Кристаллы условия образования

Твердые растворы замещения образуются в том случае, если кристаллические решетки компонентов однотипны и размеры частиц компонентов близки. Необходимым условием образования твердых растворов является также и известная близость химических свойств веществ (одинаковый тип химической связи). Так, в кристалле КС1 ионы хлора могут быть постепенно замещены ионами брома, т. е. можно осуществить практически непрерывный переход вещества от состава КС1 к составу КВг без заметного изменения устойчивости кристаллической решетки. Свойства образующихся твердых растворов непрерывно меняются от КС1 к КВг. Ниже приведены примеры ионных, атомных, молекулярных и металлических твердых растворов замещения. [c.134]

Гидраты растут подобно кристаллам и образуют пробки в прорезях тарелок и вентилях, если кристаллики гидрата не уносятся потоком газа. Поэтому турбулентное течение газа в промышленных условиях способствует смещению условий образования гидратов по сравнению с равновесными условиями гидратообразования, определенными в лабораторных опытах. Углеводородные жидкости (например, конденсат) усиливают этот эффект благодаря смывающему действию. [c.216]

При электролизе не всегда удобно использовать только постоянный ток. Перерыв тока, наложение переменного тока на постоянный, реверсия тока дают возможность при постоянных условиях электролиза (концентрация, температура, состав электролита и электродов) регулировать скорость процесса и качество катодного осадка из-за снятия диффузионных ограничений. Изменяя характер пульсаций, продолжительность периодов обращения тока во времени, можно создавать многие варианты режима электролиза и соответствующие этим режимам условия образования осадков по толщине слоя, крупности кристаллов, их структуре. Подобные режимы в отличие от условий электролиза с постоянной плотностью тока называют нестационарными они характеризуются непостоянством величины и направления тока во времени и другими особенностями. [c.390]

Исследованиями ученых многих стран установлено, что к соединениям переменного состава относятся не только оксиды, но н субоксиды, халькогениды, силициды, бориды, фосфиды, нитриды, многие другие еорганические вещества, а также органические высокомолекулярные соединения. Во всех случаях, когда сложное вещество имеет молекулярную структуру, оно представляет собой соединение постоянного состава с целочисленными стехиометриче-скими индексами. Некоторые ионные кристаллы и даже атомные кристаллы и металлы могут также подчиняться законам стехиометрии. Но в случае немолекулярных кристаллов, как отмечает Б. Ф. Ормонт, уже не молекула, а фаза т. е. коллектив из Л/о (числа Авогадро) атомов, определяет свойства кристаллической решетки . Он предлагает для подобных веществ расширить формулировку закона постоянства состава Если... в твердом агрегатном состоянии соединение не имеет молекулярной структуры, то в зависимости от строения атомов и вытекающего отсюда строения фазы и характера химической связи в ней состав соединения и его свойства могут сильно зависеть от путей синтеза. Даже при одном и том же составе свойства могут сильно зависеть от условий образования . Б. Ф. Ормонт подчеркнул необходимость исследования зависимости условия образования—состав — строение — свойства,— направленного. на установление связи между условиями образования, химическим и фазовым составом системы, химическим составом и строением отдельных фаз и их свойствами. Нетрудно заметить, что добавление к обычной формуле, закона постоянства состава слов состав срединения зависит от условий его образования ,— лишает закон постоянства состава его смысла. В то же время указание на важность изучения в связи с проблемой стехиометрии не только состава, но и строения твердых веществ представляется очень существенным. [c.165]

Седиментометрические и реологические исследования, а также поляризационная микроскопия позволили объяснить действие ультразвука на процесс кристаллизации твердых углеводородов при депарафинизации и обезмасливании. При обработке суспензий твердых углеводородов ультразвуком разрушаются связи между кристаллами твердых углеводородов, что приводит к разрушению образованной ими пространственной структуры при дальнейшем охлаждении эта структура не восстанавливается. Сами же кристаллы парафина при обработке ультразвуком почти не разрушаются. В результате резко снижается структурная вязкость системы и исчезает динамическое предельное напряжение при сдвиге. Все это создает условия для роста кристаллов с образованием агрегатов, обусловливающих высокие скорость и четкость отделения твердой фазы от жидкой, что приводит к увеличению скорости фильтрования, выхода депарафинированного масла и снижению содержания масла в твердой фазе. Однако применение метода ультразвуковой обработки суспензий твердых углеводородов при депарафинизации и обезмасливании пока не вышло из стадии лабораторных исследований. [c.163]

Реальные кристаллы. Внутреннее строение кристаллов отнюдь не во всех реальных кристаллах полностью отвечает описанному нами. Последнее относится скорее к тому редкому случаю, когда условия образования кристалла не вызывали никаких искажений в его структуре. Большей же частью образование кристалла происходит в условиях, приводящих к тем или иным отклонениям во внешней форме его, или к дефектам в его внутренней [c.143]

Это привело к интенсификации исследований в области кристаллизации, поскольку без знания условий образования кристаллов (их чистоты, выхода), без надлежащего выбора растворителя невозможна реализация процесса. [c.89]

Конденсация может протекать как химический и как физический процесс, И в том и в другом случае метод конденсации основан на образовании в гомогенной среде новой фазы, имеющей коллоидную дисперсность. Общим условием образования новой фазы является состояние пересыщения раствора или пара. При возникновении местных пересыщений в каких-то участках раствора образуются агрегаты из нескольких молекул, которые и становятся зародышами новой фазы. Роль зародышей могут выполнять имеющиеся или вносимые в систему центры кристаллизации — пылинки, небольшие добавки готового золя и др. Чем больше число центров кристаллизации и меньше скорость роста кристаллов, тем выше дисперсность получаемых золей. [c.410]

Твердые вещества в данных условиях тоже могут находиться в состояниях, обладающих различной термодинамической устойчивостью, например, в различных кристаллических формах. В свою очередь для любой из этих форм более устойчивым является состояние, соответствующее идеально правильному кристаллу. Дефекты структуры, вызванные условиями образования кристалла или последующей деформацией под действием внешних механических сил, в какой-то степени уменьшают его устойчивость, так как образование этих деформаций связано с затратой энергии и сопровождается возрастанием энтропии. Точно так же кристаллическое тело в измельченном состоянии, т. е. обладающее большей поверхностью, менее устойчиво. Во всех подобных случаях уменьшение устойчивости сопровождается возрастанием изобарного потенциала. В таких состояниях вещество обладает большей химической активностью и меньшей химической стойкостью, большей способностью к фазовым переходам (большим давлением насыщенного пара, большей растворимостью и т. д..) Выделение вещества в более активных формах и состояниях может происходить самопроизвольно только из состояний с еще большим изобарным потенциалом (еще более активных в данных условиях). Обычно такими состояниями служат сильно пересыщенный раствор или переохлажденная жидкость. Кроме того, такое вещество может получаться при химической реакции, происходящей в условиях, достаточно далеких от равновесных. [c.227]

Как видно из условий образования, аморфный осадок не является обязательно аморфным веществом (в смысле отсутствия кристаллической структуры). В большинстве аморфных осадков можно доказать наличие кристаллической решетки рентгеновским методом [см. И. П. А л и м а р и и, ЖПХ, 10, 171 (1936)], а иногда и иод микроскопом. Таким образом, термин аморфный осадок характеризует определенный тип осадков, состоящих из агрегатов большого количества очень мелких частиц кристаллов эти агрегаты имеют большую иоверхность. [c.55]

Получение металлов высокой чистоты требует особого внимания к предотвращению возможности перехода в катодный металл неметаллических примесей серы, углерода, фосфора и т. д. (см. гл. I, 11) и соблюдения условий образования плотного, ровного кристаллического осадка. Особое внимание следует обращать на промывку катодных осадков особо чистых металлов с целью снижения содержания раствора и солей в капиллярных полостях—порах между гранями кристаллов (см. гл. I, 11). [c.570]

Условие электронейтральности ионного кристалла при образовании катионной или анионной вакансии может быть удовлетворено также при одновременном удалении или введении электронов. При этом возникают тела с электронной проводимостью, вызванной квазисвободными электронами и положительными дырками. [c.96]

Зародыш представляет собой небольшую группу атомов (молекул или других структурных единиц) с правильным и характерным для стабильного при новых условиях кристалла расположением. Образование зародышей можно рассматривать как возникновение дисперсной системы, изучаемой коллоидной химией. По последовательности расположения частиц в зародыше происходит дальнейшая ук )адка слоев частиц и рост ядер. [c.224]

Изменяя соответствующим, образом характер пульсаций, длительность периодов обращения тока во врем ени, можнО создавать многие варианты режима электролиза и соответствующие этим режимам условия образования осадков по толщине, крупности кристаллов и их структуре. [c.369]

Важный вид несовершенств в кристалле — линейные дефекты, или дислокации. Плотность дислокаций зависит от условий образования кристалла. Для металлов число дислокаций, проходящих через единицу площади, не менее 10 см для германия, кремния гь 10 см- , а при особых условиях их удается снизить до 10 см-2. 3 отличие от точечных дефектов, дислокации не являются статистически равновесными образованиями в равновесном кристалле они должны отсутствовать, поскольку образование их связано с очень значительным возрастанием энергии, а энтропийный выигрыш при этом невелик. Однако в процессе кристаллизации дислокации всегда возникают. Механические напряжения вызывают движение дислокаций, причем этот процесс сопровождается появлением в кристалле точечных дефектов. [c.193]

На Земле имеется циркулярно поляризованный свет это свет Луны или свет, отраженный от поверхности моря при этом отмечено некоторое преобладание правой компоненты. Можно представить себе, что имеющийся в природе циркулярно поляризованный свет явился причиной зарождения первичной асимметрии. В лабораторных условиях за короткие промежутки времени эффект незначителен, но за миллионы лет в природе может накопиться весьма большое количество различных оптически активных веществ. Кроме того, при условии образования жидких кристаллов, как это показано в опытах Робинсона [38], может создаваться весьма сильный поток циркулярно поляризованного света. [c.657]

Дефектом строения кристаллов считается любое нарушение периодичности расположения частиц решетки, нарушение стехиометриче-ского состава, примеси, отсутствие частиц в отдельных узлах решетки (вакансии), смещение их из узловых положений в междоузлия, трещины, поры и т. д. Дефекты возникают в зависимости от условий образования кристалла, а также под влиянием тепловых, механических, оптических и других воздействий на кристалл. [c.135]

Структуру кристаллов изучают в разделах естествознания, называемых кристаллофизикой и кристаллохимией. Содержанием кристаллохимии является установление зависимости условий образования и физико-химических свойств кристаллов от их структуры и состава, изучение энергетики и выяснение природы химической связи в кристаллах. Основным методом исследований в кристаллохимии является рентгеноструктурный анализ, использующий явление дифракции рентгеновского излучения на кристаллах, открытое М. Лауэ и др. (1912). В последние десятилетия получили широкое распространение методы электронографии (дифракция быстролетящих электронов на кристаллической решетке) и нейтронографии (дифракция медленных, тепловых нейтронов на кристаллах). Каждый из этих методов обладает спецификой применения, ввиду чего совокупность их позволяет проводить структурные исследования самых различных образцов, существенно различающихся по своей природе. [c.319]

Равновесные структуры могут образоваться и поддерживаться в ходе обратимых превращений, протекающих при незначительном отклонении от равновесия. Типичный пример равновесной структуры — кристалл. Диссипативные структуры имеют совершенно другую природу они образуются и сохраняются благодаря обмену энергией и веществом с внешней средой в неравновесных условиях. Образование ячеистой структуры при возникновении свободной конвекции (гл. 11) — характерный пример диссипативной структуры. Мы можем рассматривать конвективную ячейку как гигантскую флуктуацию, стабилизированную потоками энергии и вещества, определяемыми граничными условиями. Такие диссипативные структуры при определенных условиях могут существовать и для открытых систем с протекающими в них химическими реакциями (гл. 7, 14—16). [c.11]

VII. Основные технологические параметры ХТП и производства. В этом разделе наряду с указанием для каждого ХТП и аппарата основных технологических параметров (давление, температура, объемная и линейная скорости, степень насыщения, степень диспергирования, концентрации веществ в растворах, скорости расслаивания, размеры газанул и кристаллов, допустимое влагосодер-жание) отмечаются технологические условия приготовления и регенерации катализаторов, адсорбентов, растворителей и реагентов, которые осуществляются на данном объекте химической промышленности. Кроме того, приводятся сведения о механической прочности и гидравлическом сопротивлении применяемых катализаторов и адсорбентов условия образования осадков, полимеров и пены, методы предотвращения их образования и методы их удаления рекомендации по характеру перемешивания жидкостных сред рекомендации по значениям флег-мовых чисел и плотностей орошения для специальных процессов разделения [c.19]

Легко видеть, что уравнение (1.547) получается из уравнений (1.539), (1.545), (1.546). Тем самым показано, что для одной стадии кристаллизатора МЗМРН коэффициент вариации на вес составляет 50%- Чтобы получить коэффициент вариации 20%, легко достигаемый в циклическом процессе (аппараты типа РС ОТВ), потребовалось бы 22 последовательных стадии. Очевидно, что сам по себе ступенчатый процесс является весьма неэффективным способом сужения распределения кристаллов по крупности даже при предположении, что условия образования центров кристаллизации не встретятся ни на какой стадии, кроме первой. [c.140]

Кристаллизатор DTB состоит из закрытой емкости с вертикальной циркуляциоиной трубой, внутри которой находится пропеллерная мешалка. Последняя обеспечивает циркуляцию кристаллизата из нижней в верхнюю часть аппарата, отличающуюся наибольшим пересыщением, способствуя росту кристаллов и устраняя образование нежелательных центров кристаллизации. Кристаллизатор DTB можно заменить моделью каскада аппаратов с образованием центров кристаллизации в первом аппарате по следующим причинам [118] 1) кристаллизатор имеет развитую поверхность затравочных кристаллов 2) пропеллерная мешалка сводит к минимуму образование новых центров кристаллизации и создает благоприятные условия роста существующим кристаллам 3) образование центров кристаллизации осуществляется преимущественно вблизи свободной поверхности, а рост кристаллов — ниже этой поверхности. Весовое распределение продукта, выходящего из к-то аппарата, выражается с помощью уравнения (1.538). [c.142]

В твердых растворах замещения структурные частицы одного 1 ещества (но[1ы, атомы или молекулы) занимают в кристаллической решетке места структурных частиц другого вещества без существенного изменения формы кристалла. Если два вещества способны образовать неограниченные твердые растворы замещешгя, то такие смешанные кристаллы называются изоморфными. Условием образования изоморфных твердых растворов замещения явля- [c.185]

Продукты коррозии железа, образующиеся в сероводородсодержащих средах, имеют общую формулу Ре Зв и оказывают существенное влияние на кинетику коррозионного процесса. Структура и защитные свойства сульфидов железа зависят от условий образования, главным образом от парциального содержания сероводорода в среде. Рентгеноструктурны ми и электронографическими исследованиями было установлено, что при низких концентрациях сероводорода (до 2,0 мг/л) сульфидная пленка состоит главным образом из троилита Ре5 и пирита РеЗа с размерами кристаллов до 20 нм. При концентрациях сероводорода от 2,0 до 20 мг/л дополнительно появляется небольшое количество кансита РедЗз. При концентрации сероводорода выше 20 мг/л в продуктах коррозии преобладает кансит и размеры кристаллов увеличиваются до 75 нм. Кансит имеет несовершенную кристаллическую решетку, поэтому он не препятствует диффузии железа и не обладает защитными свойствами. В результате устанавливается постоянная и довольно высокая скорость коррозии. Кристаллические решетки пирита и троилита имеют относительно небольшое число дефектов, тормозят диффузию катионов железа и оказывают некоторое защитное действие. [c.18]

При исследовании веществ, под микроскопом сначала применяют самое малое увеличение, так как при большем увеличении ничего не видно. Объектив всегда перемещают снизу вверх, иначе чувствительный объектив может попасть в жидкость, часто являющуюся агрессивной. Кристаллы получают а предметном стекле. Каплю анализируемой пробы наносят на предметное стекла рядом с каплей реактива, затем обе капли соединяют с помощью платиновой проволоки или стеклянной палочки. Кристаллы должны расти медленно, из разбавленных растворов. Для ртого обычно раствор с кристаллами оставляют стоять при комнатной температуре, затем очень медленно выпаривают жидкость. Следует отметить, что кристаллы одного и того же вещества могут выглядеть по-разному в зависимости от условий образования, концентрации, скорости выделения, присутствия посторонних солей и значения pH. Поваренная соль, например, кристаллизуется из воды в виде ку- бических кристаллов., В присутствии мочевины образуются октаэдры., а кубы не формируются. Лучше всего сравнивать форму изучаемых кристаллов с полученными при тех же условиях кристаллами соответствующего чистого вещества. [c.32]

Объединение атомов в молекулу происходит за счет образования химических связей. Этот процесс сопровождается понижением энергии системы, причем избыток энергии выделяется в виде теплоты. Чем прочнее химическая связь, тем больше энергии нужно затратить для ее разрыва, поэтому энергия разрыва связи служит мерой ее прочности. Энергия разрыва связи всегда положительна в противном случае химическая связь самопроизвольно разрывалась бы с выделением энергии, iз эпюго следует, что при образовании химической связи энергия всегда выделяется за счет уменьшения потенциальной энергии системы взаимодействующих электронов и ядер. Поэтому потенциальная энергия образующейся частицы (молекулы, кристалла) всегда меньше, чем суммарная потенциальная энергия исходных свободных атомов. Таким образом, условием образования химической связи является уменьшение потенциальной энергии системы взаимодействующих атомов. [c.98]

КРИСТАЛЛОХИМИЯ — наука о природе химической связи в кристаллах. К- изучает зависимость структуры кристалла от состава и условий образования, связь между составом, структурой кристалла и его физическими и химическими свойствами. С помощью рентгенострук-турного анализа определяют межатомные расстояния и углы между связями в радика [ах. Вопрос о причинах зоз1 5 к-новенил той или иной структуры кристалла является одной из важнейших задач К [c.140]

Условия образования осадка. Осадок МА образуется, когда значение ионного произведения [М+][А ] превысит значение произведения растворимости ПРма (см, разд. 3.4), т. е, когда возникнет местное пересыщение раствора, В этом месте появляется зародыш будущего кристалла (процесс зародышеобразования). С момента смешения растворов дЬ появления зародышей проходит определенное время, называемое индукционным периодом (от долей секунды до нескольких минут). При дальнейшем прибавлении осадителя более вероятным становится процесс роста кристаллов, а не дальнейшее образование зародышей. Зародыши соединяются в более крупные агрегаты, состоящие из десятков и сотен молекул (процесс агрегации). Эта стадия соответствует коллоидным системам. [c.142]

Рассмотрим твердые вещеста с атомными кристаллическими решетками, как неметаллическими (например, карбид кремния Si ), так и металлическими (например, УзТа), т. е. такие, в узлах кристаллических решеток которых находятся атомы, связанные так называемыми коллективизированными электронами (см. гл. 7). Пусть мы имеем, скажем, 10 моль подобного вещества в виде очень маленького монокристалла. Значит ли это, что в таком кристалле SI (масса его всего 4 мкг) находится точно по 10 моль атомов кремния и углерода или в кристалле УгТа (массой 30 мкг) на 2-10 моль атомов ванадия приходится точно 1-10 моль атомов тантала Чтобы ответить на этот вопрос, вспомним, что 10 моль — это около 6-10 атомов утвердительный ответ потребовал бы, чтобы числа разных атомов в кристалле совпадали с точностью до 16-го знака, что невероятно в реальных условиях образования кристалла. Таким образом очевидно, что в зависимости от условий получения подобных веществ они будут содержать избыток того или другого ком- [c.35]

Вещество будет обладать полупроводниковыми свойствами, если в данном состоянии обеспечиваются условия образования насыщенных парноэлектронных связей хотя бы у одного из компонентов (у анионообразователя). В элементарных полупроводниках ковалентная связь образуется заполнением 5- и /з-орбиталей всех атомов. Эти полупроводники подчиняются так называемому правилу октета 8—М, согласно которому атом в ковалентном кристалле имеет 8—N ближайших соседей (уУ — номер группы Периодической системы). Так, кремний, германий и а-олово имеют координационное число 4 (Л = 4), для полупроводниковых модификаций фосфора, [c.318]

Маловероятно, чтобы при таком невысоком содержании вяжущего вещества образовалась сплошная кристаллизационная структура, в ячейках которой мог бы разместиться инертный наполнитель. Основным доказательством существования в подобной системе единого пространственного кристаллизационного каркаса считается наличие определяемых рентгенографически сростков гидроалюминатов кальция и необратимость структуры после ее разрушения [274]. Однако наличие сростков еще не означает обязательного пространственного срастания кристаллов во всем объеме системы, хотя, безусловно, они должны упрочнять структуру и их разрушение необратимо. Но отсутствие тиксотропного восстановления подобных структур после разрушения связано с невоспроизводим остью важнейших первоначальных условий образования этой сложной дисперсной системы. Наконец, в системе сравнительно мало свободной воды и первоначальной высокодисперсной коллоидной фракции новообразований, для того чтобы могли быть обеспечены благоприятные условия для броуновского движения частиц. Последнее является непременным фактором, обуславливающим тиксотропию глинистых, типично коагуляционных, пространственных дисперсных структур. [c.103]

В производственных условиях фруктозу кристаллизуют из метилового, этилового спиртов. Фруктозосодержащий сироп добавляют в спирт при нагревании, вводят затравочные кристаллы фруктозы и затем смесь охлаждают. К недостаткам данного способа кристаллизации относятся большой расход спирта и плохое качество кристаллов из-за наличия спонтанной кристаллизации. Для предотвращения образования новых центров кристаллизации затравку водят в виде насыщенного раствора фруктозы в пересыщенный раствор при температуре 40—60 °С и непрерывном перемешивании. При этом происходит отложение фруктозы на затравочных кристаллах без образования новых центров кристаллизации. Выход ее повышается на 20—30 % по сравнению с обычной кристаллизацией (до 70—80 % вместо 60—50 %). Расход спирта — 2—4 % к массе сухих веществ фруктозы. Выход фруктозы также повышается с применением этанола вместо метанола. Для предупреждения образования окрашенных продуктов разложения, реакций превращения фруктозы в глюкозу и маннозу Ф. Холгер и другие (1965 г.) предлагают вести процесс кристаллизации при величине pH, равной 4,5—5,5. Время кристаллизации при этом сокращается до 110—120 ч. [c.129]

Первая серия опытов была проведена с применением воды в качестве ускоряющей добавки (активатора). При работе с насыщенными водными растворами мочевины реакция образования аддуктов протекает достаточно легко. Если же применять твердую мочевину с добавкой небольших количеств воды, то в обычно применяемых условиях образования аддуктов реакция, наоборот, вообще не протекает или начинается лишь после чрезвычайно длительного индукционного периода. Однако, если к реакционной смеси добавить некоторое количество предварительно полученных кристаллов ад-дук- а ( осевные кгис- аллы ), то реакция протекает достаточно легко, даже в присутствии совсем небольших количеств воды. Поэтому все последующие опыты проводили с прогрессивно возраставшими количествами воды и с обязательным добавлением посевных кристаллов . Как видно из рис. 2, [c.251]

Способом термопрессования в статическом режиме в открытом объеме (р = 80 — 100 МПа, г = 160 — 170 °С) получены образцы с прочностью на сжатие 55-75 МПа. Образование в условиях термопрессования прочных систем на основе полугидрата сульфата кальция объясняется следующим. Внешнее давление активно способствует процессу дегидратации кристаллов гипса при высоких температурах, а выделяющаяся при этом кристаллизационная вода первоначально выступает в роли смазки, в свою очередь способствующей более плотной упаковке кристаллов полугидратных образований в процессе прессования. Вода при повышенном внешнем давлении выходит в атмосферу через отверстия в пресс-форме, образующийся плотный и прочный камень представлен в основном а-полугидратной фазой сульфата кальция. Недостатком способа является большая длительность процесса прессования (до 45 мин) [71]. [c.37]

Аналитическая химия (1973) -- [ c.127 , c.130 , c.160 , c.162 , c.168 , c.174 , c.186 , c.189 , c.292 , c.294 , c.295 ]

Аналитическая химия (1965) -- [ c.6 , c.36 , c.142 , c.357 , c.357 , c.363 ]

Физическая и коллоидная химия (1964) -- [ c.51 ]

Физическая и коллоидная химия Учебное пособие для вузов (1976) -- [ c.42 ]

Физическая и коллоидная химия (1960) -- [ c.58 ]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология