Форма кристаллографическая

Основной недостаток полихроматического метода связан с тем, что все дифрагируемые кристаллом лучи рдг имеют разную длину волны, а это означает, что интенсивности дифракционных лучей в этом методе зависят не только от структуры кристалла, но и от распределения интенсивности по X в спектре первичного пучка. Последнее к тому же зависит от режима работы рентгеновской трубки. Эта и ряд других особенностей полихроматического метода резко сужают его возможности Б структурном анализе. Фактически он используется в основном для решения одной из побочных (предварительных) задач рентгеноструктурного анализа —для определения ориентации кристаллографических осей в исследуемом монокристалле. Такая задача возникает, во-первых, в тех случаях, когда исследуется обломок кристалла, не имеющий правильного габитуса, и, во-вторых, в тех случаях, когда для повышения прецизионности исследования кристаллу путем обкатки придается сферическая форма (см. гл. IV, 1 и гл. V, 4). Именно неподвижное положение исследуемого образца в камере Лауэ и делает полихроматический метод незаменимым для решения этой задачи. Ориентация кристаллографических осей находится по определенным правилам на основе расположения дифракционных пятен на пленке . [c.68]

В понятие структуры входит не только размер, но и форма кристаллов. Варьируя состав электролита и условия электролиза, можно влиять не только на размер кристалла, но также на его геометрическую и кристаллографическую форму. Характерным примером изменения геометрической формы в зависимости от условий электролиза является осаждение меди. При осаждении меди из растворов сульфатов и фторборатов без добавок образуются осадки с колончатой структурой (рис. 47, а). Введение в электролит добавок желатины, фенолсульфоновой кислоты и многих других добавок приводит к образованию волокнистой структуры (рис. 47,6). [c.128]

Частицы, нз которых состоят кристаллы, - атомы, ионы или молекулы - располагаются в пространстве в правильном порядке, образуя кристаллическую решетку, которая состоит из элементарных ячеек, имеющих форму параллелепипедов. На законе целых чисел основана система обозначений граней кристаллов. Для каждой грани пишут набор обратных значений длин отрезков, отсекаемых ею на осях х, у и г. Эти длины характеризуют целыми относительными значениями, выраженными как отношения длин отрезков к величинам, пропорциональным периодам кристаллической решетки (периоды решетки соответствуют ребрам элементарной ячейки-параллелепипеда). Такие обозначения называют кристаллографическими индексами граней, или индексами Миллера (1829 г.). На рис. 1.68 показаны индексы Миллера для граней кубических и октаэдрических кристаллов (знак минус пишут над цифрой). [c.147]

Довольно часто наблюдается влияние кристаллографической ориентации на скорость коррозии металлов. Так, медный моно-кристаллический - электрод, выточенный в форме шара, после анодного травления в растворах фосфорной и серной кислот принимает форму многогранника. При травлении металлографических шлифов на зернах с различной кристаллографической ориентировкой получают разные фигуры травления (рис. 224). [c.326]

Простой формой кристалла называется многогранник, все грани которого можно получить из одной грани с помощью преобразований симметрии, свойственных точечной группе симметрии данного кристалла. Для всех граней простой формы скорости роста одинаковы. Все грани идеальной простой формы кристаллографически равны. [c.68]

Простой формой называется такой многогранник, все грани которого выводятся из одной заданной посредством элементов симметрии многогранника. Комбинацией простых форм называется многогранник, у которого из одной данной грани не все остальные выводятся посредством элементов симметрии многогранника (А. К. Болдырев). Следовательно, кристаллографическая призма и бипирамида являются простыми формами, а геометрическая призма—комбинацией двух простых форм кристаллографической призмы (боковые грани) и пинакоида (соответственно грани верхнего и нижнего оснований), см. ниже. [c.42]

Форму кристаллов изучает кристаллография. Для описания формы кристаллов пользуются системой трех кристаллографических осей (рис. 62). В отличие от обычных координатных осей эти оси [c.100]

Применение для обозначения кристаллических форм парафина указанных выше описательных наименований вместо строгой кристаллографической терминологии вызвано тем, что до настоящего времени кристаллографическая категория кристаллических форм парафина остается еще окончательно не установленной. [c.61]

Уравнения (15.3) и (15.4) выведены в предположении равновероятности диффузионного смещения атомов во всех кристаллографических направлениях кристалла, определяемой симметрией и одинаковой формой потенциальных барьеров. При этом ограничении коэффициент диффузии О не зависит от х, у, г н является скалярной величиной, поскольку он изотропен. Общее решение 2-го уравнения Фика (15.4) для неограниченного тела с заданным начальным распределением концентрации примеси N(x, 0) = [(х) при т = О имеет сложный вид. Однако при введении дополнительных ограничений решения упрощаются и допускают непосредственный количественный расчет профиля диффузии в зависимости от времени. Рассмотрим три реальных варианта процессов диффузии. [c.153]

Довольно многочисленные исследования, которые проводились в этом направлении, в том числе и рентгенографическими методами, дали несколько противоречивые результаты. По этой причине для кристаллических форм парафина целесообразно сохранить указанные выше описательные наименования до тех пор, пока вопрос об их отнесении к тому или иному кристаллографическому классу и группе не будет решен окончательно и однозначно. [c.61]

Однако после чая начала складываться форма, которая подняла наше настроение. Три цепи переплетались таким образом, что давали кристаллографический период, равный 28 А по оси спирали. А на это как раз и указывали рентгенограммы Мориса и Рози. Поэтому, когда Фрэнсис отошел от стола и оглядел плоды наших послеобеденных трудов, он явно успокоился. Правда, некоторые атомы были расположены слишком близко, но ведь подгонка только начиналась. Еще несколько часов работы, и получится вполне приличная модель. [c.57]

Имеющиеся данные показывают, что морфологические формы различных месторождений определяют кристаллографическую текстуру графитовых частичек и прессовок из них. [c.236]

Форму кристаллов изучает геометрическая кристаллография. Для их описания, пользуются системой трех кристаллографических осей. В отличие от обычных координатных осей эти оси представляют собой конечные отрезки а, [c.133]

Рассмотрим влияние на положение и форму спектров ЭПР анизотропии -фактора. Представим себе монокристалл, в котором все парамагнитные центры ориентированы одинаково относительно кристаллографических осей. При любой ориентации кристалла по отношению к внешнему- магнитному полю спектр будет регистрироваться при значениях поля, равных HQ=hv g , где g определяется по формуле (IX.7) или (IX.8). Поворот кристалла будет изменять величину Ё, а следовательно, и Яо. Так, например, при аксиально анизотропном --факторе (дх= у) g будет меняться от g=g (0 = 0) до g=g (0=я/2), а величины резонансного поля —от iI =h g р до Яx=/lv/gi р. Если парамагнитные центры ориенти- [c.237]

В свете периодического закона многие понятия общей и неорганической химии (химический элемент, простое тело, валентность) приобрели более строгую форму. Широкая приложимость периодического закона при отсутствии понимания его причины есть один из указателей того, что он очень нов и глубоко проникает в природу химических явлений писал Д. И. Менделеев в 1888 г. А в 1889 г. Д. И. Менделеев говорил о периодическом законе как о новой тайне природы, еще не поддающейся рациональной концепции Классические физико-химические методы исследования оказались не в состоянии решить проблемы, связанные с анализом причин различных отступлений от периодического закона, по они в значительной мере подготовили основу для раскрытия физического смысла места элемента в системе. Изучение различных физических, механических, кристаллографических и химических свойств элемеитов показало их общую зависимость от более глубоких и скрытых для того времени внутренних свойств атомов. [c.298]

Уравнение третьего приближения теории Дебая — Гюккеля имеет простую форму, но константа С лишена определенного физического смысла. Р. Робинсон и Р. Стокс (1948) предложили иную количественную интерпретацию роста lg/ "> при высоких концентрациях электролита. По теории Робинсона — Стокса формула второго приближения (III.55) должна применяться не к свободным, а ксольватированным ионам, мольная доля которых по отношению к свободному растворителю отличается от мольной доли ионов без сольватной оболочки. На это, в частности, указывают экспериментальные значения параметра а, превышающие сумму кристаллографических радиусов катиона и аниона. Таким образом, возникает необходимость установления связи между коэффициентами активности и / /( сольв)- При этом применяется тот же прием, как и при установлении связи между стехиометрическим коэффициентом активности бинарного электролита и истинным коэффициентом активности ионов при учете его частичной диссоциации [см. уравнения (111.21) — (III.26)]. Окончательный результат можно представить в виде [c.42]

В ряде случаев возможно изменение кристаллографической формы выделяемого металла. Так, например, при электролитическом осаждении хрома можно получить при низких плотностях тока осадки с объемно-центрированной кубической решеткой, а при [c.128]

В местах выхода дислокаций на поверхность кристалла после травления образуются микроскопические углубления ( ямки травления ), которые легко наблюдать в микроскоп. Форма ямок зависит от ориентации кристаллографических плоскостей, подвергающихся травлению (от индексов грани). Например, на плоскостях 111 германия и кремния получаются ямки треугольные Л, на плоскостях 100) — квадратные и на плоскостях (ПО) —прямоугольные Г 1. [c.140]

Каждой кристаллической сингонии (см. гл. I) соответствует определенная форма зависимости Wk от кристаллографических направлений например, для кубической сингонии [2, 4] [c.316]

Не менее интересные возможности связаны с применением полупроводников в форме НК [11]. К важным особенностям НК относятся не только их совершенная структура, выгодные геометрические размеры и форма роста в виде нити или узкой ленты с четкой кристаллографической огранкой и ориентацией, но и возможность легирования в процессе роста, позволяющая в широких пределах изменять их электрические, магнитные, оптические и другие свойства. Приведем несколько примеров практического применения этого эффекта в различных областях науки и техники. [c.518]

Распо 10жение макромолекул в кристаллических области. всегда строго определенно оси макромолекул параллельны друг другу, концы их находятся на поверхности кристаллического образования. Кристаллографическая ось с совпадает с оськ макромолекулы По форме кристаллографические ячейки делят на несколько типов кубическая, орторомбическая, гексагональная и др. В ячейку входит, как правило, не вся молекула, а только се небольшая часть (несколько повторяющи.хся звеньев), пс-это.му элементарная ячейка полимера часто аналогична ячейке [c.54]

Ограненные (кристаллографические) прггтинги и питтинги неправильной формы (анизотропно растущие в различно ориентированных зернах металла), как правило, являются травлеными. Они обнаружены на железе, углеродистых, низколегированных и нержавеющих сталях, никеле, алюминии, цинке, хроме. Форма кристаллографических питтингов соответствует правильным пирамидам, призмам, и сложным многогранникам, как правило, ограниченным низкоиндексными плоскостями кристаллической решетки, а тип огранки определяется пустотами кристаллической решетки, образовавшимися на начальных стадиях зарождения питтингов. [c.124]

Pt 2 4МНз яН-гО. Растворимость указанных солей друг в друге в кристаллическом состоянии обусловлена близостью их кристаллических форм. Кристаллографические измерения полученных Н. С. Курнаковым и И. А. Андреевским соединений проведены А. М. Болдыревой [5]. Эта работа близко примыкает к ряду исследований различного рода соеди нений переменного состава. [c.8]

Полногранные и неполногранные кристаллографические формы. Кристаллографические формы бывают полногранные (голоэдрические) и неполногранные. Последние могут быть гемиэдртеские (с половинным количеством граней), тетартоэдрические ( V4 частью граней) и т. п. [c.40]

Первая модификация парафина (устойчивая при повышенных температурах) кристаллизуется в форме длинных, относительно крупных кристаллов, напоминающих по внешнему виду волокна, возможно, шестигранного сечения и заканчивающихся пирамидами. Характерные образцы этой структуры показаны на рис. 5. Эта структура упоминается в литературе под наименованиями ленточная , волокнистая и т. д. Из этих названий наиболее близко форму кристаллов данной модификации описывает наи-% менование волокнистая структура . Это наименование и будет оставлено при дальнейшем изложении, хотя оно и не укладывается в строгую кристаллографическую терминологию. В соответствии с этим и модификация парафина, дающая эту кристаллическую форму, будет именоваться волокнистая модификация . [c.60]

ВЛИЯНИЯ на АКТИВНОСТЬ катализатора различных воздействий нетепловой природы, а именно магнитного и электрического полей,, радиацин и ультразвуковых колебаний, приведены в виде графиков на рис, 8—12, Как видно из приведенных данных, указанные формы энергии оказывают большое влияние на каталитическую активность. Во всех описанных случаях были подобраны такие системы, которые исключали возможность изменения кристаллографической структуры твердого тела, и поэтому наложение эффектов в этих опытах не могло иметь места [16]. Изучение зависимости активности катализатора от его магнитного состояния проводились на материалах с ферромагнитными свойствами, поскольку при этом переход через точку Кюри не сопровождается изменением типа решетки. [c.12]

Укажем кратко на различия между современными нредста-влепиями и представлениями, существовавшими в период 1934— 1937 г. В противоположность прежним взглядам мы считаем, что поверхность вольфрама обладает некоторой степенью неоднородности. Форму кривой 2 на рис. 33 нельзя объяснить, если не допустить присутствия участков, где адсорбированные ионы связаны с поверхностью прочнее, чем на остальной части поверхностн. Несомненно, что эта неоднородность обусловлена не примесями или посторонними атомами. Она может быть вызвана наличием различг[ых кристаллографических граней. Во-вторых, мы более не придерживаемся точки зрения, что при более высоких заполнениях атомы адсорбированы рядом с ионами. При низких значениях О весь адсорбированный металл находится на поверхности в виде ионов. При увеличении степени заполнения тип связи изменяется и с некоторого определенного значения О весь металл оказьшается адсорбированным в виде атомов. Под влиянием поля металла происходит поляризация этих атомов. С увеличением заполнения диполь-иые моменты адсорбированных атомов уменьшаются вследствие взаимной поляризации и наблюдается минимум работы выхода, когда приходящееся на один атом уменьшение дипольного момента уже больше не компенсируется увеличением числа диполей на единицу поверхности. [c.139]

Под влиянием этих факторов наряду с размерами кристаллов могут изменяться также форма и ориентация кристаллов, т. е. их взаимное относительное расположение. Преобладание определенной ориентации кристаллов в осадке, т. е. такое расположение кристаллов, когда одно или два кристаллографических направлений оказываются преобладающими, обычно называют текстурой. Чем больше кристаллов, имеющих данное направление роста по отношению к общему числу кристаллов, тем выше степень ориентации, или степень совершенства текстуры. В некоторых случаях текстура, так же как и размер кристаллов, является существенным фактором, определяющим те или иные свойства электролитических осадков (блеск, твердость и др.). Закономерности форм роста кристаллов подробно изучены К. М. Горбуновой [3] и И. А. Пангаровым [5]. [c.338]

Утверждения Пастера оказались, таким образом, достоверными, а обвинения его в витализме — эфемерными. Но сейчас важно обратить внимание не только на то, что в конце концов Пастер в споре со своими оппонентами оказался прав. Более интересны перспективы учения Пастера — научная программа Пастера приблизительно в том ее методологическом аспекте, который обрисован в концепции развития науки Лакатоща. Эта программа была сформулирована Пастером в форме исследовательских задач еще в период его кристаллографических исследований [18]. [c.179]

Как указано выше, форма кристалла определяется скоростью роста той или иной грани. Существование различных кристаллических форм свидетельствует о неодии кор.нх скоростях росте граней и их кристаллографической неиденгичностн. [c.248]

Классификация кристаллических форм. Классификация кристаллов основана на определении степени их симметрии плоскостей, осей и центра симметрии. А. В. Гадолнн в работе Вывод всех кристаллографических систем... математически доказал (1867), что возможны 32 вида симметрии кристаллических форм. [c.131]

Новая форма иодида серебра имеет структуру типа Na I с параметром а = 0,303 нм. Изменение объема, происходящее при образовании более плотной фазы Agi III из Agi П составляет 0,0258 см /г. Кристаллографические и объемные данные высокотемпературной фазы Agi I с удовлетворительной точностью не измерены. [c.155]

Кристаллы со структурой алмаза (германий, кремний, арсенид галлия и др.) как при естественном росте, так и прн искусственном выращивании стремятся принять октаэдрическую форму. Это стремление проявляется в том, что при выращивании кристаллов вытягиванием из расплава монокристалл растет не в форме правильного цилиндра с гладкой поверхностью, а имеет на ней более или менее широкие полосы, распределенные по периметру поперечного сечения строго в соответствии с ориентировкой. Если монокристалл ориентирован по осп роста параллельно направлению (III), то хорошо просматриваются три вертикальные полосы, расположенные сим-ме рично через 120°. При направлении роста (100) образуются четыре вертикальные полосы, расположенные на цилиндрической поверхности через 90°. Внешние признаки такого рода могут быть использованы при определении кристаллографической [c.59]

Электронно-микроскопические исследования выявили очень дефектную структуру кристаллов алита в клинкерах и твердых растворах 3S. Блочность кристаллов проявляется в виде ручьевых узоров со средним размером ячеек 200—400 нм, что вызвано пересечением трещинами скола системы винтовых дислокаций, ориентация которых одинакова. Распространение трещины происходит по определенным кристаллографическим плоскостям. Таким образом, зная расстояние между дислокационными линиями, можно определить плотность дислокаций в минерале. Движение сетки дислокаций в процессе излома кристалла и скопления их на границах раздела блоков вызывает образование характерной ячеистой структуры минерала. Другим компонентом дефектной структуры является образование ямок травления в местах выхода дислокаций. Ямки травления на кристаллах исследуемых образцов имеют форму пирамиды, а их размеры увеличиваются пропорционально длительности травления. Этот факт свидетельствует в пользу того, что ямки травления дислокационные, поскольку ямки травления недислокационного происхождения, как правило, имеют форму усеченной пирамиды и исчезают при продолжительном травлении. [c.237]

Влияние анизотропии д-фактора на положение и и форму спектра ЭПР. Представим себе монокристалл, в котором все парамагнитные центры ориентированы одинаково относительно кристаллографических осей. При любой ориентации кристалла по отношению к внешнему магнитному полю спектр будет регистриро- [c.24]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология