Ступеньки роста

Рис. 25. Спиральная ступенька роста вокруг выхода винтовой дислокации на поверхности монокристалла карбида кремния (а) ее интерференционное изображение (б) (увеличение Х90)

НОЙ золотом. На гранях (100) ясно видны ступеньки роста, а высокая концентрация золота на некоторых участках свидетельствует о существовании граней с высоким индексом или сильно фасетированных областей. [c.102]

Как видно из рисунка, ступеньки роста регулярно продолжают начатое построение плоскости кристалла. Несколько меньшая энергия освобождается тогда, когда ион осаждается в положение 2 около плоскости кристалла, давая тем самым начало новому ряду атомов, который, однажды начавшись, может ступенчато расти дальше. Еще менее энергетически выгодным оказывается продолжение роста одиночного ряда атомов на границе кристаллической плоскости (положение 3). [c.185]

На рис. 32.14 показана оттененная электронная микрофотография небольшого кристалла парафинового углеводорода, на которой отчетливо видны ступеньки роста кристалла. Видно также, что имеется действительно одна спиральная ступенька, внутренний конец которой оканчивается дефектом кристалла отсюда и начинается рост кристалла. Дополнительные молекулы присоединяются к кристаллу, пристраиваясь к уступам, образуемым спиралью по мере ее разрастания от возникнувшего дефекта. В настоящее время установлено, что множество кристаллов, вероятно даже все, начинают свой рост с таких дефектов. Отметим, что это разрешает проблему быстрого увеличения тенденции к переходу из одной фазы в другую по мере уменьшения размера частицы, как это показано на рис. 32.4 и обобщено в уравнении Кельвина. Самопроизвольное образование зародыша совершенного кристалла в чистой фазе происходит крайне ред- [c.74]

Начальный выступ а пластинке поверхностного двумерного зародыша появляется под влиянием предельного напряжения ее, которое возникает в результате теплоотдачи или неравномерного распределения примесей и приводит к выгибанию пластинки с образованием выступа. Если высота выступа является целым кратным высоте ступеньки роста, то в результате последующего роста ступеньки будут сливаться и образовывать правильную кристаллическую поверхность [63]. [c.124]

Свежесколотый кристалл помещают в вакуум, нагревают до 100—120° С и на поверхность скола термическим испарением наносят осадок золота или другого декорирующего металла с расчетной толщиной около 5—10А. Затем в вакууме наносят углеродную пленку толщиной около 200 А, с ломощью которой осадок золота отделяют от кристалла и изучают в электронном микроскопе. При таких условиях напыления сплошная пленка золота не возникает, а образуются отдельные частицы с линейным размером в несколько десятков ангстрем. Характер распределения этих частиц и является предметом исследования. На атомарно гладких участках поверхности частицы располагаются беспорядочно. На таких элементах поверхностного рельефа, как ступеньки роста или скола, ступеньки дислокационного происхождения, следы скольжения и т. п., частицы располагаются закономерно — в виде линий. [c.244]

В работе [74] предпринята попытка объяснить влияние механической деформации медного электрода на его анодную и катодную поляризацию в водном растворе Си304 с позиций теории перенапряжения кристаллизации при условии, что лимитирующей стадией реакций является поверхностная диффузия ад-ионов, параметры которой зависят от расстояния между ступеньками роста, т. е. от плотности дислокаций. С учетом того, что плотность дислокаций линейно связана со степенью пластической деформации, получена прямая пропорциональная зависимость скорости реакции от корня квадратного из степени деформации. Эта зависимость приближенно соответствует результатам опытов и несколько нарушается при больших деформациях. К сожалению, в этой работе не измеряли величину механического напряжения, а поскольку в случае меди деформационное упрочнение может подчиняться параболическому закону [41 ], можно объяснить результаты опытов [74 ] без привлечения теории замедленной стадии поверхностной диффузии. [c.89]

С, наблюдается некоторое количество иристаллов 5—1,5 ч прп 100 С, наблюдается та А больших размеров, ребра некоторых из них достигают 30 мкм 8 — ступеньки роста лита А высотой 50 А. [c.353]

На фото 34 приведена типичная электронная микрофотография кристалла С100Н202, иллюстрирующая спиральный рост, вызванный винтовой дислокацией. Кристаллы этих парафинов относятся к орторомбической системе. Кристаллографические оси а я Ь расположены в плоскости, параллельной большей плоскости кристалла, которой он ориентирован на подложке, ось с перпендикулярна к плоскости подложки. Высота ступенек была определена по длине отбрасываемой ими тени и, нанример, для кристаллов н. нонатрпаконтана для нее было получено значение 45+10 А [10]. Так как длина оси с элементарной ячейки, согласно рентгенографическим данным, равна 51,3 А, что соответствует длине одно11 молекулы, то можно считать, что ступеньки роста представляют собой мономо.яеку-лярные слои, где молекулы располагаются вертикально по отношению к подложке, наподобие частокола. [c.169]

Досон и Уотсон [13, 14] изучали влияние ассоциации молекул н. пентаконтанола (С5дН1(,10Н) в растворе на высоту ступенек, образующихся нри его кристаллизации из ряда полярных и неполярных растворителей. Кристаллы, полученные из растворов в полярных растворителях (амилацетате, диоксане), в которых вещество не ассоциировано, имели, как правило, мономолекулярные ступеньки роста. При кристаллизации же из растворов в неполярных растворителях (петролейном эфире, ксилоле и т. п.), содержавших ассоциированные молекулы, наблюдались преимущественно бимолекулярные ступеньки роста. Ранее подобные результаты отмечались нри кристаллиза- [c.170]

Расчеты молекулярно-кинетической теории проведены для совершенного кристалла с идеально плоскими гранями. На поверхности реального кристалла всегда имеются нарушения, дефекты, несовершенства, грань никогда не бывает идеально плоской. Присоединение частицы к месту локального нарушения структуры энергетически наиболее выгодно. Самым вероятным оказывается присоединение частицы к выходу винтовой дислокации. Выход винтовой дислокации на поверхность кристалла представляет собой ступеньку, к которой легко может присоединиться новая частица. Присоединение частицы не восполняет и не залечивает ступеньку. Рост происходит путем спиральнослоистого нарастания грани, так что каждый новый повторяемый шаг продолжает спирально-винтовую лестницу, увеличивая число оборотов спирали. Рост кристалла осуществляется путем присоединения отдельных частиц к постепенно продвигающемуся выходу спирали (рис. 322,6), поэтому для роста не требуется образования двумерного зародыша. Расчет показывает, что слоисто-спиральный рост, осуществляеми с помощью винтовых дислокаций, можс происходить из паров или растворов при сколь угодно малых пересыщениях. Спирали с высотой ступенек порядка [c.360]

Реальные условия роста влияют не только на внешнюю форму кристалла, но также и на структуру самих граней, которые редко представляют собой идеальные плоскости. Обычно они покрыты штриховкой или ступеньками роста. Впадины и бугорки неправильной формы и небольшого размера, вызванные несовершенством кристалла, называют вициналоидами. В том случае, когда неровности на грани занимают более крупные участки, определенным образом на ней ориентированные, их называют вициналями. Более подробные сведения по этому вопросу можно найти в специальной литературе [23, 24]. [c.26]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология