Нулевая слоевая линия

Слоевая линия, проходящая через первичный пучок, называется нулевой Слоевой линией, следующая — первой слоевой линией и т д. [c.100]

Одномерная цилиндрическая функция р(/-, 0) (рис. 10.11), вычисленная для той же мезофазы по значениям интенсивности нулевой слоевой линии (г = 0), представляется чередующимися максимумами и минимумами. Первый максимум [c.264]

На системе индицирования останавливаться не будем. Скажем только, что при вращении кристалла вокруг осей а, Ь или с соответственно первый, второй или третий индексы символа на нулевой слоевой линии равны О, на первой — 1 и т. д. При индицировании обязательно будут рефлексы с символом, имеющим общий делитель, например 220. Такой символ обозначает второй порядок отражения от системы плоских сеток [c.111]

Другая картина наблюдается при исследовании термической сажи, прокаленной при 3200° в течение 20 мин. (фото 70). Слоевые пинии на электронограммах от отдельных участков (Ь, с, d, е, /) располагаются в направлении радиусов частицы. Нулевая слоевая линия содержит ряд ярких рефлексов, представляющих собой узлы обратной решетки графита с индексами оо1 (базисные рефлексы). Характер дифракционных картин указывает на возникновение их от отдельных кристаллических [c.231]

НИИ пленки они дают линию, которая называется нулевой слоевой линией. Дифрагированные пучки от всех остальных плоскостей составляют угол с этой горизонтальной плоскостью, и они попадают на небольшое число горизонтальных окружностей на пленке, известных как первая, вторая слоевые линии и т, д. (см. приложение, рис. 15 и 16). Картина сходна с той, которую давала бы линейная дифракционная решетка с расстоянием с, составленная из ребер параллельных плоскостей атомов в кристалле, перпендикулярных оси с [плоскости 001)]. Линии этой решетки — горизонтальные, так что дифрагированные лучи первого порядка составляют с плоскостями 001) угол 0, определяемый обычным условием дифракции = с sin 0. Такие дифрагированные лучи образуют конус, дающий с цилиндрической пленкой горизонтальную окружность. Точные положения пятен на первой или какой-либо другой слоевой линии, естественно, зависят от плоскостей, от которых происходит отражение (в смысле уравнения Брегга). Пятна на рентгенограмме вращения индицируются сравнительно легко. Эта задача еще более упрощается при использовании метода Вейссенберга, при котором синхронно с вращением камеры происходит медленное продольное качание ее. При этом становится возможным точно установить, какие плоскости находятся в положениях, обеспечивающих отражение для любой точки пленки. [c.306]

Рис. 9.17. Индицирование нулевой слоевой линии рентгенограммы, показанной на рис. 9.15

Каждый конус будет пересекать цилиндрическую пленку по прямой, называемой, слоевой линией. Углы 9 определяются по расстоянию экваториальной (нулевой) слоевой линии до первой и = 1, до второй п = 2 и т. д. [c.125]

Если первичный пучок направлен перпендикулярно оси вращения (обычный в практике случай), положительные и отрицательные слоевые линии располагаются симметрично относительно нулевой слоевой линии. При наклонном падении пучка этого не будет. [c.199]

Для характеристики положений пятен на рентгенограммах введем координатную систему. Начало координат выбирается в точке падения на пленку первичного луча, ось X направляется по нулевой слоевой линии, ось Y — перпендикулярно ей, т. е. параллельно оси вращения. [c.199]

Каждое пятно пленки характеризуется двумя его координатами. Горизонтальная координата х определяется углом т между плоскостью, Проведенной через ось вращения и первичный пучок, и плоскостью, проведенной через ось вращения и отраженный луч (см. рис. 131,а). (При развертке нулевой слоевой линии угол т есть просто угол 2<) между первичным и отраженным лучом.) [c.209]

При работе по второй схеме коллиматор и счетчик остаются в экваториальной плоскости и, следовательно, счетчик в принципе фиксирует лишь лучи нулевой слоевой линии. Однако наклон самого кристалла позволяет совместить с осью вращения последовательно любое кристаллографическое направление [тпр], а следовательно, получить отражения нулевых слоевых линий при всевозможных ориентациях кристалла. [c.214]

В частности, поворотом кристалла можно совместить с осью вращения последовательно все направления, лежащие в одной из координатных плоскостей, иапример все направления [тОр], лежащие в плоскости ХЕ (рис. 135,г), и получить не только отражения рдО, но и отражения нулевых слоевых линий при вращении вокруг [101], [201], [102] и т. д. [c.214]

Лишь нулевая слоевая линия является общей для а- и для р-отра-жений. [c.327]

Если вращение происходит вокруг кристаллографической оси (X, У или 2), то соответствующий индекс (Л, к или 7) всех пятен слоевой линии одинаков. Например, при вращении вокруг оси 2 на нулевой слоевой линии располагаются пятна МО, на первой — пятна кк, на Л/ -ной — пятна ккК. [c.328]

I = mh + nk + pi. Ha нулевой слоевой линии l =0, т. e. [c.329]

При индицировании нулевой слоевой линии можно обойтись и без сетки интерференционных кривых, так как здесь формулы значительно упрощаются угол v = 0, т = 2 б и [c.337]

При индицировании нулевой слоевой линии удобно пользоваться приготовленным заранее картонным кругом, изображающим сечение сферы отражения (рис. 213). На его окружности имеется отверстие для иголки, которая служит осью вращения, а в центре — смотровое окошко для фиксации положения круга. На поверхности круга, вдоль его окружности нанесены деления, указывающие расстояния точек окружности от точки О — будущей оси вращения. [c.346]

Наиболее удобный размер круга i = 10 см. В соответствующем масштабе (т. е. едини-ца = 10 см) на отдельном листе вычерчивается сетка обратной решетки. На ней проводится окружность радиусом, равным единице, с центром в начале координат. На окружности отмечаются точки, в которых должен находиться центр сферы отражения, когда кристалл занимает крайние положения в каждом из интервалов качания. Затем картонный круг накладывается на сетку и скрепляется иголкой с ее началом координат. При движении круга (в пределах угла качания) его наружный край проходит через узлы. Расстояния этих узлов от оси вращения читаются непосредственно по шкале, нанесенной на круг. При систематической работе с камерами одного и того же радиуса еще удобнее нанести в качестве делений на круге не значения x j , а непосредственно значения координат л соответствующих точек пленки (для нулевой слоевой линии [c.346]

Высокотемпературная рентгеновская камера для съемки монокристаллов РКВТ-400 представляет собой модернизацию рентгеновской камеры вращения тина РКВ-86А, приспособленную для исследований монокристаллов и поликристаллических веществ в температурном интервале от 20 до 400 °С. Она обеспечивает получение нулевых слоевых линий рентгенограмм вращения и качаний монокристалла и дебаеграмм поликристаллов. Рентгеносъемка проводится на воздухе на фотопленку, помещенную в цилиндрическую кассету с расчетным диаметром 114,59 мм. Кристалл, установленный на гониометрической головке, нагревается е помощью термостатнрующего устройства, обеспечивающего вдоль оси камеры постоянную температуру. Кассета с пленкой крепится вне термостата, что позволяет производить замену пленки без нарушения теплового режима образца. Измерение температуры производится термопарой хромель-капель , а ее стабилизация достигается с помощью специальной электрической схемы, обеспечивающей точность не хуже +013°- [c.140]

Рис. 213. Приспособление для индицирования нулевой слоевой линии рентгенограммы качания—круг со значениями и смотровым окном

При индицировании нулевой слоевой линии этот круг можно применить так же, как и картонный. При индицировании некоторой п-ной линии нужно лишь вырезать из бумаги добавочный круг соответствующего радиуса (радиус сечения сферы отражения) и наклеить его на целлулоидовый круг так, чтобы их центры совпадали (рис. 214,6). [c.347]

Расположение пятен при развертке нулевой слоевой линии [c.348]

Рентгеновская камера РКВ-86А, показанная на рис. VII.4, б, обладает существенно большими возможностями для экспериментального рентгеновского изучения монокристаллов но сравнению с рентгеновскойГкамерой РКСО-2. Наряду с плоскими лауэграм-мами и эпиграммами, получаемыми в кассетах 1 и 2, камера РКВ-86А позволяет получать лауэграммы на цилиндрической пленке, установленной в специальной кассете 3. Наличие в камере РКВ-86А специального механизма обеспечивает получение рентгенограмм вращения и качания. Цилиндрическая кассета дает возможность регистрировать дифракционную картину по нулевой слоевой линии в интервале углов от 4 до 84°, а сами слоевые линии регистрируются по углам от —48 до - -48°. Качание образца можно производить в угловых интервалах 3, 6, 10 или 15°, причем переход от одного положения к другому и смена интервала качаний возможны в процессе рентгеносъемки. [c.129]

Рис. VI. 16. Схематическбе изображение peнtгeнo-граммы ориентированного полимера (00 — экватор, или нулевая слоевая линия, ММ — меридиан, 11 — первая слоевая линия, 22 — вторая слоевая линия, стрелкой указано направление ориентаций в образ Це).

На текстуррентгенограмме (см рис 26) нулевую слоевую линию часто называют экватором рентгенограммы, а линию, перпен дику.тярную ей II проходящую через первичный пучок, называют меридианом Если первичный пучок лучеи перпендикулярен оси текстуры, тО рефлексы на текстуррентгенограмме распотагаются симметрично как относительно экватора, так и относительно меридиана рентгенограммы Необходимо отметить, что рефлексы на экваторе рентгенограммы получаются при отражении от системы плоскостей, параллельных оси текстуры Наоборот, на меридиане Р итгепограммы появляются отражения от плоскостей, перпенди- Улярных оси текстуры Очевидно, что рефлексы на меридиане [c.101]

При рентгеноструктурном анализе полимеров, иопользуя ориентированные образцы, получают так называемые текстуррентгенограммы. В случае одноосной ориентации кристаллического полимера, когда одна и та же ось у всех кристаллитов ориентиравана в одном направлении, а повороты вокруг нее произвольны, возникает аксиальная текстура. Рентгенограмма полимера, обладающего аксиальной текстурой, аналогична рентгенограмме вращения. Различие заключается лишь в том, что для получения текстур-рентгено-граммы нет необходимости вращать образец. Нулевую слоевую линию на текстур-рентгенограмме называют экватором, а линию, перпендикулярную к экватору и проходящую через след от первичного пучка, меридианом. Если направить первичный пучок так, чтобы он был перпендикулярен оси текстуры, то рефлексы будут раслоложеиы симметрично как относительно экватора, так и относительно меридиана. [c.40]

Расположение и ширина рефлексов, находящихся на различных слоевых линиях текстуррентгенограммы, позволяют изучать своеобразные структуры с двумерным или одномерным порядком, встречающиеся у полимеров. Если, напр., четкие рефлексы имеются только на нулевой слоевой линии, а в др. областях рентгенограммы наблюдается лишь диффузное рассеяние или аморфное гало, то это означает, что имеется порядок только в межцепных расстояниях и, следовательно, сохраняется строгая решетка центров цепей в экваториальной плоскости. Наоборот, наличие четких рефлексов только на меридиане текстуррентгенограммы показывает, что хороший порядок имеется в сдвигах цепей относительно друг друга вдоль оси текстуры образца, но порядок в межцепных расстояниях сильно нарушен. Такого рода структуры, у к-рых наблюдается лишь двумерный или одномерный порядок, обнаружены с помощью Р. а. в ориентированных полимерах. [c.170]

Из последних пример ОВ видим, что для определения пространственных групп симметрии наибольшее значение имеют отражения от серий плоских сеток, Параллельных координатньгм плоскостям. На рентгенограмме вращения (рис. 146) такой плоскости отвечает нулевая (экваториальная) слоевая линия. По этой причине в рентгеноструктурном анализе часто производится съемка только таких нулевых (для каждой из координатных осей) слоевых линий. Есть способ съемки, при котором все слоевые линии, за исключением одной, могут быть отгорожены ш1И Р мой и пятна от Них на фотопленку не попадают. Камера устроена таким образом, что нулевая слоевая линия рентгенограммы вращения разворачивается на всю плоскость пленки. Для этой цели в камере не только вращается кристалл, яо движется или Вращается пленка. Это так называемые методы развертки слоевых линий. Камеры [c.129]

Расстояние между п-ной и нулевой слоевыми линиями обозначим через / , угол полураствора соответствующего конуса — через Vn, угол полураствора нулевого конуса — через yo- Радиус кассеты — Як-На рис. 124, а первичный пучок направлен перпендикулярно оси вращения (70 = 90°), на рис. 124, б — наклонно. [c.199]

Расстояние между слоевьгми линиями зависит от длины волны чем больше X, тем больше и у . Пятна, создаваемые р-лучами, ложатся на самостоятельные слоевые линии, расстояния между которыми несколько меньше, чем расстояния между соответствующими линиями а-пятен. Это обстоятельство в совокупности с малой интенсивностью Р-пятен позволяет легко отличать на рентгенограмме а- и р-пятна. Поэтому фильтры и монохроматоры в методе враш,ения (и во всех его разновидностях) применяются сравнительно редко. Лишь в отношении пятен, расположенных на нулевой слоевой линии, общей для а- и р-излучений, может возникнуть недоразумение при расшифровке рентгенограммы. [c.200]

Одно из затруднений при индицировании нулевой слоевой линии состоит в присутствии на ней 3-нятен. На рентгенограм мах качания отличать р-пятна от а-пятен труднее, чем на рентгенограммах полного вращения, так как пе обязательно должны одновременно присутствовать на одной и той же рентгенограмме и а- и р-отражения с одинаковыми индексами. Благодаря разному масштабу обратных решеток на а- и р-излучениях аналогичные их узлы могут попадать в разные интервалы углов качания. Природу всех пятен нулевой линии, которые не удалось удовлетворительно расшифровать как а-отражения, следует [c.347]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология