых линий желательно использовать индексы слоевой линии, находящейся непосредственно снизу по отношению к рассматриваемой, особенно в случае кристалла такой системы, в которой ось вращения не соответствует оси обратной решетки таковы оси а и с моноклинного кристалла, если ось Ъ является осью моноклинности, и все оси триклинного кристалла. Связь меладу осью вращения и осями обратной решетки в этом случае показана на рис. 40. [c.93]

    Видно, что при этом на вайсенберговских снимках ненулевые слоевые линии представляются в искаженном виде по отношению к нулевой на них появляются отражения, соответствующие третьей координатной оси например, если а— ось вращения, то на развертках ненулевых линий могут появиться пятна 200, 300, 400 и т, д. [c.93]

    Для того чтобы собрать данные от ненулевых слоевых линий, нужно знать углы и V. В эквинаклонном методе, который обычно используется и который только и рассматривается в этой книге, и = V. Здесь л — угол наклона падаюш,его рентгеновского пучка к плоскости, перпендикулярной оси вращения кристалла, V — угол, определяющий наклон счетчика к плоскости, перпендикулярной оси вращения кристалла. [c.110]

    Для вайсенберговских разверток ненулевых слоевых линий, полученных эквинаклонным методом, характерно, что пятна на одной половине пленки имеют сжатую форму, а на другой половине — вытянутую. Обычно измеряют интенсивность вытянутых пятен, а затем вносят поправку [c.144]

    Расчет произведений LP или 1/LP для ненулевых слоевых линий рентгенограмм вращения и рентгенгониометрических снимков значительно сложнее. Различными авторами были предложены многочисленные приемы расчета. В частности были предложены приемы, берущие [c.55]


Смотреть страницы где упоминается термин Ненулевые слоевые линии: [c.214]    [c.358]    [c.358]   
Смотреть главы в:

Рентгеноструктурный анализ Том 1 Издание 2 -> Ненулевые слоевые линии




ПОИСК







© 2025 chem21.info Реклама на сайте