Процессы, происходящие при отжиге люминофоров

Ранее нами уже рассматривались многие из тех процессов, которые могут происходить при отжиге, а именно сегрегация и осаждение примесей в области линейных и поверхностных дефектов, а также связанное с этим возникновение областей повышенного электрического сопротивления, обратимое и необратимое превращение центров свечения, увеличение степени самокомпенсации полупроводниковых кристаллофосфоров и диффузия примесей по дислокациям. При отжиге на воздухе нужно считаться с сорбцией кислорода, а выше определенной температуры — также с окислением основания люминофора. К этому следует добавить возможность полиморфных превращений. Например, при медленном охлаждении или отжиге закаленных ге/сс-2п5-Си-фосфоров, содержащих большое количество меди (1 10 г/г и более), происходит переход от структуры вюрцита к структуре сфалерита [82]. Благоприятное действие избытка меди может быть связано как с повышенной плотностью дислокаций, а потому и собственных дефектов, облегчающих самодиффузию, так и со стимулирующим влиянием хлористой меди u l, имеющей структуру сфалерита . Полиморфные превращения при отжиге наблюдались также у люминофоров других классов, например у aS04-Mn [59]. [c.311]

Отметим, что рассмотренная в качестве примера реакция (У.42) является лишь начальной стадией процесса распада закаленного твердого раствора СигЗ в 2п5. Если производить отжиг люминофора при температуре выше 170° С, то происходит необратимое разрушение желтых и красных центров, например, вследствие-их взаимодействия с вакансиями [c.170]

О старении люминофоров. Иногда свойства люминофоров претерпевают заметные изменения во времени даже при хранении в условиях, которые исключают какие-либо внешние воздействия, вызывающие фотолиз, хемосорбцию и т. п. явления. Такие изменения, объединяемые термином старение люминофоров (обычно они состоят в уменьшении выхода люминесценции), в большинстве случаев обусловлены теми же процессами, какие происходят при отжиге, а именно ассоциацией, сегрегаций и осаждением точечных дефектов, перемещением дислокаций, приводящим к изменению их плотности или к образованию новых границ блоков и т. п. Разница лишь в том, что при комнатной температуре процессы такого рода протекают значительно медленнее, чем при температуре отжига. Повышенная плотность линейных и поверхностных дефектов как и [c.313]

При получении промышленных кристаллофосфоров необходимо считаться с тем, что обработка, которой они подвергаются после прокаливания, может весьма существенно изменить их свойства, причем эти изменения зависят не только от способа обработки, но и от условий прокаливания. Здесь речь идет о таких операциях, как удаление плавня, дробление, в тех случаях когда это оказывается необходимым, промывка растворами электролитов и покрытие поверхности пленками, препятствующими слипанию зерен друг с другом или обеспечивающими их адгезию к подложке, а также нанесение экрана и его отжиг в вакууме (если экран находится внутри вакуумного прибора). К этому следует добавить облучение люминофора и действие атмосферной влаги. При рассмотрении физической химии дефектов в кристаллосфосфорах уже частично затрагивались явления, которые происходят при упомянутых операциях и при эксплуатации фосфоров. В гл. УП, 3 говорилось о падении интенсивности люминесценции, вызываемом механической деформацией кристаллов при их растирании и дроблении. В гл. IV, 2 обсуждался механизхм действия электроотрицательных адсорба-тов, приводящих к снижению яркости и фотопроводимости полупроводниковых фосфоров п-типа. В гл. III рассматривалось образование радиационных дефектов, а в гл. V, 2 — влияние дислокаций на фотолиз люминофоров при совместном действии света и влаги. В этой главе основное внимание будет уделено процессам, происходящим при удалении плавня и при отжиге люминофоров в вакууме. Вопросы, относящиеся преимущественно к технологии изготовления экранов, такие, как, например, влияние условий получения и обработки люминофоров на агрегативную устойчивость их в суспензиях (см. [12]), здесь рассматриваться не будут. [c.304]

Причины изменения оптических свойств - люминофоров при отжиге в вакууме [49]. Отжиг промышленных сульфидных люминофоров в вакууме приводит к значительно более резким изменениям их свойств, чем отжиг на воздухе или в нейтральной среде. В частности, происходит снижение интенсивности люминесценции ZnS-Ag, l и ZnS- dS-Ag, l-люминофоров, тем более резкое, чем меньше плотность возбуждения. Это указывает на уменьщение отношения Ссв/Ст. Кроме того, наблюдается посерение люминофоров, вероятно вследствие выделения серебра из решетки в виде отдельной фазы AgzS. Этот процесс аналогичен рассмотренному в гл. V, 2 процессу агрегации меди в гeк -ZnS- u-фo фopax. Начальная стадия его может быть изображена уравнением, подобным (V.56), [c.311]

Справочник химика 21

Химия и химическая технология