Монокристалы

Наконец, можно воспользоваться и монохроматическим лучом и монокристальиым образцом, если последний вращать вокруг одной из его осей. При этом будут меняться два из трех углов х и, следовательно, углы раствора двух из трех конусов ф. В процессе вращения последовательно будут возникать условия совместности всех трех условий для различных комбинаций pqr и, следовательно, будут возникать вспышки дифракционных лучей. [c.55]

Все известные халькогениды сурьмы и висмута типа Аг В — полупроводники. Получают их из элементарных веществ в эвакуированных кварцевых ампулах. Медленно нагревают до 200° С и выше. Сульфиды можно получать и осаждением из растворов соли очищенным сероводородом. Получающиеся осадки переплавляют или используют для напыления в вакууме. Монокристалы получакэт- методом натягивания или зонной плавки. [c.303]

Для получения монокристаллов ряда тугоплавких разлагающихся полупроводниковьгх соед. (напр., dS, ZnS, Si , AIN и др.) используют кристаллизацию из газовой фазы (методы сублимации и хим. траиспортньк р-ций). В случае если при выращивании монокристаллов не удается получить соед. требуемого стехиометрич. состава, кристаллы разрезают на пластины, к-рые подвергают дополнит, отжигу в парах недостающего компонента. Наиб, часто этот прием используют в технологии получения монокристаллов узкозонных соед. типа А В и А" В , где собств. точечные дефекты сильно влияют на концентрацию и подвижность носителей тока, т.е. проявляют высокую электрич. активность (РЬТе, PbjSnj e, d gj e и др.). При этом удается снизить концентрацию носителей заряда в кристаллах на иеск. порядков. Для вьфащивания профилированных монокристалов П.м. (ленты, прутки, трубы,и т.д.) используют метод Степанова. [c.60]

Другие оксиды. Ряд оксидов молибдена и вольфрама получают при нагревании различной длительности (вплоть до температуры 700°С) смесей металла и триоксида в вакууме [1]. Эти оксиды идентифицированы по рентгенограммам порощка, а большинство их структур было определено из монокристаль-ных данных. Промежуточные оксиды молибдена и вольфрама. [c.285]

Методика гидротермального синтеза монокристаллов кварца состоит в следующем довольно тонко измельченные кусочки а-кварца помещают на дно реактора (рис. 106), а в верхней части реактора — зоне роста подвешивают соответствующим образом ориентированные монокристаль-ные затравочные пластинки а-кварца. Определенную часть свободного объема реактора, равную примерно 0,7... 0,8, заполняют щелочным раствором, чаще всего МаОН. Реактор помещают в печь вертикально и нагревают, причем нижнюю часть реактора, в которой происходит растворение, нагревают изотермически до более высокой температуры Т , чем верхнюю — зону роста, в которой температура Т поддерживается постоянной. При повышении температуры уровень раствора поднимается, давление растет и в конце концов при некоторой температуре, не превышающей критическую, реактор целиком заполняется жидкой фазой. Давление зависит от температуры, распределения температур и исходной степени заполнения сосуда. При температуре в зоне растворения равной 400°С, и в зоне роста, равной 350°С, и давлении 200 МПа рост кварца идет с заметной скоростью приблизительно 1 мм/сут в направлении (0001). За скорость роста принимают приращение толщины затравки, деленное на длительность экспозиции. Как показали исследования, кинетика роста кристаллов кварца определяется следующими факторами [c.370]

Из числа приведенных авторами примеров применения камеры остановимся на восстановлении водородом монокристаль-ных усиков окиси меди, полученных путем прогревания медной сетки в атмосфере воздуха при 400° в течение 4 час. При действии водорода на препарат при постепенно повышавшейся температуре наблюдалось, согласно электронографическим данным, последовательное восстановление окиси меди в закись и затем в металлическую медь (фото 6). Аналогичные наблюдения описаны в работе [50]. [c.44]

Эта плоскость в дальнейшем служит опорной плоскостью для ориентировки любых других граней кристаллической пластинки. Далее ее погружают на 20—33 мин. в техническую плавиковую кислоту для проверки на отсутствие двойников, присутствие которых абсолютно недопустимо на пластинках, используемых в спектрографе. После удаления двойниковой части пластины оставшаяся монокристаль-ная ее часть подвергается дальнейшей обработке для получения пластинок с ориентировкой на плоскости (ЮГО). Для этого на одной из плоскостей пластины вышлифовывают сферическую ямку и эту сторону погружают в плавиковую кислоту на 8—10 час. После травления ее помещают в асте-риоскоп [66] для определения методом астеризма от фигур травления оси х, которая параллельна плоскости (1010). Направление этой оси отмечается, на блоке карандашом. Шлифовкой параллельно нанесенной линии и перпендикулярно (по угольнику) к плоскости (0001) создается искусственная грань призмы (1010) (рис. 27, б). [c.82]

Рис. 2. Диаграмма растяжения монокристалла цинка в координатах наиряшение в Г/мм- (ордината) — относительная деформация в % (абсцисса) 1—чистый монокристалоЕ 2 — монокристалл, покрытый тонким слоем ртути.

В настоящее время преобладает тенденция относить к изоморфным в< дефектные кристаллы переменного состава, в которых вхождение посторонни элементов (атомов, ионов, молекул, атомно-молекулярных группировок) не нар шило структурной целостности и монокристальиой гомогенности. Термины ит морфные смеси, твердые растворы и смеиихнные кристаллы в связи с такой трз товкой изоморфизма должны рассматриваться как синонимы. (Прим, ред.) [c.250]

В дальнейшем метод получения монокристальиых рубинов был значительно усовершенствован С. К. Поповым, разработав- [c.247]

Гониометрические развертки подтвердили гексагональную симметрию кристаллов (класс Лауэ 6//н). Систематические погасания рефлексов приводят к двум возможным пространственным группам Р63 и Р6з/т. Параметры элементарной ячейки, а = 17.375 + +0.005, с=15.185+0.005 А плотность измеренная 1.4 г/см вычисленная на 6 формульных единиц [Ni(en)з]-81305-8.7Н2О 1.3 г/см . Измерения интенсивностей выполнены на монокристаль-ном дифрактометре со сцинтилляционным счетчиком по схеме перпендикулярного пучка методом неподвижный счетчик—вращающийся кристалл . Использовалось монохроматизированпое отражением от кристалла-монохроматора — Мо-Л -излучение. Были измерены 920 ненулевых неэквивалентных отражений [c.63]

На поверхности образцов часто встречаются мелкие кристаллы, оставшиеся непоглощенными в процессе монокристаль-ного роста. Это двойники или небольшие разориентированные участки, разделенные малоугловыми границами зерен. Такие кристаллы образуются либо при слишком большом первоначальном размере зерен (из-за длительного или высокотемпературного предварительного отжига), либо при недостаточно продолжительном или низкотемпературном окончательном ростовом отжиге (из-за недостатка времени для поглощения поверхностных кристаллов). [c.158]

В дальнейшем метод получения монокристаль-ных рубинов был значительно усовершенствован Поповым, разработавшим способ получения тонких игольчатых кристаллов длиной до полуметра при поперечнике в 3—5 мм. Заготовки, получаемые по способу Попова, значительно легче поддаются механической обработке и сильно увеличи-чивают производительность аппаратов для синтеза рубинов. Кроме того, по способу, Попова можно получить рубины, облада<юш 1е определенной кpи тaллoq)aфичe кoй ориентировкой, что облегчает дальнейшую их обработку и применение. [c.233]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология